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公开(公告)号：CN102077293B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200980124527.2
申请日：2009-06-26
申请人： 桑迪士克3D公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3481 , G11C2013/0066 , G11C2213/32 , G11C2213/72
摘要： 一种存储器系统，包括：基底；在基底上的控制电路；包括多个具有可逆电阻切换元件的存储器单元的三维存储器阵列(在基底之上)；以及用于检测可逆电阻切换元件的设置和复位的电路。
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公开(公告)号：CN103262414A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059615.6
申请日：2011-01-31
发明人： 易伟 , 穆罕默德·沙基·库雷希 , 弗雷德里克·佩纳 , 理查德·J·卡特
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/101
摘要： 一种用于切换二维阵列中的忆阻器件的方法，在切换电压的一半被施加至所述忆阻器件的行线时检测通过所述二维阵列的泄漏电流。根据所检测的泄漏电流产生泄漏补偿电流，并且还产生切换电流斜坡。所述泄漏补偿电流和所述切换电流斜坡被合并以形成合并的切换电流，所述合并的切换电流被施加至所述忆阻器件的行线。在所述忆阻器件的电阻达到目标值时，从所述行线移除所述合并的切换电流。
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公开(公告)号：CN102405499A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200980158609.9
申请日：2009-09-29
申请人： 桑迪士克3D公司
CPC分类号： G11C8/12 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066
摘要： 一种包括三维存储器阵列的存储系统，其具有多层组合成块的非易失性存储元件。每个块包括用于有选择地将第一类型阵列线(例如比特线)子集与相应的局部数据线耦合的第一选择电路子集。每个块包括用于有选择地将连接到控制电路的相应局部数据线的子集与全局数据线耦合的第二选择电路子集。为了增加存储器操作的性能，第二选择电路能够彼此独立地改变其选择。例如，对多组非易失性存储元件中每一组的第一非易失性存储元件并发执行存储器操作。独立地检测关于每一组所述第一非易失性存储单元的存储器操作的完成。在独立检测到关于每一组的第一非易失性存储单元的存储器操作完成后，关于相应组独立地进行对每一组第二非易失性存储元件的存储器操作。
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公开(公告)号：CN102203872A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980139728.X
申请日：2009-09-23
申请人： 桑迪士克3D有限责任公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H03K5/1532
摘要： 一种用于对存储器件中的可逆电阻转换存储元件执行设置或重置处理的电路。施加斜坡变化电压到存储单元并且恒定地监控电压状态，使得可以一完成设置或重置处理就释放电压，避免对存储单元的可能扰动。一个设置电路利用电流源使电压斜坡变化，同时利用运算放大回路检测电流峰值。一个重置电路利用运算放大回路使电压斜坡变化，同时通过持续引出在峰值电流的电流来检测电流峰值，以保持输出信号稳定。另一设置电路利用运算放大回路和源跟随器构造使电压斜坡变化。另一重置电路利用运算放大回路和源跟随器构造以及电平变换使电压斜坡变化，以降低功率消耗。实现了更快的检测和切断以及稳定的操作。
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公开(公告)号：CN1779848B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510107038.X
申请日：2005-09-27
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11C11/22 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
摘要： 本发明提出了一种存储器件，它包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；以及连接到离位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压与设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。
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公开(公告)号：CN107680631A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710297322.0
申请日：2017-04-28
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： G11C16/24 , G11C7/065 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3427 , G11C16/349 , G11C2013/0042 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C11/5678 , G11C29/12005
摘要： 本公开涉及带有余量电流相加的PCM存储器以及相关方法。例如，一种差分PCM存储器可以包括第一和第二PCM元件以及感测放大器电路，该感测放大器电路被配置成用于在感测操作期间对分别通过该第一和第二PCM元件的第一与第二感测电流之间的差异进行感测。该差分PCM存储器可以包括：第一余量电流分支，该第一余量电流分支与该第一PCM元件并联耦合并且被配置成用于选择性地将第一余量电流添加到该第一感测电流；以及第二余量电流分支，该第二余量电流分支与该第二PCM元件并联耦合并且被配置成用于选择性地将第二余量电流添加到该第二感测电流。
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公开(公告)号：CN106205725A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510241235.4
申请日：2015-05-13
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 黄科颖
CPC分类号： G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种写入和验证电路及其用于写入并验证电阻性存储器的方法。所述方法的步骤包含：在写入和验证期间启用对应于所述电阻性存储器的至少一个选择电阻性存储器单元的至少一个字线信号；提供位线电压至所述选择电阻性存储器单元，其中所述位线电压在所述写入和验证期间自第一电压电平到第二电压电平连续地增加或减小；以及测量通过所述位线的检测电流，和根据所述检测电流及参考电流确定所述写入和验证期间的结束时间点。本发明通过检测位线上的检测电流，可有效率地获得写入和验证期间的结束时间点，且可改良对RRAM进行的写入和验证操作的性能。
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公开(公告)号：CN105448332A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410471864.1
申请日：2014-09-16
申请人： 复旦大学
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092
摘要： 本发明提供一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法，属于电阻型随机读取存储器技术领域。在本发明的电阻型随机读取存储器及和写操作方法中，在预操作信号的偏置下监测开始由高阻态/低阻态向低阻态/高阻态转换的发生与否，来控制转换操作信号的变化，从而进行置位/复位操作。本发明的写操作方法能提高该电阻型随机读取存储器的存储性能。
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公开(公告)号：CN103262414B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180059615.6
申请日：2011-01-31
发明人： 易伟 , 穆罕默德·沙基·库雷希 , 弗雷德里克·佩纳 , 理查德·J·卡特
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/101
摘要： 一种用于切换二维阵列中的忆阻器件的方法，在切换电压的一半被施加至所述忆阻器件的行线时检测通过所述二维阵列的泄漏电流。根据所检测的泄漏电流产生泄漏补偿电流，并且还产生切换电流斜坡。所述泄漏补偿电流和所述切换电流斜坡被合并以形成合并的切换电流，所述合并的切换电流被施加至所述忆阻器件的行线。在所述忆阻器件的电阻达到目标值时，从所述行线移除所述合并的切换电流。
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公开(公告)号：CN103229419A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180055717.0
申请日：2011-01-31
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2211/5624 , G11C2211/5645 , G11C2213/15
摘要： 一种用于切换忆阻器件的方法，该方法向忆阻器件施加具有选择极性的电流斜坡。监测在电流斜坡期间的器件电阻。当忆阻器件的电阻达到目标值时，移除电流斜坡。
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