密合膜形成用组成物、图案形成方法、及密合膜的形成方法

    公开(公告)号:CN117590692A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311035093.7

    申请日:2023-08-17

    摘要: 本发明涉及密合膜形成用组成物、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题为提供密合膜形成用组成物、使用该组成物的图案形成方法、及密合膜的形成方法,该密合膜形成用组成物提供于半导体装置制造步骤中微细图案化处理中,得到良好的图案形状,同时具有与抗蚀剂上层膜高的密合性且抑制微细图案的崩塌的密合膜。解决该课题的手段为一种密合膜形成用组成物,其用于形成抗蚀剂上层膜的正下的密合膜,其特征在于包含:(A)含有下列通式(1)表示的重复单元、及下列通式(2)表示的重复单元的高分子化合物,以及(B)有机溶剂。

    抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及抗蚀剂下层膜材料用化合物

    公开(公告)号:CN107589633A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201710546915.6

    申请日:2017-07-06

    摘要: 本发明提供可通过高能量射线照射而固化,在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法,其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂,[化学式1] 式中W为碳原子数2~50的n价有机基团;X为通式(1X)所示的1价有机基团;n为1~10的整数,[化学式2]式中虚线表示结合键;R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基;Y为单键或羰基;Z为碳原子数1~30的1价有机基团。

    光阻图案形成方法
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102520581B

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201110442517.2

    申请日:2009-07-10

    摘要: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物,其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物,但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此,可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法,该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中,可赋予高解像性,同时在基板界面也能赋予良好图案形状。

    图案形成方法
    29.
    发明公开
    图案形成方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN117590684A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311025664.9

    申请日:2023-08-15

    摘要: 本发明涉及图案形成方法,其在半导体装置制造步骤中的微细图案化处理中可以获得良好的图案形状,使用了与抗蚀剂上层膜具有高密合性并防止微细图案崩塌的密合膜。所述方法使用含有(A)高分子化合物、(B)热酸产生剂及(C)有机溶剂的密合膜形成用组成物并具有下列步骤:(I‑1)于被加工基板上涂布前述密合膜形成用组成物后,利用热处理以形成密合膜,(I‑2)在前述密合膜上使用抗蚀剂上层膜形成用组成物形成抗蚀剂上层膜,(I‑3)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后,以显影液显影,而在前述抗蚀剂上层膜上形成电路图案,(I‑4)将前述已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜,以干蚀刻将图案转印在前述密合膜和前述被加工基板。