公开(公告)号：CN115308558B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211039166.5

申请日：2022-08-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  张东嵘 ,  鹿祥宾 ,  付振 ,  刘芳

IPC分类号： G01R31/26 ,  G06F18/214 ,  G06F18/241 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/045

摘要： 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。

公开(公告)号：CN114818393B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210740098.9

申请日：2022-06-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  鹿祥宾 ,  张东嵘 ,  付振 ,  刘芳 ,  闫振华 ,  张庆平 ,  夏绪卫

IPC分类号： G06F30/20 ,  G01R31/26 ,  G06F119/04

摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。

公开(公告)号：CN115939197A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310061014.3

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN115881778A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202310056870.X

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN115062730B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210944464.2

申请日：2022-08-08

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 王于波 ,  赵东艳 ,  翟振 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  张东

IPC分类号： G06F18/24 ,  G06F18/214 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0442 ,  G06V10/764 ,  G01R31/58 ,  G01R31/54

摘要： 本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。

公开(公告)号：CN115224113B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211124222.5

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊 ,  杨毓龙

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。

公开(公告)号：CN113866690B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202111453598.6

申请日：2021-12-01

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学青岛研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  朱大鹏 ,  周敏 ,  周芝梅 ,  王立城 ,  赵巍胜 ,  曲俊达 ,  夏清涛 ,  关心

IPC分类号： G01R33/09 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。

公开(公告)号：CN115020478B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210944506.2

申请日：2022-08-08

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底，衬底由具有第一导电类型的碳化硅材料制成；第一外延层，由具有第一导电类型的碳化硅材料制成，为顶部具有条形梳齿的梳状结构；第二外延层，由具有第一导电类型的硅材料制成，形成于第一外延层上并填充梳齿之间的空隙；具有第二导电类型的漂移区，形成于第二外延层内；具有第一导电类型的体区，形成于第二外延层内漂移区两侧；源极形成于体区内，漏极形成于漂移区内，场板形成于漂移区表面，栅极形成于漂移区和体区表面并覆盖部分场板。通过本发明提供的晶体管能够提高击穿电压，降低器件的温度，提高器件的性能和可靠性，降低制造成本。

公开(公告)号：CN114720923A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210532932.5

申请日：2022-05-17

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安交通大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  付振 ,  胡忠强 ,  王帅鹏 ,  钟明琛 ,  杜剑 ,  李阳

IPC分类号： G01R33/09 ,  G01R33/00

摘要： 本申请涉及磁传感器领域，提供一种镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法。所述镂空立方体封装的三维磁传感器，包括：镂空立方体构件和三个磁阻单元，三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面，三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部电气互联。本申请充分利用垂直空间实现高密度的三维磁传感器集成，体积小，功耗低。本申请借助镂空立方体构件的固定作用，其相邻平面的磁阻单元的角度相互垂直，形状稳定性好，灵敏度高，可实现优良的三维磁传感能力。

公开(公告)号：CN114361243B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210275705.9

申请日：2022-03-21

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例提供一种全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。该全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括栅氧化介质层，其中，所述栅氧化介质层位于所述栅极区和所述N型漂移区之间，其中，所述漏极区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源极区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区。该LDMOSFET结构有可调长度的漏极轻掺杂区和源极轻掺杂区，并基于漏极轻掺杂区、源极轻掺杂区和栅氧化介质层实现漏极区和栅极区的全隔离，有效提高LDMOSFET开态击穿电压。