公开(公告)号：CN103872104A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410088555.6

申请日：2014-03-12

申请人： 潍坊市汇川电子有限公司

发明人： 赵常杰 ,  邢阜东 ,  潘莉 ,  王立勇

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L23/49

摘要： 本发明公开了一种TQ-126三极管，包括散热片、第一管脚、中间管脚和第二管脚，第一管脚、中间管脚和第二管脚的宽度为0.5mm，厚度为0.38-0.5mm，相邻两个管脚之间的距离为2.5mm，中间管脚的长度为4.8±0.05mm，采用以上结构以后，TQ-126形式的三极管就可以实现编带自动化插件，应用更广泛。

公开(公告)号：CN103839977A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310085640.2

申请日：2013-03-18

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  上海联星电子有限公司 ,  江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 张文亮 ,  朱阳军 ,  卢烁今 ,  胡爱斌

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/0688

摘要： 本发明公开了一种PIN超结结构，包括：N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区；所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接；所述P型柱与所述基区连接；所述发射极金属层分别与发射极及基区电学连接；所述本征区设置在N型柱及P型柱之间。本发明提供的PIN超结结构，在传统的N+/P+柱之间加入本征区域，从而使N+/P+柱的宽度和掺杂浓度的约束关系去除，不仅能给器件设计提供更大的自由度，还能更好的去折中器件的性能。

公开(公告)号：CN103811484A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310042256.4

申请日：2013-02-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡宗哲 ,  张伊锋 ,  李介文

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66363 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7436

摘要： 一种包括半导体鳍的ESD器件包括半导体衬底以及从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中的绝缘区。该器件进一步包括：第一节点和第二节点以及连接在第一节点和第二节点之间的静电放电(ESD)器件。ESD器件包括邻近绝缘区的顶面并且在绝缘区的顶面之上的半导体鳍。ESD器件被配置成响应于第一节点上的ESD瞬态，将电流从第一节点传导至第二节点。

公开(公告)号：CN103650145A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033354.5

申请日：2012-06-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： R·卡米洛-卡斯蒂洛 ,  P·B·格雷 ,  D·L·哈拉梅 ,  A·J·约瑟夫 ,  M·H·卡特 ,  刘奇志

IPC分类号： H01L29/73

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/107 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322

摘要： 本发明涉及具有连接内部和外部基极的链路区域的双极结型晶体管。用于制造双极结型晶体管的方法、通过该方法制作的双极结型晶体管以及用于双极结型晶体管的设计结构。双极结型晶体管（80）包括内部基极（84）上的介电层（32）以及通过介电层与内部基极至少部分隔开的外部基极（82）。发射极开口（52）延伸通过外部基极和介电层。介电层相对于发射极开口横向凹陷，以在内部基极和外部基极之间限定腔体（60a、60b）。该腔体利用物理链接外部基极和内部基极的半导体层（64）填充。

公开(公告)号：CN103367415A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310114440.5

申请日：2013-04-03

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 佐佐木善伸 ,  久留须整

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/73

摘要： 本发明获得能够防止高电压施加所导致的破坏的晶体管。在半导体衬底(1)上配置有发射极电极(2)、集电极电极(3)以及基极电极(4)。集电极电极(3)与发射极电极(2)分离。基极电极(4)配置于发射极电极(2)与集电极电极(3)之间。发射极电极(2)具有部分(2a、2b)。散热板(5)不与发射极电极(2)的部分(2a)接合，而与部分(2b)接合。

公开(公告)号：CN103299426A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280004474.2

申请日：2012-04-25

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 马丁·多梅杰 ,  安德烈·康斯坦丁诺夫 ,  卡里纳·扎林格 ,  克里斯特·古梅柳斯 ,  马茨·雷马克

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/40 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732

摘要： 提供了针对碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的新设计和生产这种SiC BJT的新方法。所述SiC BJT含有集电区（220），基极区（240）和发射区（260）。另外，表面钝化层沉积于用于接触所述发射区的发射极接触点和用于接触所述基极区的基极接触点之间。所沉积的表面钝化层促使在所述基极区的非本征部分内的表面钝化层之下形成耗尽区。另外，所述SiC BJT在所沉积的表面钝化层处包括栅极排布的表面。所述表面栅极构造成相对于所述基极区中的电位向所沉积的表面钝化层施加负电位。本发明是有利的，因为其提供了改进阻塞容量的SiC BJTs。

公开(公告)号：CN102341889A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010719.3

申请日：2010-03-08

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/107 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/772

摘要： 本发明提供可容易地进行具有结晶薄膜的半导体基板的设计以及所述结晶薄膜的膜质及膜厚度控制的半导体基板。具体，该基板具有，基底基板和一体或分离地被设置在所述基底基板上，用于阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层；阻挡层，具有多个第1开口区域，该第1开口区域具有贯通阻挡层到基底基板的多个开口；多个第1开口区域分别包含在内部以相同配置设置的多个第1开口；多个第1开口的一部分，是设置用以形成电子元件的第1化合物半导体的第1元件形成开口；多个第1开口的另外一部分，是作为不形成电子元件的第1虚设开口。

公开(公告)号：CN1868002B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200480029801.5

申请日：2004-08-12

申请人： 南泰若股份有限公司

发明人： C·L·伯丁 ,  T·吕克斯 ,  B·M·塞加尔

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/50 ,  G11C11/21 ,  G11C23/00 ,  H01L29/772 ,  B82B1/00 ,  B81B3/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/17 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/027 ,  H01H2001/0005 ,  H01L27/28 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/94 ,  Y10T29/49002

摘要： 本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。

公开(公告)号：CN102222670A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110162549.7

申请日：2011-06-16

申请人： 深圳市力生美半导体器件有限公司

发明人： 郑凌波 ,  林新春 ,  罗小荣

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L29/732 ,  H02M7/02

CPC分类号： H01L27/0744 ,  H01L29/73

摘要： 一种AC-DC开关电源及其功率三极管结构，该功率三极管包括一作为集电极的衬底，在该衬底上形成的相互隔离的至少两个基区、在每个基区上形成的一个发射极以及与该衬底电连接的集电极引脚、与该些基区电连接的至少两个基极引脚、与该些发射极电连接的至少两个发射极引脚，该衬底、每个基区、每个基区上的发射极及相应的引脚构成一个三极管单元。该AC-DC开关电源，包括一电源管理电路和与该电源管理电路电连接的开关管，该开关管具有前述的功率三极管结构。本发明可在控制成本的前提下，确保开关电源的性能。

公开(公告)号：CN100544023C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200680021188.1

申请日：2006-06-09

申请人： 本田技研工业株式会社

发明人： 野中贤一

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/732

摘要： 本发明提供一种双极半导体器件及其制造方法。一种半导体晶体包括布置在基极接触区(16)与发射极区(14)之间的表面的附近的具有第二导电类型的复合抑制半导体层(17)，并且该复合抑制半导体层(17)将具有大量表面状态的半导体表面与主要传导空穴电流的部分和电子电流的部分分离。抑制了复合，从而增大了电流放大因子并降低了导通电压。