公开(公告)号：CN105849870A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070783.9

申请日：2014-08-27

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 赤坂洋 ,  池田真義 ,  木村和弘 ,  神谷保志 ,  豊里智彦

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76865 ,  C23C14/046 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/56 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明的目的在于提供基板加工方法及半导体装置的制造方法，利用本发明，能够将材料充分地埋入构成通孔、导通孔等的凹部内，同时还沿着凹部的底部、侧壁部及上端部留存沉积膜。根据本发明的一个实施方式的基板加工方法包括：第一照射步骤，用于利用粒子束从相对于基板面内方向成第一角度的方向照射已经形成于基板的凹部的开口部的沉积膜，并且去除沉积膜的厚度方向上的一部分；和在第一照射步骤之后的第二照射步骤，用于从比第一角度接近垂直于基板面内方向的第二角度的方向进行照射粒子束，并且去除残留的沉积膜的厚度方向上的一部分。

公开(公告)号：CN105723496A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480062816.5

申请日：2014-10-21

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 梶原雄二

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/58 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C14/58 ,  F25B9/002 ,  F25B9/02 ,  F25B9/14 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H05B1/0227 ,  H05B1/0247

摘要： 本发明的目的是提供一种能够在较清洁的状况下传送基板的、用于冷却基板的基板处理装置和方法。作为本发明的基板处理装置的实施方式的基板冷却装置(100)设置有室(101)、提供冷却的冷却单元(109、112)、基板保持件(103)和遮蔽件(111)，基板保持件(103)具有用于将基板(S)载置于所述室的基板载置面(103a)并且基板保持件(103)被冷却单元冷却，遮蔽件(111)具有围绕所述室内的基板载置面的侧方的侧壁部并且遮蔽件(111)被冷却单元冷却。此外，在遮蔽件的内表面附近布置有遮蔽件加热器(116)。

公开(公告)号：CN102867910B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210345416.8

申请日：2007-02-26

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 永峰佳纪 ,  恒川孝二 ,  D·D·贾亚普拉维拉 ,  前原大树

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L43/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/16 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3447 ,  H01L43/12

摘要： 本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件（第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等）的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO（氧化镁）层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta（钽）。

公开(公告)号：CN104024471B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280065186.8

申请日：2012-09-14

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 松村康晴 ,  坂本怜士 ,  森胁崇行

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562

摘要： 本发明提供一种能够在对带状基板进行磁控溅射时，提高靶材利用率的溅射装置。本发明的一个实施方式所涉及的溅射装置为在腔室内连续输送被接地的金属的带状基板且对带状基板实施溅射的溅射装置。该溅射装置具备：靶材保持件，与腔室内的带状基板相对设置且用于保持靶材；电压施加部件，通过对靶材保持件供给电力从而在腔室内产生等离子体；磁铁单元，具有配置于靶材保持件的背面侧的长条状的第1磁铁与以围着该第1磁铁的方式配置的第2磁铁；及浮动电势的第1屏蔽件，设于带状基板与腔室的存在于从磁铁单元朝向带状基板的方向上的壁面之间，用于屏蔽壁面以免受到等离子体的影响。

公开(公告)号：CN103635604B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201280031817.4

申请日：2012-05-30

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 梶原雄二 ,  安松保志 ,  小长和也

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3464 ,  C23C14/04 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3447

摘要： 本发明提供一种镀膜装置，其构造成可以减少靶材间的污染的发生。该镀膜装置包括：多个靶材电极，其分别具有附连面，靶材能够附连于所述附连面；用于在与所述多个靶材电极相对的位置保持基板的基板支架；在所述多个靶材电极及所述基板支架之间可旋转地被设置且具有能够与所述附连面相对的多个开口的第一挡板构件；以及与所述第一挡板构件相邻地布置、且具有数量与所述靶材电极的数量相等的开口的遮蔽构件；其中，所述第一挡板构件及所述遮蔽构件之间的间隙从相邻的所述靶材电极的最靠近部朝向外周侧扩大。

公开(公告)号：CN104798218A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060677.8

申请日：2013-11-11

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 中川行人 ,  小平吉三 ,  栗田资三 ,  中川隆史

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01J37/305 ,  H01L21/302 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 本发明提供在磁阻效应元件的制造工序中效率良好地去除附着于元件分离后的侧壁的再附着膜中的贵金属原子而防止由再附着膜导致的短路的制造方法。通过对于形成于元件分离后的磁阻效应元件侧壁的再附着膜照射使用Kr气体或Xe气体的等离子体而形成的离子束，从而自再附着膜中选择性地去除贵金属原子。

公开(公告)号：CN102484090B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201080032021.1

申请日：2010-07-12

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 田代征仁 ,  中泽俊和

IPC分类号： H01L21/677 ,  B65G49/07 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/67748 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196

摘要： 本发明提供一种串列式多室基板处理设备，其具有简单的构造，能够降低膜剥离导致的粒子的影响，且能够安装多个处理室。在本发明的一个实施方式中，传送机器手的无关节的臂(4)布置在能够抽气的第一处理室(1)内，其中臂(4)具有基板保持部(4a)且在保持预定的臂长的状态下能执行转动运动。第一加工室(1)构造成能够通过传送机器手的臂(4)从邻接的第二加工室(15)经由开口(20)传送基板。臂退避位置和作为基板安装位置的保持件(7)以与当传送机器手的臂(4)绕转动轴(4b)转动时基板保持部(4a)的轨迹重叠的方式定位。

公开(公告)号：CN102687297B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080059892.2

申请日：2010-12-28

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 西村和正

IPC分类号： H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  C08K2201/01 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909

摘要： 提供一种通过氧化金属层(例如，镁层)形成金属氧化物层(例如，氧化镁层)的方法。所述方法可制造具有更高磁阻比的磁阻元件。所提供的方法包括：制备具有第一铁磁性层形成于其上的基板的步骤；在所述第一铁磁性层顶部制作隧道势垒层的步骤，和在所述隧道势垒层顶部形成第二铁磁性层的步骤。所述制作隧道势垒层的步骤包括：将第一金属层形成于所述第一铁磁性层顶部的步骤；氧化所述第一金属层的步骤；将第二金属层形成于所述氧化的第一金属层顶部的步骤；和在第二金属层蒸发的温度下加热处理所述氧化的第一金属层和所述第二金属层的步骤。

公开(公告)号：CN102862819B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210231228.2

申请日：2012-07-05

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 北川淳一 ,  若林秀纪

IPC分类号： B65G49/06

摘要： 本发明提供一种能够抑制微粒产生的输送装置。输送装置包括腔室；基板支承体，支承基板，并能够沿着腔室内的路径移动；第1磁齿条，具有呈直线排列于基板支承体的多个齿条磁铁；第1磁小齿轮，具有多个小齿轮磁铁，配置于第1磁齿条的侧方，与第1磁齿条磁耦合；以及支承构件，以使基板支承体能够移动的方式支承该基板支承体，通过使第1磁小齿轮旋转而使基板支承体移动。

公开(公告)号：CN104024467A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280063746.6

申请日：2012-12-17

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 醍醐佳明 ,  石桥启次

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/02

CPC分类号： C23C14/088 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/35 ,  C23C14/352

摘要： 本发明提供一种SrRuO3膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO3膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO3膜同时抑制异常放电的发生。本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO3膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO3膜。