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公开(公告)号：CN1253286C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN03136774.7
申请日：2003-04-16
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , B23Q3/154 , H01J37/32082 , H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 本申请公开了ESC台的结构，其中的吸附电极夹在减速缓冲层和覆层之间。减速缓冲层和覆层的热膨胀系数位于介电板和吸附电极之间。本申请也公开了ESC台的最佳整个厚度，构成减速缓冲层的混合物的最佳比率，该混合物的热膨胀系数的最佳范围。本申请进一步公开了一种在基底上进行处理的基底处理装置，保持该基底的温度高于室温，该装置包括用于在处理过程中固定基底的静电吸附台。
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公开(公告)号：CN1227390C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN02132070.5
申请日：2002-09-10
Applicant: 安内华株式会社
IPC: C23F1/08 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4557 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/5096 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，由内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对配置的处理室、处理室的排气器件和气体供给器件构成，其特征是：气体放出构件，从上流侧开始按如下顺序配置：气体分散构件、有多个气体通路且设有冷却介质流动通道或加热器的气体板的冷却或加热构件，以及具有与气体通路连通的多个气体吹出孔的气体板，通过固定静电吸附构件或气体板周边部的固定部件，将气体板固定在冷却或加热构件上。可在气体板和冷却或加热构件之间设置第2气体分散构件，在冷却介质流动通道的正下方设置气体吹出孔。由此可形成均匀的气流分布，并且实现气体板的温度及其分布的控制性能优越的气体放出构件，可连续进行均匀的处理。
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公开(公告)号：CN1676445A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059852.9
申请日：2005-03-31
Applicant: 安内华株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基板搬送装置，该基板搬送装置由安装有基板托盘的承载器，承载器搬送机构，与以非接触方式对承载器的顶部进行导向的承载器导向机构构成，其特征在于该导向机构由第一排磁铁和第二排磁铁构成，该第一排磁铁沿搬送通路而安装于上述承载器的顶部，该第二排磁铁在第一排磁铁的上方或下方，沿搬送通路而安装于真空室中。另外的特征在于按照下述方式设置磁铁，该方式为：沿与搬送方向相垂直的方向，以规定间距间隔开地设置多排的第一排磁铁和第二排磁铁，在面对的磁铁排之间，作用有吸力，在相邻的磁铁排之间，作用有排斥力。通过本发明可抑制基板托盘的摆动，进而抑制灰尘的产生，可实现稳定的高速搬送。
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公开(公告)号：CN1444257A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03110796.6
申请日：2003-02-08
Applicant: 安内华株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23F4/00 , C23C16/513 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/505 , H01J37/32165
Abstract: 本申请公开了利用两个不同频率的射频波的射频等离子体处理的技术，在其中能够充分并且稳定地生成和保持等离子体。第一频率是用于通过引起放电来生成等离子体，第二频率是用于在被处理的基片上生成自偏电压。在施加第一频率的射频波以后通过一个时滞来施加第二频率的波。本申请还公开了在射频等离子体处理中的阻抗匹配技术，在其中为了引起放电和稳定等离子体来优化被提供的阻抗。
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公开(公告)号：CN100343950C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200410085160.7
申请日：2004-08-27
Applicant: 安内华株式会社
Inventor： 石原雅仁
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67201 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本申请公开了一种衬底加热装置，包括将装料锁定室的内部分成两个区域的隔板。在将该衬底从大气外部输入和将该衬底输出到大气外部时，所述输送阀打开所述输送开口，所述第二区域处于大气压力，并且同时所述内部开口由该隔离阀关闭；在所述衬底被输送到保持器中之后并且在所述输送开口由输送阀关闭之后，抽气管道开始将该第二区域抽空，同时所述隔离阀保持关闭；在第二区域中的压力成为抽空所需的真空压力之后，打开隔离阀之后，载体穿过内部开口传送衬底到达第二区域，从而将衬底接触到设置在第一区域中的加热体上，以在真空压力下加热所述衬底。本申请同样公开了一种多室衬底处理系统，包括输送室和都位于输送室周围的装料锁定室和处理室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1327280C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410085047.9
申请日：2004-10-10
Applicant: 安内华株式会社
IPC: G02F1/1341 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1341 , H01L21/67051
Abstract: 在制造其包括有面板组件的液晶板的方法中，管嘴机构位于面板组件的液晶注入孔附近，并且该管嘴机构的吸气口与液晶注入孔之间留有一空间。管嘴机构抽吸周围气体以在液晶注入孔附近产生负压以及连续气流。负压可排出注入到面板组件中的过量液晶，同时连续气流吹掉了所排出的液晶。所吹掉的液晶被吸入到面板组件的吸气口中。由此，可在很短的时间内将面板组件的间隙调节到位于适当范围之内。
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公开(公告)号：CN1259448C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN02146153.8
申请日：2002-10-30
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: C23C14/225 , C23C14/35 , G11B5/851 , H01L21/68771 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种能在最适合的温度下，在各自的膜质上形成具有清洁表面的多层膜，而且可以在堆积的膜表面上连续进行规定的表面处理的喷溅装置和薄膜形成方法。在中心轴周围至少分别安装着一个靶和基板表面处理机构，在上述靶和上述表面处理机构上配置着保持1块或多块基板的基板保持部，使上述中心轴或上述基板保持部旋转。
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公开(公告)号：CN1472037A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03136775.5
申请日：2003-04-16
IPC: B23Q3/15
CPC classification number: B25B11/002 , Y10T279/23
Abstract: 本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与吸附电极内应力指向相反的内应力。本申请进一步公开了一种基底加工装置，用于在基底温度保持高于室温时在基底上执行加工，包括在加工期间用来吸附住基底的静电吸附台。
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公开(公告)号：CN1441083A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03105242.8
申请日：2003-02-25
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，实现可有效地对需要温度控制的部分进行冷却或加热、并在所需的温度下均匀地进行控制的热交换器，由此可连续地进行稳定的处理。在具有排气机构和气体导入机构的处理室的内部，具备放置基板的基板放置台和气体排放机构，通过上述气体排放机构，朝向基板排放的气体或其反应生成物，对基板进行处理，其特征在于：基板放置台、气体排放机构或处理室具备热交换器，该热交换器是，在二个板状体之间设置有分隔壁，形成流路，使流体流过该流路，将上述板状体或与上述板状体接触的部件冷却或加热至规定的温度，即，分别在上述流路的内部的二个板状体上，与流路平行或具有规定的角度地设置翼片。
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公开(公告)号：CN1417373A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02146153.8
申请日：2002-10-30
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: C23C14/225 , C23C14/35 , G11B5/851 , H01L21/68771 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种能在最适合的温度下，在各自的膜质上形成具有清洁表面的多层膜，而且可以在堆积的膜表面上连续进行规定的表面处理的喷溅装置和薄膜形成方法。在中心轴周围至少分别安装着一个靶和基板表面处理机构，在上述靶和上述表面处理机构上配置着保持1块或多块基板的基板保持部，使上述中心轴或上述基板保持部旋转。
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