公开(公告)号：CN104744046A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410800429.9

申请日：2014-12-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  西村升 ,  胜田佑司

IPC: C04B35/582 ,  C04B37/00

CPC classification number: B32B18/00 ,  B32B7/12 ,  B32B2250/02 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/704 ,  C04B37/005 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/60 ,  C09J1/00 ,  C09J5/06 ,  C09J2400/123 ,  Y10T428/31536

Abstract: 本发明提供一种接合材组合物、氮化铝接合体及其制造方法，能够在较低温度下、不产生难以处理的气体而良好、稳定地进行氮化铝烧结体彼此的接合。本发明的第1接合材组合物是在将含有稀土金属氧化物的多个氮化铝烧结体彼此接合时所使用的接合材组合物，除了含有O元素的氮化铝原料之外，(a)还含有碱土金属氟化合物和稀土金属氟化合物中的至少一种，或者，(b)还含有碱土金属氟化合物和稀土金属氟化合物中的至少一种，并进一步含有稀土金属氧化物。

公开(公告)号：CN104150884A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410355834.4

申请日：2009-08-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 寺谷直美 ,  胜田佑司 ,  小林义政

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/111 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种氧化铝烧结体。该氧化铝烧结体可以调整到库仑型和约翰逊拉别克型之间的体积电阻率而且耐腐蚀性优异。本发明的氧化铝烧结体是在作为主成分的氧化铝粒子彼此之间层状地存在含有稀土元素和氟元素的相的烧结体，或者是沿着作为主成分的氧化铝粒子彼此的棱层状地存在含有稀土元素和氟元素的相的烧结体。对于该氧化铝烧结体，观察SEM图像时，含有稀土元素和氟元素的相在氧化铝粒子彼此之间不是局部地形成点存在，而是以形成线段的方式存在。另外，本发明的氧化铝烧结体可以容易地将由在室温施加2kV/mm电压经1分钟后的电流值算出的体积电阻率调整到1×1013～1×1016Ω·cm的范围。

公开(公告)号：CN101734924B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200910224404.8

申请日：2009-11-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 寺谷直美 ,  早濑彻 ,  胜田佑司

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  H01L21/683

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9607 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种不含钐的氮化铝烧结体，具有与含钐的氮化铝烧结体同等性能。本发明的氮化铝烧结体的制造方法包括：(a)调制不含Sm的混合粉末的工序，该混合粉末含有AlN、相对于AlN100重量份的2～10重量份的Eu2O3、相对于Eu2O3的摩尔比为2～10的Al2O3和相对于Al2O3的摩尔比为0.05～1.2的TiO2；(b)使用混合粉末制作成形体的工序；(c)随着烧成该成形体，在真空或惰性气氛下，进行热压烧成的工序。

公开(公告)号：CN101723674A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910205237.2

申请日：2009-10-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林义政 ,  后藤明 ,  胜田佑司 ,  山田直仁

IPC: C04B35/582 ,  C04B35/622 ,  H01L21/00

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种具有与氧化铝同等或其以上耐蚀性和体积电阻率且具有比氧化铝更高的热传导率的新型材料。本发明的氮化铝基复合材料为过渡金属、碱金属、硼的各元素分别为1000ppm以下的高纯度的氮化铝基复合材料，其热传导率为40～150W/mK，热膨胀系数为7.3～8.4ppm/℃，体积电阻率为1×1014Ωcm以上，作为构成相含有AlN和MgO，进而含有从由稀土金属氧化物、稀土金属-铝复合氧化物、碱土金属-铝复合氧化物、稀土金属氧氟化物、氧化钙和氟化钙构成的组中选择的至少一种。

公开(公告)号：CN112851320A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110301472.0

申请日：2015-05-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 矶田佳范 ,  佐藤洋介 ,  胜田佑司

IPC: C04B35/195 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种堇青石烧结体、其制法、复合基板以及电子器件，所述堇青石烧结体在X射线衍射图中，除了堇青石成分以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于堇青石的(110)面的峰顶强度的比比为0.0009～0.0020，体积密度为2.497～2.507g/cm3。该堇青石烧结体中，除了堇青石成分以外的异相极其少，因而在将表面研磨成镜面状时的表面平整度高。

公开(公告)号：CN104744046B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201410800429.9

申请日：2014-12-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  西村升 ,  胜田佑司

IPC: C04B35/582 ,  C04B37/00

Abstract: 本发明提供一种接合材组合物、氮化铝接合体及其制造方法，能够在较低温度下、不产生难以处理的气体而良好、稳定地进行氮化铝烧结体彼此的接合。本发明的第1接合材组合物是在将含有稀土金属氧化物的多个氮化铝烧结体彼此接合时所使用的接合材组合物，除了含有O元素的氮化铝原料之外，(a)还含有碱土金属氟化合物和稀土金属氟化合物中的至少一种，或者，(b)还含有碱土金属氟化合物和稀土金属氟化合物中的至少一种，并进一步含有稀土金属氧化物。

公开(公告)号：CN104254913B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480001099.5

申请日：2014-03-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板?卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al?Si?Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN104150884B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410355834.4

申请日：2009-08-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 寺谷直美 ,  胜田佑司 ,  小林义政

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/111 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种氧化铝烧结体。该氧化铝烧结体可以调整到库仑型和约翰逊拉别克型之间的体积电阻率而且耐腐蚀性优异。本发明的氧化铝烧结体是在作为主成分的氧化铝粒子彼此之间层状地存在含有稀土元素和氟元素的相的烧结体，或者是沿着作为主成分的氧化铝粒子彼此的棱层状地存在含有稀土元素和氟元素的相的烧结体。对于该氧化铝烧结体，观察SEM图像时，含有稀土元素和氟元素的相在氧化铝粒子彼此之间不是局部地形成点存在，而是以形成线段的方式存在。另外，本发明的氧化铝烧结体可以容易地将由在室温施加2kV/mm电压经1分钟后的电流值算出的体积电阻率调整到1×1013～1×1016Ω·cm的范围。

公开(公告)号：CN104254913A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201480001099.5

申请日：2014-03-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN101723674B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN200910205237.2

申请日：2009-10-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林义政 ,  后藤明 ,  胜田佑司 ,  山田直仁

IPC: C04B35/582 ,  C04B35/622 ,  H01L21/00

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种具有与氧化铝同等或其以上耐蚀性和体积电阻率且具有比氧化铝更高的热传导率的新型材料。本发明的氮化铝基复合材料为除了稀土金属的过渡金属、碱金属、硼的各元素分别为1000ppm以下的高纯度的氮化铝基复合材料，其热传导率为40～150W/mK，热膨胀系数为7.3～8.4ppm/℃，体积电阻率为1×1014Ωcm以上，作为构成相含有AlN和MgO，进而含有从由稀土金属氧化物、稀土金属-铝复合氧化物、碱土金属-铝复合氧化物、稀土金属氧氟化物、氧化钙和氟化钙构成的组中选择的至少一种。