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公开(公告)号：CN1193374C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01142498.2
申请日：2001-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 磁存储装置与磁基片，提供一种降低写入时的耗电的MRAM，同时，提供一种降低擦除和写入花费的时间的MRAM。把彼此平行设置的多个位线BL1配置成在相互平行配置的多个字线WL1的上部交叉。在字线和位线夹持的各交点上形成MRAM单元MC2。把各MRAM单元MC3配置成用箭头表示的易磁化轴相对位线和字线倾斜45度。
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公开(公告)号：CN1577619A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410064300.2
申请日：2001-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种磁存储装置，配备具有多个存储器单元阵列、跨过所述多个存储器单元阵列的多个主字线、对应于所述多个存储器单元阵列的每一个配置的多个存储器单元阵列选择线的至少一个存储器单元阵列组，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述多个字线分别连接于分别设置在所述多个主字线和所述多个存储器单元阵列选择线的交叉部上的第一组合逻辑门的输出，所述第一组合逻辑门的输入连接于处于交叉状态的所述多个主字线之一与所述多个存储器单元阵列选择线之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1154189C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN99101044.2
申请日：1999-01-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L27/12 , Y10S257/903
Abstract: 存储单元(1)具备n阱(2)和p阱(3)。字线(9c)在存储单元(1)延伸，将n阱(2)和p阱(3)配置在字线(9c)的延伸方向上。而且，相对于1个存储单元(1)设置1条字线(9c)，字线(9c)由金属构成。通过使字线为一条，可容易地用金属布线构成字线，降低字线的电阻，由此可抑制字线延迟。
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公开(公告)号：CN1153302C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN97109797.6
申请日：1997-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/11
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L29/78624 , H01L29/78639
Abstract: 提供一种能防止在具有连接导电类型不同的多晶硅层结构的薄膜晶体管中由于杂质扩散引起的不良后果的薄膜晶体管及其制造方法。用多晶硅在第2氧化膜4的表面上整体地形成漏极6、沟道7、源极8。漏极6通过到达衬垫层3(第2多晶半导体层)的上表面而形成的接触孔5连接在衬垫层3上。而且在位于接触孔5(开口部)的底部的衬垫层3上形成硼注入区BR。
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公开(公告)号：CN1420562A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02151484.4
申请日：2002-10-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0688
Abstract: 本发明提供一种生成难于受栅极电压和环境温度影响的识别码的技术。设置第一半导体元件作为p型MOS晶体管11a，设置p型MOS晶体管11b作为第二半导体元件，MOS晶体管11a，11b构成元件对11。根据MOS晶体管11a，11b对电气特性进行比较的结果，对元件对11决定两值逻辑。由于MOS晶体管11a，11b是被集成的，两者受到相同程度的环境温度的影响。这样，比较两者的电气特性的结果难于受到环境温度的影响。
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公开(公告)号：CN1368735A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN01142498.2
申请日：2001-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 磁存储装置与磁基片,提供一种降低写入时的耗电的MRAM,同时,提供一种降低擦除和写入花费的时间的MRAM。把彼此平行设置的多个位线BL1配置成在相互平行配置的多个字线WL1的上部交叉。在字线和位线夹持的各交点上形成MRAM单元MC2。把各MRAM单元MC3配置成用箭头表示的易磁化轴相对位线和字线倾斜45度。
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公开(公告)号：CN1192586A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN97122260.6
申请日：1997-11-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于,提供能消除阈值与扩散层泄漏的折衷关系、同时使栅氧化膜的形成无须分多次进行的半导体装置和制造方法。在N沟道型MOS晶体管T41～T43的栅电极4A～4C中,由于杂质剂量各自不同,所以杂质浓度也各不相同,在构成时使栅电极中的杂质浓度按预计的阈值较高的顺序依次减低。
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