-
公开(公告)号:CN115524932A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202210260035.3
申请日:2022-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种半导体制造系统及在其制造系统中产生极紫外辐射的方法,在一种在半导体制造系统中产生极紫外(EUV)辐射的方法中,气体的一个或多个流被引导通过安装在EUV辐射源的收集器镜的边缘上方的一个或多个气体出口,以在收集器镜的表面上方产生气体的流动。气体的一个或多个流的一个或多个流速被调整以减少沉积在收集器镜的表面上的金属碎屑的量。
-
公开(公告)号:CN115524928A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202210094388.0
申请日:2022-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于极紫外微影术的装置及其操作方法与极紫外微影方法,在微影装置的直接焦点附近提供超音波气体喷射头,以便使由微影制程产生的锡碎屑远离扫描仪侧且朝向碎屑收集器件偏转。气体喷射头可以定位在各种有用的定向上,具有可调的气流速度及气体密度,以便防止多至近100%的锡碎屑迁移至扫描仪侧上的倍缩光罩。
-
公开(公告)号:CN115494701A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202210292606.1
申请日:2022-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种半导体制程工具的操作方法及其辐射源。本文中所描述的一些实施方式提供了用于极紫外(EUV)辐射源的技术及设备,该极紫外辐射源包含防后溅系统,以减少、最小化及/或防止在收集器流动环的隧道结构中形成可能会以其他方式由锡(Sn)卫星的累积引起的Sn堆积。这种情况减少了Sn至EUV辐射源的收集器上的后溅,增加了收集器的操作寿命(例如通过增加收集器的清洗及/或更换之间的持续时间),减少了EUV辐射源的停机时间,且/或使得EUV辐射源的效能能够维持较长的持续时间(例如通过减小、最小化及/或防止收集器的Sn污染率)以及其他范例。
-
-
公开(公告)号:CN115047718A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202210203606.X
申请日:2022-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外辐射源与半导体制程方法,本文中的一些实施包括侦测电路及快速且准确的联线方法,用于侦测极紫外曝光工具的液滴产生器头上的阻塞,而不影响经由液滴产生器头的靶材液滴的流动。在本文描述的一些实施中,侦测电路包括以开路组态组态的开关电路,其中开关在两个电极元件之间电断开。当靶材在液滴产生器头上的两个或两个以上电极元件之间发生聚积时,该聚积用作将侦测电路闭路的开关。控制器可侦测侦测电路的闭路。
-
公开(公告)号:CN114911137A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202110690854.7
申请日:2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外微影系统及其操作的方法,操作极紫外微影系统的方法使用激光照射液滴而产生极紫外光。极紫外微影系统包括具有喷嘴的液滴产生器以及耦合至喷嘴的压电结构。液滴产生器输出液滴组。控制系统施加电压波形至压电结构,同时喷嘴输出液滴组。此电压波形使液滴组的液滴具有速度分布,导致液滴组的液滴在被激光照射之前聚结成一个液滴。
-
公开(公告)号:CN114764216A
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202210040022.5
申请日:2022-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种光刻系统和方法。光刻系统利用锡滴产生用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体,并发出极强的紫外线辐射。传感器阵列可感测到极端的紫外线辐射和液滴散发出来的带电粒子。控制系统分析来自传感器的传感器信号,并响应于传感器信号调整等离子体产生参数。
-
公开(公告)号:CN111123657B
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN201910973178.7
申请日:2019-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的设备及方法。根据本发明的一些实施例,一种电磁辐射产生设备包含收集器、气体供应器及气体管道。收集器具有经配置以反射电磁辐射的反射表面。收集器包含底部部分、外围部分及介于底部部分与周边部分之间的中间部分。收集器的中间部分包含多个开口。气体供应器经配置以提供缓冲气体。气体管道与气体供应器及收集器连通,且经配置以使缓冲气体吹扫穿过中间部分的开口,以在收集器的反射表面附近形成气体保护层。中间部分的开口包含:多个孔,所述孔布置成包含多个孔行的阵列;或多个同心间隙。
-
公开(公告)号:CN113594073A
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN202110851441.2
申请日:2021-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 一种微影系统及形成半导体装置的方法,方法包括在晶圆台上的晶圆载物台上方传送晶圆。晶圆台包括台主体、晶圆载物台、第一滑动部件、第二滑动部件、第一缆线、第一托架及第二托架,以及挡止器。第二滑动部件为沿着第一方向可移动的,其中第一滑动部件耦接至第二滑动部件的轨道,第一滑动部件为沿着垂直于第一方向的第二方向可移动的。第一托架及第二托架通过板弹簧连接。方法包括朝向台主体的边缘移动晶圆载物台,使得晶圆载物台向外推动第一缆线,使得板弹簧朝向挡止器的面向板弹簧的表面上的第一保护膜移动。
-
公开(公告)号:CN103377963B
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201310105572.1
申请日:2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01B11/00 , G03F7/70633
Abstract: 本发明涉及用于叠加度量的工具所致移位减少量的确定,其中,一个实施例涉及一种用于半导体工件加工的方法。在这一方法中,通过对第一半导体工件执行基线数目的工具所致移位(TIS)测量来确定基线TIS。在已经确定迹线TIS之后,该方法基于对第一后续半导体工件取得的后续数目的TIS测量确定后续TIS。TIS测量的后续数目少于TIS测量的基线数目。
-
-
-
-
-
-
-
-
-