公开(公告)号：CN108231575A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711068815.3

申请日：2017-11-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  康松润

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/32136 ,  H01L43/10 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够抑制磁阻效应元件的磁特性的劣化的蚀刻方法。蚀刻方法包括如下工序：蚀刻包含磁隧道结的第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻包含钉扎层的第2多层膜而在腔室内生成包含烃气和稀有气体的第1气体的等离子体的工序；以及(iii)为了除去在生成第1气体的等离子体的工序中形成的含碳堆积物而在腔室内生成包含含有碳和氧的气体、氧气和稀有气体且不含氢的第2气体的等离子体的工序。

公开(公告)号：CN107533970A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680021741.5

申请日：2016-05-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  康松润 ,  霜田惠一 ,  大石哲也

IPC: H01L21/3065 ,  B08B7/00 ,  G11B5/84 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。

公开(公告)号：CN102789951A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210276306.0

申请日：2008-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥哲朗 ,  藤野丰 ,  户岛宏至 ,  久保敦史 ,  康松润 ,  P·芬泽克 ,  瀬川澄江

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。

公开(公告)号：CN102498546A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041115.5

申请日：2010-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 沢田郁夫 ,  康松润 ,  松隈正明 ,  河西繁 ,  森嶋雅人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明涉及成膜装置。在密封的处理容器(10)内使反应气体反应而在基板(S)上形成薄膜的成膜装置(1a)中，分隔壁(41)将基板(S)的上方空间在横向分割为等离子体生成空间(401)与排气空间(402)，并且从处理容器(10)的顶部向下方延伸，在其下端与基板S之间形成从等离子体生成空间(401)向排气空间(402)流动气体的缝隙。活化机构(42，43)使供给至等离子体生成空间(401)的第1反应气体活化而生成等离子体。第2反应气体供给部(411，412)向等离子体生成空间(401)的下部侧供给与第1反应气体的活性种反应而在基板上形成薄膜的第2输送气体，真空排气口(23)从比分隔壁(41)的下端高的位置对排气空间(402)进行排气。

公开(公告)号：CN102197464A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142180.4

申请日：2009-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 沢田郁夫 ,  康松润 ,  河西繁

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174

Abstract: 按照与用于载置基板的载置台对置的方式，将在下表面形成有多个气体喷出孔的气体喷淋头设置在处理容器的顶板上，并且通过介电体来构成该气体喷淋头周围的处理容器的顶板，在该介电体上设置线圈，按照基板上方的处理区域与包围该处理区域的周边区域中的电场成为同相位或者反相位的方式来调整供给到气体喷淋头以及线圈的高频的相位。

公开(公告)号：CN100501939C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580034009.3

申请日：2005-10-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  太田与洋 ,  康松润 ,  泽田郁夫

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。

公开(公告)号：CN1534732A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410030916.8

申请日：2004-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  本多稔 ,  康松润 ,  斋藤祐介

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  Y10S430/143

Abstract: 本发明提供一种电子束处理方法，它是使用电子束来处理形成在晶片表面上的SOD膜的方法，其中，经由甲烷气体将电子束照射在SOD膜上。在专利文献1、2中提出的固化方法的情况下，都可以利用电子束使有机材料膜的表面层部固化来改善机械强度，但会使有机材料膜的k值恶化，并且构成有机材料的甲基分解，导致湿洗净时的耐药品性降低。