公开(公告)号：CN102591147B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201110463331.5

申请日：2011-11-15

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： 吴俊锡 ,  D·王 ,  刘骢 ,  李明琦 ,  C·吴 ,  C-B·徐

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 用于光刻的包含糖组分的组合物及其制备方法。本发明涉及一种用于浸没式光刻的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种含有糖取代基的材料。本发明特别优选的光刻胶在浸没式光刻工艺中，能够降低抗蚀材料在抗蚀层与浸没液体接触时的浸出。提供一种处理光刻胶组合物的方法，所述方法包括：在基材上施加光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包括：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种含有糖取代基的材料，其中一种或多种材料与一种或多种树脂基本上是不互溶的，和(b)将光刻胶层在辐射中浸没曝光以活化光刻胶组合物。

公开(公告)号：CN103258720A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201210599256.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： C-B·徐

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/308

Abstract: 修整光刻胶图案的方法。方法包括：在光刻胶图案上涂覆光刻胶修整组合物，其中修整组合物包括基质聚合物、热酸产生剂和溶剂，修整组合物没有交联剂。加热被涂覆的半导体衬底以由热酸产生剂在修整组合物中产生酸，因此导致在光刻胶图案的表面区中的基质聚合物的极性的改变。光刻胶图案和显影液接触以去除光刻胶图案的表面区。该方法在半导体器件的制造中的非常好的光刻特征的形成中有特别的应用。

公开(公告)号：CN103186038A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210599257.4

申请日：2012-12-31

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： C-B·徐

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31138

Abstract: 修整光刻胶图案的方法。方法包括：在光刻胶图案上涂覆光刻胶修整复合物，其中修整复合物包含基质聚合物、具有氟取代基的自由酸和溶剂，修整复合物没有交联剂。加热被涂覆的半导体衬底以导致在光刻胶图案的表面区域中的抗蚀剂基质聚合物的极性的改变；采用显影溶液接触光刻胶图案以去除光刻胶图案的表面区域。方法在半导体器件的制造中形成非常精细的光刻特征中有特别的应用。

公开(公告)号：CN103183613A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210585565.1

申请日：2012-12-28

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： 刘聪 ,  李明琦 ,  C-B·徐

IPC: C07C69/54 ,  C07C67/14 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20

CPC classification number: C07C69/533 ,  C07C69/54 ,  C07C2601/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/027 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10T428/24802

Abstract: 具有式I结构的单体：式中，R1,R2和R3各自独立地是C1-30单价有机基团，R1,R2和R3各自独立地是未取代的，或包括卤素、腈、醚、酯、酮、醇，或者是包括至少一种上述官能团的组合；R4包括H,F,C1-4烷基，或C1-4氟代烷基；A是单键或二价连接基团，其中是A未取代的，或被取代而包括卤素、腈、醚、酯、酮、醇，或者包括至少一种上述官能团的组合；m和n各自独立地是1-8的整数；以及x是0至2n+2，y是0至2m+2。

公开(公告)号：CN103086934A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210520596.9

申请日：2012-09-28

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： E·阿恰达 ,  C-B·徐 ,  李明琦 ,  山田晋太郎 ,  W·威廉姆斯三世

IPC: C07C381/12 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07C309/06 ,  C07C311/09 ,  C07D493/18 ,  C07D313/10 ,  C07D327/04 ,  C07D497/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/30 ,  C07C309/65 ,  C07C311/09 ,  C07C2603/74 ,  C07D313/08 ,  C07D313/10 ,  C07D327/04 ,  C07D493/18 ,  C07D497/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 具有式(I)所示结构的光酸产生剂化合物：[A-(CHR1)p]k-(L)-(CH2)m-(C(R2)2)n-SO3-Z+ (I)，其中A是任选地包含O、S、N、F或包含上述至少一种的组合的取代或未取代的单环、多环或稠合多环的C5或者更大的脂环族基团，R1是H、单键、或取代或未取代的C1-30烷基，其中当R1是单键时，R1是以共价键的方式与A的一个碳原子键合，每个R2独立地是H、F、或C1-4氟烷基，其中至少一个R2不是氢，L是包括磺酸盐/酯基团、磺酰胺基团、或C1-30的含有磺酸盐/酯或磺酰胺基团的连接基团，Z是有机或无机阳离子，p是0到10的整数，k是1或2，m是0或更大的整数，n是1或更大的整数。本发明还公开了光酸产生剂的前体化合物、包含所述光酸产生剂的光刻胶组合物，和涂覆有所述光刻胶组合物的基材。

