公开(公告)号：CN113161224B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202110041720.2

申请日：2021-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 窪田真树 ,  佐藤吉宏 ,  佐藤正律

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/54 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置，能够降低在同一处理容器内对基片连续地反复进行多层膜的成膜的情况下处理容器内的清洁的频次。成膜方法是在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序、第5工序和第6工序。第1工序将基片送入处理容器内。第2工序在基片形成第1膜。第3工序在第2工序后的基片形成第2膜。第4工序将第3工序后的基片从处理容器送出。第5工序在第4工序后用第1气体的等离子体将形成第2膜时沉积在处理容器内的第1沉积物除去。第6工序在反复执行了从第1工序至第5工序为止的工序后，用第2气体的等离子体将形成第1膜时沉积在处理容器内的第2沉积物除去。

公开(公告)号：CN107523800B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201710457272.8

申请日：2017-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  渡边幸夫 ,  窪田真树

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体。在成膜步骤中，利用供给到处理容器内的、含有第一气体、第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu部上形成保护膜。第一气体为含卤素原子的硅系气体。第二气体为O2气体、N2O气体、N2气体或者稀有气体。第三气体为H2O气体或者SiH4气体。

公开(公告)号：CN102753727A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180006900.1

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽亮太 ,  高桥哲朗 ,  大崎良规 ,  铃木公贵 ,  齐藤智博 ,  山下润 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  山崎幸一 ,  古木和弘

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 在电介质板（28）和盖部件（13）的支撑部（13a）之间具有环状的O型环（29a），并且在该O型环（29a）的外周侧设置有用于在处理容器（1）的上部配置的盖部件（13）的支撑部（13a）和电介质板（28）之间形成缝隙（d）的垫片（60）。即使处理容器（1）内的等离子体的热导致盖部件（13）和电介质板（28）热膨胀，通过缝隙（d），盖部件（13）和电介质板（28）也不会接触、摩擦，能够防止电介质板（28）的破损和颗粒的产生。

公开(公告)号：CN102181819A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110075945.6

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: C23C8/36 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体氮化处理方法。在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN102090153A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980103949.1

申请日：2009-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田欣也 ,  田才忠 ,  小林浩 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  前川浩治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，其中，对用于形成等离子体的微波进行放射的平面天线(31)，在其表面以同心状被分为中央区域(31a)、外周区域(31c)、中央区域和外周区域的中间区域(31b)的情况下，朝向各异的微波放射孔(32)的对以同心圆状在中央区域(31a)以及所述外周区域(31c)配列多个，在中间区域(31b)上不形成微波放射孔，微波透过板(28)在其微波放射面上形成有凹部(28a)。

公开(公告)号：CN101044626A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580036152.6

申请日：2005-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西田辰夫 ,  石塚修一 ,  藤野丰 ,  中西敏雄 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/08 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/10873

Abstract: 在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。