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公开(公告)号：CN111052397B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201880058156.1
申请日：2018-10-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。
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公开(公告)号：CN111748793B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010211775.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/448 , H05B3/02 , H05B3/12 , H05B3/18 , H05B3/40 , C23C8/34 , B01J27/22 , B01J27/224
Abstract: 本发明提供能够实现长寿命化的电热丝及其制造方法以及使用了电热丝的真空处理装置。本发明的一个方式所涉及的电热丝具有芯材和覆盖层。所述芯材在表面形成有钽的碳化物。所述覆盖层在表面形成有钽的硼化物和硼中的至少一者，覆盖所述芯材的表面。
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公开(公告)号：CN108149226B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201711278236.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/503 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。将成膜对象物设置为具有立体形状并且在成膜对象物的外表面凹陷地设置有沿着一个方向延伸的凹孔，在成膜对象物的至少凹孔的内表面形成高分子膜，所述成膜装置具有：向配置有成膜对象物的真空室内导入原料单体的原料单体导入单元；以及具有电极和交流电源且通过向电极施加交流电力而在真空室内使等离子体产生的等离子体产生单元；使由等离子体使原料单体分解并聚合而生成的离子以及自由基附着并堆积来形成高分子膜；所述电极由有底的筒状体构成，凹孔的孔轴设置为与有底筒状体的底壁正交的姿势，在使成膜对象物被底壁支撑而容纳在筒状体内的状态下使等离子体产生时，在等离子体与凹孔的内表面之间形成离子鞘层。
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公开(公告)号：CN102369602A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080015594.3
申请日：2010-04-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L21/6776 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造系统为在形成于基板上的透明导电膜上依次层压有p型半导体层、i型半导体层以及n型半导体层的光电转换装置的制造系统，包括：I层成膜反应室，至少包括沿着搬送所述基板的搬送方向依次配置的第一成膜部、第二成膜部以及第三成膜部，用于对所述i型半导体层进行成膜；以及多个门阀，分割所述第一成膜部、所述第二成膜部以及所述第三成膜部，使得在所述搬送方向上所述第二成膜部的长度大于所述第一成膜部以及所述第三成膜部的长度。
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公开(公告)号：CN102301487A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005941.4
申请日：2010-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/24 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272895A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004120.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32743 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。
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公开(公告)号：CN102272894A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004096.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置包括：基底部件(3)，具有第一基底面(33)、第二基底面(33a)、和基底台阶部(34)；绝缘板(35)，具有从所述第二基底面(33a)到载置于所述第一基底面(33)的基板(10)的上表面(10a)的高度以下的高度，并被配置在所述第二基底面(33a)上，由绝缘物质形成；簇射极板(5)，具有第一簇射面(5a)、第二簇射面(5b)、和簇射台阶部(42)；以及电极掩膜(43)，具有从所述第二簇射面(5b)到所述第一簇射面(5a)的高度以下的高度，以与所述绝缘板(35)对置的方式配置在所述第二簇射面(5b)上，由绝缘物质形成。
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公开(公告)号：CN102272893A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003989.1
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。
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公开(公告)号：CN100550426C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580000956.0
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。
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公开(公告)号：CN1943014A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011103.7
申请日：2005-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源6和该加热电源6的各端子6a、6b间向反应容器2内的催化体4通入恒电流的导线5a、5b与反应容器2为电绝缘的状态，在已排气的反应容器2内导入含有卤素元素的清洁气，通过从加热电源6通电加热催化体4，使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器2内的附着膜反应而除去附着膜，此时，从恒压电源8以适当的极性在加热电源6的导线5b上外加适当值的直流偏压。
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