公开(公告)号：CN102469676B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110362975.5

申请日：2011-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 糸村大辅 ,  寺亮之介 ,  广川保明 ,  永谷勇人

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/26 ,  C23C16/515 ,  H05H2001/4682 ,  H05H2001/4697

Abstract: 一种等离子体生成装置包括：电源（10），其电极之一连接到N个真空室（2-1至2-3）的真空室壁（15-1至15-3）；振荡器（11），其在每个预定周期输出脉冲信号；N个脉冲放大电路（13-1至13-3），其并联连接到振荡器以及电源的另一电极，并且每个脉冲放大电路放大脉冲信号并且将放大的脉冲信号提供给设置在N个真空室中的N个电极中的对应的一个电极；以及至少（N-1）个定时生成电路（12-1至12-3），其连接在振荡器和至少（N-1）个脉冲放大电路之间，并且使脉冲信号延迟分别不同的延迟时间，使得在任何特定时间，脉冲信号仅被供给其中一个脉冲放大电路。

公开(公告)号：CN103572249A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310341531.2

申请日：2013-08-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 糸村大辅 ,  寺亮之介

IPC: C23C16/27

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  C23C16/515

Abstract: 本发明涉及用于形成无定形硬碳涂层的方法和设备。在等离子加工设备中包括限定加工腔的圆柱形电极、置于所述加工腔的中心区域中的杆状电极、并且所述杆状电极和所述圆柱形电极之间的距离是1至10mm，通过连续进行以下一系列的步骤来执行无定形且硬的碳涂层的形成：在存在氩气、氢气和氮气的情况下使衬底受到等离子氮化预处理，在该预处理的衬底上形成中间层，并且在存在碳源的情况下使该衬底受到等离子CVD处理以形成无定形且硬的碳涂层。根据本发明，形成类金刚石碳（DLC）涂层，同时确保在高强度电场的施加下高密度等离子的稳定形成成为可能。

公开(公告)号：CN101921980A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010239748.9

申请日：2010-06-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 伊藤俊树 ,  吉村幸三 ,  寺亮之介 ,  都外川真志 ,  二宫泰德

IPC: C23C4/12 ,  C23C4/10 ,  H01L23/373

CPC classification number: C23C4/134 ,  C23C4/11 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种热喷涂涂层形成方法，其在涂层形成表面上形成热喷涂涂层，特征在于包括：在涂层形成表面上热喷涂给料粉末的热喷涂步骤，以及在涂层形成表面上沉积热喷涂的给料粉末并且将其固化形成涂层的沉积和涂层形成步骤，在沉积和涂层形成步骤中，当通过热喷涂在涂层形成表面上沉积时，给料粉末以总体的50％到90％、优选70％到80％为固相态进行沉积，以便提高给料粉末中保留的微晶比例并确保高热导率。

公开(公告)号：CN1988736A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610171234.8

申请日：2006-12-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 奥田泰行 ,  吉田贵彦 ,  杉浦真纪子 ,  寺亮之介 ,  长谷部雄太

IPC: H04R17/00 ,  B60R16/02 ,  G01S15/06 ,  G01S15/08 ,  G01S15/93

CPC classification number: G01N29/223 ,  G01H11/06 ,  G01N29/245 ,  G01N2291/0421 ,  G01N2291/044 ,  G01N2291/102 ,  G01S7/521 ,  G01S7/526 ,  G01S15/003 ,  G01S15/42 ,  G01S2015/932 ,  G01S2015/939 ,  Y10S367/909

Abstract: 一种超声传感器(60、70、80、90、100)包括发送元件(19)，用于发送超声波到要探测的物体(M)；接收部分(30、31、32、33)，用于接收这个物体(M)反射的超声波；振动部分(15、85)，随着传递到它上面的超声波振动；以及支撑部分(11a)，用于支撑所述振动部分(15、85)的端部。所述接收部分(30、31、32、33)暴露在所述物体(M)所在的空间。所述接收部分(30、31、32、33)和所述振动部分(15、85)通过所述支撑部分(11a)连接，从而使所述接收部分(30、31、32、33)收到的超声波通过所述支撑部分(11a)传递到所述振动部分(15、85)。所述振动部分(15、85)通过所述支撑部分(11a)与所述接收部分(30、31、32、33)分开。

公开(公告)号：CN1681142A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510065121.5

申请日：2005-04-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 寺亮之介 ,  丰田稻男 ,  铃木康利

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11B5/39 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种隧道磁阻(TMR)器件，其具有包含一个下端电极层、一个钉扎层、一个隧道势垒层、一个自由层和一个上端电极层的结构，其可在基底上连续地形成。该隧道势垒层基本上具有化学计量组成。该隧道势垒层可为由ALD法形成的氧化铝薄膜。