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    基板的处理装置及处理方法
    13.
    发明公开
    基板的处理装置及处理方法 无效

    公开(公告)号：CN105070673A

    公开(公告)日：2015-11-18

    申请号：CN201510451334.5

    申请日：2012-12-26

    申请人： 芝浦机械电子株式会社

    发明人： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

    摘要： 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体(25)，对半导体晶片(W)的板面供给蚀刻液(E)；厚度检测传感器(29)，检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体(27)，在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。

    基板处理装置
    15.
    发明授权
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN113363187B

    公开(公告)日：2024-03-22

    申请号：CN202110617130.X

    申请日：2015-09-30

    申请人： 芝浦机械电子株式会社

    发明人： 林航之介 ,  大田垣崇

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10

    摘要： 实施方式涉及的基板处理装置具备：除去部(D1)，将存在于凹部(30)的液滴除去；排液孔(30a)，设在喷嘴头(32)的凹部(30)的底部，将作为除去对象的液滴向凹部(30)之外排出；以及控制部(8)，控制气体喷出喷嘴(33)的喷出状态，使得在对被处理面的基于处理液的漂洗处理结束、且到使用了气体的干燥处理开始为止的期间，存在有从气体喷出喷嘴(33)喷出不到达基板W的被处理面的程度的流量的气体的期间。

    基板处理装置及基板处理方法
    16.
    发明授权
    基板处理装置及基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN107256823B

    公开(公告)日：2021-06-11

    申请号：CN201710206347.5

    申请日：2017-03-07

    申请人： 芝浦机械电子株式会社

    发明人： 齐藤裕树 ,  林航之介 ,  大田垣崇 ,  长岛裕次

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

    摘要： 本发明的基板处理装置及基板处理方法通过高效地生成亚硝酸，生成具有适合蚀刻的亚硝酸浓度的蚀刻液，提高了蚀刻的效率。该基板处理装置(10)使用含有氢氟酸及硝酸的蚀刻液(L)对半导体晶片(W)进行处理，其具备：储存蚀刻液(L)的储存箱(210)、测量蚀刻液(L)中的亚硝酸的浓度的浓度传感器(256)、向蚀刻液(L)供给IPA而将亚硝酸的浓度维持在规定值以上的醇供给部(310)、将储存箱(210)内的蚀刻液(L)向半导体晶片(W)供给的基板处理单元(100)。

    基板处理装置
    17.
    发明授权
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN106716605B

    公开(公告)日：2021-06-08

    申请号：CN201580053001.5

    申请日：2015-09-30

    申请人： 芝浦机械电子株式会社

    发明人： 林航之介 ,  大田垣崇

    IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/677

    摘要： 实施方式涉及的基板处理装置具备：除去部(D1)，将存在于凹部(30)的液滴除去；排液孔(30a)，设在喷嘴头(32)的凹部(30)的底部，将作为除去对象的液滴向凹部(30)之外排出；以及控制部(8)，控制气体喷出喷嘴(33)的喷出状态，使得在对被处理面的基于处理液的漂洗处理结束、且到使用了气体的干燥处理开始为止的期间，存在有从气体喷出喷嘴(33)喷出不到达基板W的被处理面的程度的流量的气体的期间。

    自旋处理装置
    18.
    发明授权
    自旋处理装置 有权

    公开(公告)号：CN106024692B

    公开(公告)日：2019-01-22

    申请号：CN201610192768.2

    申请日：2016-03-30

    申请人： 芝浦机械电子株式会社

    发明人： 古矢正明 ,  森秀树 ,  林航之介 ,  大田垣崇 ,  金井隆宏

    IPC分类号： H01L21/687

    摘要： 本发明提供能抑制产生粉尘和旋转过程中的基板位置偏移的自旋处理装置。自旋处理装置(1)具备：多个夹销(21)，利用作用力分别抵接于基板的外周面并把持基板；旋转机构即电动机(4)等，使各夹销绕着基板的外周旋转；升降机构(3h)，使固定环形磁铁沿着基板的旋转轴方向上下：变换机构(3g)，将与固定环形磁铁相斥的旋转环形磁铁的上下方向的运动变化为横向运动；同步移动机构即多个副齿轮(3e)、主齿轮(3f)等，对应于横向运动中的某一方向的运动，使各夹销同步地抵抗上述作用力而向远离基板外周面的方向移动相同的量，对应于横向运动中的另一方向的运动，使各夹销在上述作用力下同步地向靠近基板的外周面的方向移动相同的量。

    供液装置以及基板处理装置
    19.
    发明公开
    供液装置以及基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN105229777A

    公开(公告)日：2016-01-06

    申请号：CN201480027435.3

    申请日：2014-05-14

    申请人： 芝浦机械电子株式会社

    发明人： 林航之介 ,  大田垣崇 ,  松井绘美

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

    CPC分类号： G05D11/13 ,  B05B12/006 ,  B05B13/0242 ,  B05C5/02 ,  G05D9/12 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

    摘要： 提供一种将处理液供给到处理装置并回收而再供给的供液装置，上述供液装置具备：多个供给罐，收纳上述处理液并且具有排气通路和溢流线路，能够切换为供给上述处理液的供给模式和在收纳上述处理液的状态下待命的待命模式中的某一种；供给机构，将上述处理液从这些多个供给罐中的供给模式的供给罐向上述处理装置供给；回收机构，将上述处理装置中剩余的上述处理液回收并返回供给模式的供给罐；以及开闭机构，分别设置于上述多个供给罐，对上述排气通路和上述溢流线路进行封堵。由此，能够延长被收纳于供给罐并处于待命状态的处理液的寿命。