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公开(公告)号：CN102959681B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180030323.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。
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公开(公告)号：CN102959681A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180030323.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L31/04
CPC classification number: B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。
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公开(公告)号：CN102369602A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080015594.3
申请日：2010-04-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L21/6776 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造系统为在形成于基板上的透明导电膜上依次层压有p型半导体层、i型半导体层以及n型半导体层的光电转换装置的制造系统，包括：I层成膜反应室，至少包括沿着搬送所述基板的搬送方向依次配置的第一成膜部、第二成膜部以及第三成膜部，用于对所述i型半导体层进行成膜；以及多个门阀，分割所述第一成膜部、所述第二成膜部以及所述第三成膜部，使得在所述搬送方向上所述第二成膜部的长度大于所述第一成膜部以及所述第三成膜部的长度。
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公开(公告)号：CN102301487A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005941.4
申请日：2010-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/24 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。
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公开(公告)号：CN102272895A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004120.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32743 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272894A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004096.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置包括：基底部件(3)，具有第一基底面(33)、第二基底面(33a)、和基底台阶部(34)；绝缘板(35)，具有从所述第二基底面(33a)到载置于所述第一基底面(33)的基板(10)的上表面(10a)的高度以下的高度，并被配置在所述第二基底面(33a)上，由绝缘物质形成；簇射极板(5)，具有第一簇射面(5a)、第二簇射面(5b)、和簇射台阶部(42)；以及电极掩膜(43)，具有从所述第二簇射面(5b)到所述第一簇射面(5a)的高度以下的高度，以与所述绝缘板(35)对置的方式配置在所述第二簇射面(5b)上，由绝缘物质形成。
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公开(公告)号：CN102272893A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003989.1
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。
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公开(公告)号：CN102017172B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980116223.1
申请日：2009-05-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池模块的制造方法和薄膜太阳能电池模块，采用该制造方法可确保薄膜太阳能电池模块的绝缘耐压特性具有较高的可靠性。本发明所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法包括：在有绝缘性的透明基板(10)上形成第1电极层(11)的步骤；形成第1隔离槽(21X、21Y)的步骤，由其隔开透明基板的周边区域(30X、30Y)和位于该周边区域内侧的发电区域(50)，其形成深度达到透明基板的表面；在透明基板上形成半导体层(13)的步骤；在透明基板上形成第2电极层(12)的步骤；形成第2隔离槽(22a、22X、22Y)的步骤，其比第1隔离槽还靠近周边区域，其形成深度达到透明基板的表面；对周边区域进行喷砂处理以去除周边区域上的第1电极层、半导体层和第2电极层的步骤。
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公开(公告)号：CN101432080B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200780015757.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: B41J29/17 , B41J2/16532 , B41J2/16585 , B41J29/377
Abstract: 提供一种不会向涂敷层混入灰尘的印刷装置。本申请的印刷装置(1)具有第一喷出头(40)和印刷头(30)，第一喷出头(40)位于比印刷头(30)还靠移动方向(D)的前方侧。在向印刷对象物(5)射着墨水前，从第一喷出头(40)吹送除静电气体而对印刷对象物(5)进行静电除去，并除去灰尘，所以在涂敷层(12)中不会混入灰尘。此外，在喷出孔(46)和喷嘴区域(32)之间配置吸引孔(47)，在喷嘴区域(32)中不会发生除静电气体的气流，所以喷嘴(35)的弯液面也不会被破坏。
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公开(公告)号：CN102272897A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004140.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室(101)，具有反应室(2a)；支撑部(15)，被收容在所述反应室(2a)内，载置有具有处理室(10a)的基板(10)，并控制所述基板(10)的温度；簇射极板(5)，被收容在所述反应室(2a)内，以与所述处理室(10a)对置的方式配置，并向所述基板(10)提供工艺气体；以及压力调整板(51)，将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b)，所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。
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