公开(公告)号：CN103229280A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055047.2

申请日：2011-11-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  田才忠 ,  佐佐木胜 ,  三原直辉 ,  松本直树 ,  茂山和基 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。第二气体的入口距离载置台的高度低于第一气体的入口距离载置台的高度。

公开(公告)号：CN101313393B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780000224.0

申请日：2007-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明对具有硅层和含有高熔点金属的层的构造体进行等离子体氧化处理，形成硅氧化膜，该等离子体氧化处理包括：使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在1.33～66.67Pa的处理压力下，进行第一等离子体氧化处理的工序；和在第一等离子体氧化处理之后，使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在133.3～1333Pa的处理压力下，进行第二等离子体氧化处理的工序。

公开(公告)号：CN100373560C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN03813333.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN101080810A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200680001355.6

申请日：2006-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种选择性等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对在表面上具有硅和氮化硅层的被处理体进行作用，选择性地对硅进行氧化处理，使得在氮化硅层中形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于所形成的硅氧化膜的膜厚的比率为20％以下。

公开(公告)号：CN1967787A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN1633702A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02824972.0

申请日：2002-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  松山征嗣 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。

公开(公告)号：CN102549756A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080044368.8

申请日：2010-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 半导体器件的制造方法包括隔着栅极绝缘膜在基板的表面上形成栅电极，在栅电极的侧表面上形成绝缘膜，和将氧等离子体暴露到基板的表面上。基板的表面附近的氧等离子体的电子温度等于或低于约1.5eV。

公开(公告)号：CN101521980B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910005390.0

申请日：2009-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  吉川润 ,  西塚哲也 ,  佐佐木胜

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，适于进行等离子体处理。等离子体处理装置(11)具备：保持台(14)，配置于处理容器(12)内，在其上保持半导体基板(W)；电介质板(16)，配置于与保持台(14)相面对的位置，将微波导入处理容器(12)内；等离子体点火单元，在利用所导入的微波在处理容器(12)内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器(12)内产生等离子体；控制部(20)，包含升降机构(18)，以进行将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为与第一间隔不同的第二间隔，进行对半导体基板(W)的等离子体处理。

公开(公告)号：CN102403183A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110287142.7

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  佐佐木胜 ,  桥本润 ,  吉村正太 ,  小津俊久 ,  西塚哲也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。

公开(公告)号：CN102362201A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013593.5

申请日：2010-03-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉村正太 ,  佐佐木胜

IPC: G02B3/00 ,  B29D11/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: B29D11/00365 ,  B29D11/00298 ,  G03F7/0005

Abstract: 本发明提供一种微型透镜阵列的制造方法和微型透镜阵列。该微型透镜阵列的制造方法是在一个面上具有多个突出成大致半球面状的微型透镜的微型透镜阵列的制造方法，其包括：抗蚀剂形成工序，其用于在作为微型透镜的材料层的有机膜层上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层用于形成微型透镜的形状；蚀刻工序，其用于使用氟混合气体对已形成的抗蚀剂层以及有机膜层进行蚀刻，该混合气体是使含有氢的分子以及含有氟素的分子混合而成的。