公开(公告)号：CN102603586A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110462531.9

申请日：2011-11-15

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： E·阿恰达 ,  李明琦 ,  C-B·徐 ,  D·王 ,  刘骢 ,  吴俊锡 ,  山田晋太郎

IPC: C07C381/12 ,  C08F220/32 ,  C08F220/38 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/00

CPC classification number: C07C381/12 ,  C07C63/72 ,  C07C303/32 ,  C07C309/04 ,  C07C309/06 ,  C07C309/08 ,  C07C309/12 ,  C07C309/17 ,  C07C309/19 ,  C07C309/20 ,  C07C309/23 ,  C07C309/24 ,  C07C2602/42 ,  C08F220/22 ,  C08F228/02 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38

Abstract: 碱反应性光酸发生剂以及包含其的光致抗蚀剂。本发明涉及新的光酸发生剂化合物和包含这些化合物的光致抗蚀剂组合物。尤其地，本发明涉及包括碱式断裂基团的光酸发生剂化合物。提供了一种式(I)或(II)的光酸发生剂化合物：(I)R5M+R6R7r-O3S-R1p-Xy-(R2ZwR3)x；(II)(Pg-R4-Z2)g1R5M+R6R7r3-O3S-R1p-Xy-(R2ZwR3)x1(R2Z1-R4Pg)g2。

公开(公告)号：CN102591147A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110463331.5

申请日：2011-11-15

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： 吴俊锡 ,  D·王 ,  刘骢 ,  李明琦 ,  C·吴 ,  C-B·徐

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 用于光刻的包含糖组分的组合物及其制备方法。本发明涉及一种用于浸没式光刻的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种含有糖取代基的材料。本发明特别优选的光刻胶在浸没式光刻工艺中，能够降低抗蚀材料在抗蚀层与浸没液体接触时的浸出。提供一种处理光刻胶组合物的方法，所述方法包括：在基材上施加光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包括：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种含有糖取代基的材料，其中一种或多种材料与一种或多种树脂基本上是不互溶的，和(b)将光刻胶层在辐射中浸没曝光以活化光刻胶组合物。

公开(公告)号：CN102591145A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110455160.1

申请日：2011-09-14

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： G·P·普罗科普维茨 ,  G·珀勒斯 ,  刘骢 ,  C·吴 ,  C-B·徐 ,  吴俊锡

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382

Abstract: 包含多酰胺组分的光刻胶。提供了包含两个或多个酰胺基团的组分的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶可包括具有光致酸不稳定基团的树脂；光致酸产生剂化合物；和多酰胺组份，其可用于减少在光刻胶涂层的非曝光区域中不需要的光生酸扩散。

公开(公告)号：CN104635424B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201410755864.4

申请日：2014-09-03

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： 山田晋太郎 ,  D·王 ,  S·王 ,  刘骢 ,  C-B·徐

IPC: G03F7/09

Abstract: 一种硬质掩模。本发明提供包含在金属聚合物骨架中具有发色基团的有机金属化合物的组合物，其提供较宽范围的n/k值以便可以在各种条件下控制基材的反射率。

公开(公告)号：CN103852973B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201310757277.4

申请日：2013-11-29

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： G·珀勒斯 ,  刘骢 ,  C-B·徐 ,  K·罗威尔 ,  I·考尔

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  C07C309/03 ,  C07C309/06 ,  C07D239/26 ,  C07D241/12 ,  C07D263/32 ,  C07D277/22 ,  C07D333/48 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明提供了种新的离子型热酸生成剂组合物。同样提供了光刻胶组合物、抗反射涂覆组合物,和化学修整外涂层组合物,和使用这些组合物的方法。