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公开(公告)号：CN103081074B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201180041727.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/2041 , H01J37/32192 , H01L21/0212 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0276 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31122
Abstract: 在作为被处理基板的硅基板上，形成碳氟化合物层(A)。在所形成的碳氟化合物层上形成抗蚀层(B)。然后，对抗蚀层进行利用光致抗蚀剂的曝光，以规定的形状进行图案化(C)。将以规定的形状进行了图案化的抗蚀层作为掩模，进行碳氟化合物层的蚀刻(D)。接着，去除作为掩模的抗蚀层(E)。然后，将所残留的碳氟化合物层作为掩模，进行硅基板的蚀刻(F)。由于仅碳氟化合物层一层就具备作为防反射膜和硬掩模的功能，因此可以提高处理的可靠性并且可以廉价地进行。
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公开(公告)号：CN102403183A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110287142.7
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32706 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/76897 , H01L29/6653 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。
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公开(公告)号：CN101390199B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780006276.9
申请日：2007-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/26
CPC classification number: C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L21/3146
Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置基板的工序；向所述处理容器内供给含有碳、氢和氧的处理气体的工序；通过加热所述处理容器内的基板来分解所述处理气体，并在该基板上堆积无定形碳膜的工序。
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公开(公告)号：CN101533762B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910127011.5
申请日：2009-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F16K3/00
CPC classification number: H01L21/67126 , Y10S251/90 , Y10S414/135
Abstract: 本发明提供一种闸阀和半导体制造装置，该闸阀能防止因密封构件的老化所导致的密封性的降低和颗粒的产生，能保持半导体制造装置的运转率。该闸阀(20)设在半导体制造装置的进行工艺处理的处理单元(10)和输送被实施工艺处理的晶圆的输送室(8)之间，其包括：处理单元(10)侧的闸阀(20a)、设置在处理单元(10)侧闸阀(20a)中的O型密封圈(34a)、输送室(8)侧的闸阀(20b)、设置在输送室(8)侧闸阀(20b)中的O型密封圈(34b)、以及位于处理单元(10)侧闸阀(20a)和输送室(8)侧闸阀(20b)之间的隔热件(30)。
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公开(公告)号：CN101533762A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127011.5
申请日：2009-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F16K3/00
CPC classification number: H01L21/67126 , Y10S251/90 , Y10S414/135
Abstract: 本发明提供一种闸阀和半导体制造装置，该闸阀能防止因密封构件的老化所导致的密封性的降低和颗粒的产生，能保持半导体制造装置的运转率。该闸阀(20)设在半导体制造装置的进行工艺处理的处理单元(10)和输送被实施工艺处理的晶圆的输送室(8)之间，其包括：处理单元(10)侧的闸阀(20a)、设置在处理单元(10)侧闸阀(20a)中的O型密封圈(34a)、输送室(8)侧的闸阀(20b)、设置在输送室(8)侧闸阀(20b)中的O型密封圈(34b)、以及位于处理单元(10)侧闸阀(20a)和输送室(8)侧闸阀(20b)之间的隔热件(30)。
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公开(公告)号：CN100508689C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN03813083.1
申请日：2003-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 一种等离子体处理装置，它具有：在内部进行等离子体处理用的腔室(1)；由塞住所述腔室(1)的上侧的电介质构成的顶板(15)；和作为通过所述顶板(15)将高频供给所述腔室(1)内的高频供给部件的天线部(3)；在顶板(15)内部具有反射部件(23a、23b)。反射部件(23a、23b)的侧壁起作为反射在顶板(15)内沿径向传播的高频的波反射部件的作用。或者，没有反射部件，则用顶板(15)的凹部的侧壁作为波反射部件也可以。
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公开(公告)号：CN101416284A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012546.7
申请日：2007-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , B01J4/00 , B01J19/08 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/52
CPC classification number: F17D1/04 , C23C16/45502 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J2237/1825 , Y10T137/0368
Abstract: 本发明提供一种处理装置及处理方法，该处理装置(40)具有：在内部设有用于载置被处理体的载置台的处理容器(42)、具有用于排出处理容器(42)内的气体介质的真空泵(70、72)与压力控制阀(68)的排气系统(64)、具有设于处理容器(42)内的气体喷射孔(102)的气体喷射部件(98)，向气体喷射部件(98)供给处理气体的气体供给部件(100)。由控制部件(114)控制整个装置(40)。控制部件(114)控制排气系统(64)和气体供给部件(100)，在开始规定的处理时，由排气系统(64)排出处理容器(42)内的气体介质，并且在短时间供给比规定流量大的流量的处理气体，然后，供给规定流量的处理气体。
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公开(公告)号：CN101405843A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009667.6
申请日：2007-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10T428/24612 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种薄膜形成方法，其特征在于，该方法包括如下工序：在被处理体的表面上通过溅射形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜的工序；在形成于被处理体的表面上的防充电损伤膜的表面上通过溅射形成所期望的薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN101390199A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006276.9
申请日：2007-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/26
CPC classification number: C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L21/3146
Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置基板的工序；向所述处理容器内供给含有碳、氢和氧的处理气体的工序；通过加热所述处理容器内的基板来分解所述处理气体，并在该基板上堆积无定形碳膜的工序。
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公开(公告)号：CN100390955C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480000457.7
申请日：2004-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 野泽俊久
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6833 , Y10T279/23
Abstract: 本发明涉及一种基板保持机构，其具备：具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面既定区域的方式连续形成、并具有比所述表面高的高度的上面；在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；具有侧面，在设置在所述静电吸附板上的同时其一部分与所述上面相对的、保护所述静电吸附板的第一保护部件；至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；至少以使所述粘结剂层隐藏的方式覆盖所述外周面及所述侧面的第二保护部件。
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