公开(公告)号：CN104011491B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280059406.6

申请日：2012-11-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 池田伸一 ,  原史朗 ,  三原孝则 ,  羽深等 ,  坤邦·索玛万

IPC: F27D11/02

CPC classification number: C23C16/482 ,  C30B13/24 ,  F27B17/0025 ,  F27D2099/0026 ,  H01L21/67115 ,  Y10T117/108

Abstract: 本发明提供一种用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，是通过反射镜装置反射从光源放射的光而照射于被加热物，用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，其特征在于，反射镜装置由一次反射镜及二次反射镜构成，使从光源放射的光依次被一次反射镜及二次反射镜反射而照射于被加热物，由该二次反射镜反射而照射于被加热物表面的光并未相对于该被加热物表面垂直地进行照射。由此，在通过聚光的红外线进行加热的装置中，即便是使用旋转椭圆面的装置也能保持加热性能并进行小型化。

公开(公告)号：CN105814667A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480065794.8

申请日：2014-12-01

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一 ,  后藤昭广 ,  天野裕

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明提供一种能够用少量的清洗液高效地清洗晶片、高效地进行加热湿式清洗处理的晶片清洗机及其方法。本发明的晶片清洗机具有：载物台(34)，其设置晶片(W)；旋转驱动部(34b)，其使载物台(34)周向旋转；喷液嘴(35)，其与设置在载物台(34)的晶片(W)相向设置，向设置在载物台(34)的晶片(W)上供给清洗液(L)；以及控制单元(4)，其使喷液嘴(35)向设置在载物台(34)的晶片(W)和喷液嘴(35)之间的空间(S)供给填满该空间(S)的规定量的清洗液(L)。另外，具有设于与设置在载物台(34)的晶片(W)面对的位置，至少对晶片(W)和清洗液(L)的界面部分进行加热的灯(34e)。

公开(公告)号：CN103975276A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060328.1

申请日：2012-10-03

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 耸嘛玩 ,  原史朗

IPC: G03F7/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/162 ,  B05C5/02 ,  B05C11/08 ,  B05C11/1005 ,  G03F7/3021

Abstract: 形成于半英寸尺寸的晶圆上的抗蚀剂的最佳的显影方法及装置。是在制作极小单位数的半导体器件的晶圆尺寸的晶圆上形成的抗蚀剂的旋转显影方法及其装置，所述旋转显影方法包括：第1步骤，在停止着的晶圆上滴下显影液直到显影液的厚度达到最大；第2步骤，一边使晶圆旋转一边进行显影；第3步骤，使晶圆的旋转停止向晶圆上供给约第1步骤中的显影液量的一半的显影液；第4步骤，一边使晶圆旋转一边以比第2步骤长的显影时间进行显影。

公开(公告)号：CN105374724B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510790429.X

申请日：2011-08-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 原史朗 ,  原市聪 ,  石桥晃

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  G05B19/00

CPC classification number: H01L21/67703 ,  G05B19/4188 ,  G05B2219/32395 ,  G05B2219/32396 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67727 ,  Y02P90/04 ,  Y02P90/24 ,  Y02P90/28 ,  Y02P90/86 ,  Y10T29/41

Abstract: 本发明的课题在于与器件制造的变种变量生产弹性对应。本发明的器件制造系统具有：能够移动的多个单位处理装置，其担任器件制造工艺中的规定的处理工艺且具有密闭型的工艺处理部；密闭型的搬运容器，其收纳晶片；密闭型的晶片进出前室，其安装在各个所述单位处理装置的相同位置，在所述工艺处理部与所述搬运容器之间交接所述晶片，所述器件制造系统的特征在于，所述单位处理装置分别具有相同的外形形状，并且所述晶片进出前室分别具有相同的晶片交接机构和外形形状。

公开(公告)号：CN103854991B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。

公开(公告)号：CN104838481B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380063574.7

