公开(公告)号：CN101205605B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200610168334.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。

公开(公告)号：CN101084327A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200580043869.3

申请日：2005-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  五味淳 ,  若林哲

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。

公开(公告)号：CN101082125A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200610140313.2

申请日：2006-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/45517 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。

公开(公告)号：CN1278386C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN01816575.3

申请日：2001-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  田村登 ,  小岛康彦 ,  石坂忠大

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/466 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其包括：容器；设置在上述容器内、在载置被处理体的同时、可以加热上述被处理体的加热板；向上述加热板供给电力的供电器件；在隔着间隙载置上述加热板的同时、可以冷却上述加热板的冷却块；和用于向上述空隙导入热传导气体的气体导入路。

公开(公告)号：CN1703769A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03820662.5

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  石坂忠大 ,  小岛康彦 ,  大岛康弘 ,  重冈隆

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557

Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。

公开(公告)号：CN110010465B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811574685.5

申请日：2018-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 板谷刚司 ,  石坂忠大 ,  康达巴拉塔皮里 ,  尤凯鸿 ,  朴玩哉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种去除方法和处理方法。一种去除方法，其是选择性地去除在处理容器内的基板上形成的多个凹部内的多种金属氧化膜的方法，其中，该去除方法包括反复多次进行如下工序的内容：使所述多种金属氧化膜暴露于BCl3气体或导入BCl3气体而生成的等离子体的工序；使BCl3气体的导入停止而进行吹扫的工序；使所述多种金属氧化膜暴露于导入非活性气体而生成的等离子体的工序；以及使非活性气体的导入停止而进行吹扫的工序，在使所述多种金属氧化膜暴露于所述等离子体的工序中，使所述多种金属氧化膜暴露于由单一气体生成的至少1个的不同的等离子体。

公开(公告)号：CN111417742B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201880074074.6

申请日：2018-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤里敏章 ,  石坂忠大 ,  望月隆 ,  鸟屋大辅

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。

公开(公告)号：CN108074976B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201711112450.X

申请日：2017-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。

公开(公告)号：CN106952894B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201611191916.5

申请日：2016-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。

公开(公告)号：CN110473782A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910309894.5

申请日：2019-04-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂本雅人 ,  石坂忠大 ,  板谷刚司

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供能够提高异种氧化膜间的蚀刻选择比的技术。本发明的蚀刻方法具备吸附工序和蚀刻工序。在吸附工序中，将包含BCl3气体的处理气体和H2气供给至配置有作为蚀刻对象的被处理体的处理空间，在停止H2气的供给的同时，对处理空间施加规定频率的电力，从而在处理空间产生等离子体，使被处理体吸附基于处理气体的吸附物。在蚀刻工序中，在处理空间产生惰性气体的等离子体而将吸附物活化，从而对被处理体进行蚀刻。