公开(公告)号：CN106711056B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201610683307.5

申请日：2016-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄国胜 ,  周友华

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明揭露一种评估加工件特性的方法、加工件及形成光感层的方法。评估离子植布加工件特性的方法包含：在基材上形成一光感层，以形成一加工件，该光感层包含一光感材料。接着，在该加工件上进行离子植布。对该加工件进行辐射。计算该加工件的一光学强度。离子植布图案由光学强度结果评估。光感材料的一化学结构在离子植布时改变。加工件透过恢复光感材料的化学结构或是通过化学物质移除离子干扰的光感材料。可加快分析离子植布的时程，且容易观察，加工件还可回收再利用。

公开(公告)号：CN105023908B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201410503373.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华 ,  许嘉麟

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了示例性接触插塞，其包括双层结构和位于双层结构的侧壁和底面上的扩散阻挡层。该双层结构包括导电核芯和位于导电核芯的侧壁和底面上的导电衬垫。在示例性接触插塞中，导电衬垫包括钴或钌。本发明还提供了复合接触插塞结构的制造方法。

公开(公告)号：CN108735623A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710585519.4

申请日：2017-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  洪敏皓 ,  陈冠中

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/683 ,  H01L2221/67 ,  H01L2221/683

Abstract: 一种用以处理晶圆的装置，包含：处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。

公开(公告)号：CN103846770B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201310182347.8

申请日：2013-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士琦 ,  吴坤泰 ,  周友华 ,  李志聪 ,  洪敏皓 ,  吴志仁 ,  黄振铭 ,  黃循康 ,  詹金祥 ,  杨智渊

IPC: B24B29/02

CPC classification number: B24B37/20 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67703 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于抛光半导体晶圆的抛光系统包括用于保持半导体晶圆的晶圆支撑件以及用于抛光半导体晶圆的区域的第一抛光垫。半导体晶圆具有第一直径，而第一抛光垫具有短于第一直径的第二直径。本发明还提供了抛光方法。

公开(公告)号：CN103311149B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201210576926.6

申请日：2012-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 连明惠 ,  陈嘉和 ,  吴淑芬 ,  李志聪 ,  周友华

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/67126

Abstract: 用于半导体制造工具的阀净化组件。本发明提供了一种半导体制造工具和操作该工具的方法。半导体制造工具包括在其中实施等离子体操作或离子蚀刻操作的处理室和用于打开和关闭阀的阀组件，所述阀用于在半导体制造工具内外装载和卸载衬底。在室中实施处理操作的同时，还进行阀组件净化操作。阀组件净化操作包括将惰性气体引导到阀组件区域以防止颗粒和污染膜在阀组件中形成。因为阀组件保持清洁状态，所以减少或消除了颗粒污染。

公开(公告)号：CN106981443A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610999113.6

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  简正忠 ,  黄志伟 ,  庄国胜

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67775 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67196

Abstract: 本发明涉及一种半导体加工站，包括平台及装载端口，其中平台包含进气/出气端口及多个处理模块。装载端口包含装载室、可移动盖板及载具传送模块。装载室与进气/出气端口连通且在其顶端处具有用于接收装载室内的运输载具的装载开口。可移动盖板安置于装载开口处且经配置以密封装载开口。载具传送模块经配置以将运输载具传送到进气/出气端口。本申请在衬底处理期间以较小的成本对污染进行更紧密地控制。

公开(公告)号：CN106711056A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610683307.5

申请日：2016-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄国胜 ,  周友华

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明揭露一种评估加工件特性的方法、加工件及形成光感层的方法。评估离子植布加工件特性的方法包含：在基材上形成一光感层，以形成一加工件，该光感层包含一光感材料。接着，在该加工件上进行离子植布。对该加工件进行辐射。计算该加工件的一光学强度。离子植布图案由光学强度结果评估。光感材料的一化学结构在离子植布时改变。加工件透过恢复光感材料的化学结构或是通过化学物质移除离子干扰的光感材料。可加快分析离子植布的时程，且容易观察，加工件还可回收再利用。

公开(公告)号：CN103633140B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210540747.7

申请日：2012-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪敏皓 ,  周友华 ,  李志聪 ,  张简旭珂 ,  廖茂成 ,  葛翔翔 ,  黄振铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅层上的栅极结构，其中栅极结构限定沟道。本发明还公开一种两步式浅沟槽隔离(STI)工艺。

公开(公告)号：CN103382551B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210292464.5

申请日：2012-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  李志聪 ,  吴淑芬 ,  林进祥

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明公开了一种用于在半导体衬底上形成薄膜的装置和方法。在一个实施例中的装置包括：工艺室，被配置成用于支撑衬底；气体激励电源；以及第一分配喷头和第二气体分配喷头，与包含膜前体的反应工艺气体供给部流体连通。喷头将气体散布到衬底上方的两个不同区域中，该激发以在晶圆上方生成内部等离子体场和外部等离子体场。装置以促进越过衬底具有基本均匀厚度的膜的形成方式在衬底上沉积材料。在一个实施例中，衬底是晶圆。多种实施例包括连接至第一喷头和第二喷头以改变每个区域中的功率电平和等离子体密度的第一独立可控电源和第二独立可控电源。本发明还提供了半导体膜形成装置和工艺。

公开(公告)号：CN103137533B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210204063.X

申请日：2012-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高宗恩 ,  周友华 ,  李志聪 ,  郭铭修

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  B25J11/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/67742

Abstract: 一种工件传送系统具有多个连接器，每个连接器具有轴承和主变压器线圈和副变压器线圈，其中提供给每个连接器的主和副变压器线圈之一的电力在各自连接器的主变压器线圈和副变压器线圈之间产生互感，这样提供了通过每个连接器的无接触电力。至少第一对臂通过第一对连接器分别可旋转地连接至刀片状件，第一对连接器的每一个的主变压器线圈可操作地连接至相应的第一对臂，第一对连接器的每一个的副变压器线圈可操作连接至刀片状件及其电介质工件保持表面下的电极。因此，通过连接器的主变压器线圈和副变压器线圈给电极无接触供电，并且刀片状件可通过反转电流方向以及调整控制吸持力的电压来吸持和去吸持工件。本发明还公开了静电吸持机器人系统。