公开(公告)号：CN103781215A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310487747.X

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 波多野薰 ,  千田尚之 ,  二星学 ,  菊池克浩 ,  川户伸一 ,  越智贵志 ,  塚本优人 ,  小坂知裕 ,  大崎智文

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/525

Abstract: 本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。

公开(公告)号：CN101609827B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200910150549.8

申请日：2009-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰 ,  千田章裕 ,  永田贵章 ,  坂仓真之

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/14 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07747 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4644 ,  H05K2203/1163 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/00

Abstract: 发明的目的在于提供一种无需在纤维体中打贯穿孔而可以在预浸料的内部形成导电区域的方法。发明提供一种布线衬底包括：有机树脂层和纤维体，其中所述纤维体浸渗有所述有机树脂层，以及浸渗在所述纤维体中的通过溶解所述有机树脂层而形成的布线，其中所述布线露出在所述有机树脂层的两个表面并以所述纤维体位于所述布线中的方式穿过所述纤维体。发明还提供一种半导体装置，其中以使凸块接触于所述布线的方式，将具有所述凸块的集成电路芯片贴合到所述布线衬底。

公开(公告)号：CN102738409A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210109868.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰

IPC: H01L51/52 ,  H01L33/36 ,  F21S2/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L27/3211 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明涉及发光装置及照明装置，其中具有多个呈现不同波长的光的发光元件，通过采用从各发光元件仅射出所希望的波长的光的元件结构，从而提供具备色纯度高的发光元件的发光装置及照明装置。在射出不同波长的光中波长最长的光(λR)的发光元件中，将反射电极与包括在EL层中的发光层(发光区域)之间的光程长度设定为λR/4，并且将反射电极与半透射半反射电极之间的光程长度设定为λR/2。

公开(公告)号：CN102403333A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110288831.X

申请日：2011-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  波多野薰

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供一种制造发光显示设备的方法，其中用于电连接像素电极和晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成沟道形成区的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101847601A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010159502.0

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰 ,  永田贵章 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/782 ,  H01L21/77 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3246 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

Abstract: 一种发光装置的制造方法，包括：在衬底上形成分离层；在所述分离层上形成半导体电路元件层和第一电极；形成重叠于第一电极的端部的隔断墙；在第一电极上形成有机物层；有机物层的发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，并且沿第一方向延伸；在有机物层上形成第二电极，该第二电极接触于隔断墙并使用与隔断墙的紧贴性强的材料而形成；以及在垂直于第一方向的第二方向上通过分离层从衬底分离包含半导体电路元件层、第一电极、隔断墙、有机物层和第二电极的叠层结构。

公开(公告)号：CN107256928B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201710506841.3

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 千田章裕 ,  波多野薰 ,  青山智哉 ,  小松立 ,  片庭正敏

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种发光装置，其包括：衬底；位于所述衬底上的电极端子；位于所述衬底上的发光元件，所述发光元件包括：电连接至所述电极端子的第一电极层；位于所述第一电极层和所述电极端子上的包含有机化合物的层；以及位于所述包含有机化合物的层上的第二电极层；以及与所述第二电极层重叠的树脂层，其中，所述包含有机化合物的层具有不与所述电极端子的表面重叠的第一区域，所述树脂层不与所述第一区域重叠，并且所述包含有机化合物的层具有与所述电极端子接触的第二区域。由此，孔的底部或周边不受由热而导致的损伤而在有机膜中穿具有所希望的深度的孔来使电极端子露出，并且不损伤电极端子而使被有机膜等覆盖的电极端子露出。

公开(公告)号：CN102402082B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110283656.5

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  波多野薰

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种制造液晶显示设备的方法，其中用于电连接像素电极与晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成有沟道形成区的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN106200084A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610885338.9

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  波多野薰

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 液晶显示设备及其制造方法。本发明提供一种制造液晶显示设备的方法，其中用于电连接像素电极与晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成有沟道形成区的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102169964B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110030955.8

申请日：2011-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5278 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2251/5369

Abstract: 本发明涉及发光装置、柔性发光装置、电子设备、照明装置、以及发光装置和柔性发光装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供一种发光装置或柔性发光装置，其表面温度低，寿命长且可靠性高。另外，本发明的目的之一还在于提供一种该发光装置或柔性发光装置的简单制造方法。本发明所提供的发光装置或柔性发光装置包括：具有对于可见光的透光性的衬底；设置在衬底上的第一粘合剂层；位于第一粘合剂层上的绝缘层；具备形成在绝缘层上的第一电极、与第一电极相对的第二电极及设置在第一电极和第二电极之间的包含发光有机化合物的层的发光元件；形成在第二电极上的第二粘合剂层；设置在第二粘合剂层上的金属衬底；以及形成在金属衬底上的散热材料层。

公开(公告)号：CN102403333B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201110288831.X

申请日：2011-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  波多野薰

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供一种制造发光显示设备的方法，其中用于电连接像素电极和晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成沟道形成区的氧化物半导体层。