公开(公告)号：CN111584355A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010459673.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN102179757B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201010621521.0

申请日：2010-12-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 曾根忠一 ,  本岛靖之 ,  丸山彻 ,  大野胜俊 ,  盐川阳一

IPC: B24B29/00 ,  B24B39/00 ,  B24B49/14 ,  B24B55/03 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B55/02

Abstract: 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。

公开(公告)号：CN104275642A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410330519.6

申请日：2014-07-11

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  木下将毅

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01B11/0691

Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。

公开(公告)号：CN103706499A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310461090.X

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 前田幸次 ,  下元博 ,  中野央二郎 ,  今井正芳 ,  盐川阳一

IPC: B05B7/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67023

Abstract: 一种基板清洗装置，具有：保持基板(W)并使其旋转的基板保持部(1)；将药液供给到基板(W)上的药液喷嘴(11)；将双流体喷流供给到基板(W)上的双流体喷嘴(12)；以及使药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)一体地从基板(W)的中心部向周缘部移动的移动机构(15,21,22)，药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)隔开规定距离而相邻，关于药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)的移动方向，药液喷嘴(11)位于双流体喷嘴(12)的前方。采用本发明，可高效地清洗晶片等基板。

公开(公告)号：CN112936090B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202011422501.0

申请日：2020-12-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  盐川阳一 ,  佐佐木俊光 ,  渡边夕贵 ,  纳齐格塔·查汗

IPC: B24B37/10 ,  B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02 ,  H01L21/66 ,  G06F18/23 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/088 ,  G06V10/762

Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。

公开(公告)号：CN118254110A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311818669.7

申请日：2023-12-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 椛泽雅志 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  佐佐木俊光 ,  江川康兵

IPC: B24B49/00 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22 ,  B24B37/005

Abstract: 本发明提供一种更适当地控制修整器的移动速度的基板研磨装置、基板处理装置、修整器的移动方法及存储介质。基板研磨装置具备：修整器，该修整器在设定于研磨部件上的多个扫描区域中移动；以及移动速度计算部，该移动速度计算部基于评价指标来计算各扫描区域的修整器的移动速度，该评价指标包含与基于上一次制程的修整器的各扫描区域中的停留时间的偏差。

公开(公告)号：CN114434314A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210133260.0

申请日：2018-07-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文 ,  木下将毅 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  B24B49/12 ,  B24B49/04

Abstract: 提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。

公开(公告)号：CN114378713A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111158412.4

申请日：2021-09-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 木下将毅 ,  金马利文 ,  加藤良和 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明提供一种使纯水等流体在研磨垫的通孔流动时，能够排除流体的流动对光纤线缆的影响，从而达成高膜厚测定精度的光学式膜厚测定装置及研磨装置。光学式膜厚测定装置具备：与光源(44)连结的投光用光纤线缆(51)、接受来自工件(W)的反射光的受光用光纤线缆(52)、包围投光用光纤线缆(31)和受光用光纤线缆(32)的线缆外壳(55)、以及形成与投光用光纤线缆(31)和受光用光纤线缆(32)相邻的流体流路(57)的流路构造体(58)。投光用光纤线缆(31)和受光用光纤线缆(32)由线缆外壳(55)和流路构造体(58)中的至少一方支承。

公开(公告)号：CN109290940B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201810796740.9

申请日：2018-07-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文 ,  木下将毅 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。

公开(公告)号：CN111584355B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010459673.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。