申请日：2013-10-29

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 原史朗 ,  前川仁

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67742 ,  B25J9/0027 ,  B25J18/02 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67778

Abstract: 本发明提供一种利用小径的处理基板廉价地进行器件的多品种少量生产的小型制造装置的基板输送前室机构。在小型半导体制造装置的装置前室的上表面设置用于载置已容纳有半导体晶圆的晶圆输送容器的容器载置台，并且在该装置前室的内部设置晶圆升降机构和水平输送机构。晶圆升降机构通过将晶圆输送容器的交接底部在载置有半导体晶圆的状态下从下侧吸附并使其下降，将半导体晶圆搬入到装置前室。水平输送机构利用以能自交接底部接受半导体晶圆的方式延伸的输送臂将半导体晶圆输送到处理室。

公开(公告)号：CN105009270A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480009585.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 原史朗 ,  前川仁 ,  中野禅

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67778 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67745

Abstract: 一种易于使前室在对处理基板实施的处理的种类不同的多个制造装置之间通用的制造系统。根据本发明的制造系统，能够使该制造装置的开发成本、制造成本廉价化。对小型制造装置的处理室和前室个别地设置控制部。当处理室控制部输出了搬入请求信号时，前室控制部将处理基板搬入到处理室，并输出搬入通知信号。处理室控制部当被输入搬入通知信号时进行处理基板的处理，在处理结束后输出搬出请求信号。前室控制部当被输入搬出请求信号时开始搬出处理基板，当从处理室搬出了该处理基板时，输出搬出通知信号。处理室当被输入搬出通知信号时开始下一次处理的准备。

公开(公告)号：CN103975416A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060033.4

申请日：2012-10-03

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 原史朗

IPC: H01L21/02 ,  B65G49/07 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: G03F7/7075 ,  G21F7/00 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67775

Abstract: 在将涂敷装置、曝光装置、显影装置等一起配置在较大的黄光室内的情况下，与方法变更相伴的布局的变更变得困难，并且配置面积等的效率化较为困难。本发明提供一种黄光室系统，该黄光室系统具有：多个可搬运的单位处理装置(50)，其具有规格化的相同的外形，且内含用于遮挡向形成于工件上的感光材料照射的感光光线的黄光室；搬运容器(11、12)，其本身形成为黄光室，并用于在单位处理装置之间搬运所述工件；以及遮光性的连结构造，其形成在设于单位处理装置(50)的前室(80)的上部的对接口(56)，用于连结单位处理装置和搬运装置。

公开(公告)号：CN103854991A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00 ,  C30B33/00 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。

公开(公告)号：CN103038873B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201180028487.9

申请日：2011-05-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 原史朗 ,  前川仁

IPC: H01L21/673 ,  B65D45/02 ,  B65D85/86

CPC classification number: H01L21/67742 ,  A47B47/0091 ,  A47B81/00 ,  B65D51/28 ,  B65D2313/04 ,  H01L21/67379 ,  H01L21/6773 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67775

Abstract: 以往在晶圆等的搬运系统中，预先在装置中设有前室，并且使被搬运物从容器经过前室从而将被搬运物搬运至装置区域，因此，容器与前室的连结需利用复杂的机构来完成。本发明是一种连结系统，其由搬运容器以及具有装置本体和装置门的装置构成，该装置门具备磁铁（26），搬运容器（7）具有可密接连结搬运容器本体（11）和搬运容器门（12）的密封结构，装置（8）具有可密接连结装置本体（13）和装置门（9）的密封结构，而且，搬运容器及装置具有两者可密接连结的密封结构，仅当搬运容器与装置密接连结时，形成密闭化的连结室，且具有搬运容器门从搬运容器分离并被收入装置内的结构，并且，搬运容器本体及搬运容器门具有磁铁及/或磁体（28）、（27），从而构成具有通过它们之间的磁力来关闭搬运容器门和搬运容器的结构的搬运容器。