发光二极管的形成方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103199160B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201310054892.9

    申请日:2010-01-13

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 一种发光二极管的形成方法,包含提供成长基板,依序形成牺牲层及外延层于成长基板上;形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层;形成支撑层于外延层上,支撑层具有一或数个支撑层开口穿透支撑层而连通多个外延层开口;及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

    半导体光电元件及其制作方法

    公开(公告)号:CN104091862A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410319735.0

    申请日:2010-08-06

    IPC分类号: H01L33/00 H01L31/18

    摘要: 本发明提供一种半导体光电元件及其制作方法。该半导体光电元件包括操作基板;半导体外延叠层单元,设置于操作基板上;半导体外延叠层单元包括设置于操作基板上,具有第一导电特性的第一半导体材料层,以及设置于第一半导体材料层上,具有第二导电特性的第二半导体材料层;透明导电层,设置于第二半导体材料层上,透明导电层包括第一表面、直接接触部,设置于第一表面上,与第二半导体材料层直接接触、第二表面,实质平行第一表面、直接接触对应部,设置于第二表面相对于直接接触部上;以及第一电极,设置于操作基板上,通过透明导电层与半导体外延叠层电性连结;其中,第一电极与透明导电层通过直接接触部与直接接触对应部之外的区域相互电性连结。

    半导体光电元件及其制作方法

    公开(公告)号:CN102376826B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201010249195.5

    申请日:2010-08-06

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明提供一种半导体光电元件及其制作方法。该半导体光电元件包括操作基板;半导体外延叠层单元,设置于操作基板上;半导体外延叠层单元包括设置于操作基板上,具有第一导电特性的第一半导体材料层,以及设置于第一半导体材料层上,具有第二导电特性的第二半导体材料层;透明导电层,设置于第二半导体材料层上,透明导电层包括第一表面、直接接触部,设置于第一表面上,与第二半导体材料层直接接触、第二表面,实质平行第一表面、直接接触对应部,设置于第二表面相对于直接接触部上;以及第一电极,设置于操作基板上,通过透明导电层与半导体外延叠层电性连结;其中,第一电极与透明导电层通过直接接触部与直接接触对应部之外的区域相互电性连结。

    发光二极管的形成方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103199160A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310054892.9

    申请日:2010-01-13

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 一种发光二极管的形成方法,包含提供成长基板,依序形成牺牲层及外延层于成长基板上;形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层;形成支撑层于外延层上,支撑层具有一或数个支撑层开口穿透支撑层而连通多个外延层开口;及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

    发光元件及其制造方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101958374A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200910160709.7

    申请日:2009-07-17

    发明人: 徐子杰

    IPC分类号: H01L33/00 H01L21/78

    摘要: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法,其步骤至少包含:提供基板,此基板具有第一主要表面与第二主要表面;形成多个发光叠层于上述基板的第一主要表面上;形成蚀刻保护层于发光叠层上;以激光于基板上形成多个不连续的孔洞;蚀刻多个不连续的孔洞;以及沿着多个不连续的孔洞劈裂基板以形成发光元件。

    发光二极管阵列
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108630720B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN201810358864.9

    申请日:2012-09-06

    IPC分类号: H01L27/15 H01L33/44

    摘要: 本发明提供一发光二极管阵列,包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道;该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层;该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间,且包括一电极绝缘层;该电极连接层包覆该第一区域;该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫;该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上;该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间,且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。

    半导体元件
    18.
    发明公开
    半导体元件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115313147A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210915066.8

    申请日:2018-05-09

    摘要: 本发明公开一种半导体元件,其包含︰一半导体叠层,其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域,其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁,相较于第二反射结构,第一表面较接近第一反射结构;一与第一反射结构电连接的第一电极;以及一与第二反射结构电连接的第二电极,其中第二电极包含一电极垫部位以及一自电极垫部位延伸的侧部位;其中第一电极以及第二电极的电极垫部位位于第一表面上,且第二电极的侧部位覆盖共振腔区域的侧壁。

    发光元件及其制造方法
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109802014B

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN201811424436.8

    申请日:2013-07-05

    IPC分类号: H01L33/00 H01L33/38

    摘要: 一种发光元件及其制造方法,该制造方法包括提供一第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上,各该多个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上,其中,该多个半导体叠层块包含一第一半导体叠层块及一第一二半导体叠层块;以及实行一第一分离步骤,包括:提供一第二基板,包括一第一电极;实行一第一接合步骤,包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板;以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板,且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。

    发光装置
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107068831B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201710092470.9

    申请日:2012-01-12

    摘要: 本发明公开一种发光装置,其包含:一基板;一透明导电层,设置于基板上;一半导体窗户层,形成于透明导电层上且具有一平坦表面及多个凹槽,其中每一凹槽具有一侧壁表面;及一发光叠层,形成于半导体窗户层上且包含一第一半导体层、一第二半导体层、一位于第一和第二半导体之间的活性层。此些凹槽中的至少其中一个的侧壁表面相对于平坦表面倾斜,且平坦表面与透明导电层之间的接触电阻小于侧壁表面与透明导电层之间的接触电阻。