公开(公告)号：CN109746823A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811306978.5

申请日：2018-11-05

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  佐佐木俊光

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种能够在不改变膜厚传感器的测定周期且不增大测定数据量的情况下提高膜厚测定的空间分辨率的研磨方法及研磨装置。研磨方法使配置于距研磨台(3)的中心(O)相同的距离处的第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)与研磨台(3)一起旋转，一边通过研磨头(1)将基板(W)按压于旋转的研磨台(3)上的研磨垫(2)而对该基板(W)的表面进行研磨，一边由第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)生成表示在基板(W)的表面上的、距基板(W)的中心的距离不同的测定点处的膜厚的信号值，基于第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)所生成的信号值，控制从研磨头(1)施加于基板(W)的研磨压力。

公开(公告)号：CN104275642A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410330519.6

申请日：2014-07-11

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  木下将毅

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01B11/0691

Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。

公开(公告)号：CN112936090B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202011422501.0

申请日：2020-12-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  盐川阳一 ,  佐佐木俊光 ,  渡边夕贵 ,  纳齐格塔·查汗

IPC: B24B37/10 ,  B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02 ,  H01L21/66 ,  G06F18/23 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/088 ,  G06V10/762

Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。

公开(公告)号：CN118254110A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311818669.7

申请日：2023-12-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 椛泽雅志 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  佐佐木俊光 ,  江川康兵

IPC: B24B49/00 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22 ,  B24B37/005

Abstract: 本发明提供一种更适当地控制修整器的移动速度的基板研磨装置、基板处理装置、修整器的移动方法及存储介质。基板研磨装置具备：修整器，该修整器在设定于研磨部件上的多个扫描区域中移动；以及移动速度计算部，该移动速度计算部基于评价指标来计算各扫描区域的修整器的移动速度，该评价指标包含与基于上一次制程的修整器的各扫描区域中的停留时间的偏差。

公开(公告)号：CN117337479A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202280015845.0

申请日：2022-05-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山木晓 ,  八木圭太 ,  纳齐格塔·查汗 ,  中村显

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明关于计算研磨率相对于在将使用于半导体元件的制造的晶片、基板、面板等的工件按压于研磨垫的压力变化的响应性的技术。在本方法中，通过模拟来计算表示研磨头(7)响应压力室内的单位压力的变化而变化的从工件施加于研磨垫(2)的按压压力的分布的按压压力响应性形貌图，在压力室内维持规定压力的状态下，将工件按压于研磨垫而研磨工件，制作表示研磨后的工件的研磨率的分布的研磨率形貌图，并基于按压压力响应性形貌图、规定压力及研磨率形貌图来制作研磨率响应性形貌图。

公开(公告)号：CN109702560B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201811234579.2

申请日：2018-10-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  渡边夕贵 ,  佐佐木俊光

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种能够获取膜厚的测定点的实际位置，并且能够将最佳的研磨压力施加到晶片等基板的研磨装置和研磨方法。在基板(W)的研磨过程中，基板检测传感器(8)以及膜厚传感器(7)一边横穿基板(W)的表面，一边基板检测传感器(8)以预先设定的周期生成基板检测信号，且膜厚传感器(7)在规定的测定点生成膜厚信号，根据基板检测信号的数量，计算出基板(W)的中心相对于研磨头(1)的中心的偏心角，并且基于偏心角修正规定的测定点的位置，基于规定的测定点的修正后的位置和膜厚信号，对研磨头(1)按压基板(W)的研磨压力进行控制。

公开(公告)号：CN111584355B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010459673.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN111584354A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010459633.4

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 蚀刻方法。本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN111496668A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201911345425.5

申请日：2019-12-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  广尾康正

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B49/00 ,  B24B53/12 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明为研磨装置及研磨部件的修整方法，修整器能够在沿着摆动方向而设定于研磨部件上的多个扫描区域中调整摆动速度，具备以下步骤：在沿着修整器的摆动方向预先设定于研磨部件上的多个监控区域中测定研磨部件的表面高度；创建由监控区域、扫描区域和修整模型定义的修整模型矩阵；使用修整模型和各扫描区域中的摆动速度或停留时间来计算高度轮廓预测值；根据与研磨部件的高度轮廓的目标值的差值来设定评价指标；以及根据评价指标来设定修整器的各扫描区域中的摆动速度，使用于确定高度轮廓的目标值或评价指标的参数中的至少一方自动地变化。

公开(公告)号：CN104889879B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510095290.7

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  八木圭太

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B49/12

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/005 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够与工艺特性的变化无关地实现良好的残存膜厚分布控制的研磨装置以及研磨方法。研磨装置具备支持研磨垫(2)用的研磨台(3)、对基板的背面的多个区域分别施加压力，将基板的表面按压在研磨垫(2)上的顶环(1)、取得膜厚信号的膜厚传感器(7)、以及对压力进行操纵的研磨控制部(9)。研磨控制部(9)在基板的研磨过程中计算出基板表面的多个区域内的残存膜厚的指数，为了根据指数对残存膜厚分布进行控制，对压力进行操纵，利用在基板研磨过程中得到的研磨数据对控制参数中的至少一个进行更新。