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公开(公告)号：CN103633061A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310334377.6
申请日：2013-08-02
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H01L23/50 , H01L27/142
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L2224/16225
摘要： 本文涉及一种具有整合型电力供应的装置，所揭露的是半导体装置及用于形成半导体装置的方法。半导体装置包含晶粒。晶粒包含具有第一与第二主表面的晶粒衬底。半导体装置包含置于晶粒衬底的第二主表面下方的电力模块。电力模块是透过硅穿孔接点电耦合于晶粒。
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公开(公告)号：CN101894795B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010182886.8
申请日：2010-05-19
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L27/0207 , H01L27/0805 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种具有多级电容器的集成电路系统及其制造方法。其中一种集成电路系统的制造方法，包括：提供包括前端工艺电路的基板；采用第一设计规则在所述基板上方形成包括第一指状结构和第二指状结构的第一组金属层，该第一组金属层未形成指状结构导通孔；采用第二设计规则在所述第一组金属层上方形成包括第一指状结构、第二指状结构和指状结构导通孔的第二组金属层，该第二设计规则大于所述第一设计规则；互连所述第一组金属层和第二组金属层，从而形成电容器。
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公开(公告)号：CN103456721A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310205629.5
申请日：2013-05-29
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
CPC分类号： H01L27/0292 , H01L2924/0002 , H02H9/046 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一种静电放电强度输入输出驱动电路。具体实施例包括：提供有第一源极、第一漏极及第一栅极的第一NMOS晶体管；使该第一源极耦合至接地导轨，以及该第一漏极耦合至输入/输出焊垫；提供栅极驱动控制电路，其包含有第二源极、第二漏极及第二栅极的第二NMOS晶体管；以及使该第二漏极耦合至该第一栅极，该第二源极耦合至该接地导轨，其中在出现于由该输入/输出焊垫至该接地导轨的ESD事件期间，该栅极驱动控制电路提供接地电位给该第一栅极。
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公开(公告)号：CN103456720A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310203757.6
申请日：2013-05-28
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
CPC分类号： H02H9/046 , H01L2924/0002 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一种用于具有多重电力领域的电路的静电放电保护设备。具体实施例包括：使第一电源箝制电路耦合至第一领域的第一电源导轨及第一接地导轨；使第二电源箝制电路耦合至第二领域的第二电源导轨及第二接地导轨；提供用以阻断来自静电放电事件的电流的阻断电路；在该第一领域中提供I/O接口连接用以传送来自该第一领域的讯号至该阻断电路；在该第二领域中提供核心接口连接用以传送来自该阻断电路的讯号至该第二领域；使该阻断电路的输入连接耦合至该I/O接口连接；以及使该阻断电路的输出连接耦合至核心接口连接。
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公开(公告)号：CN103427408A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310186668.5
申请日：2013-05-20
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H02H9/04
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/0262 , H01L2924/0002 , H02H9/046 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及用于高电压应用的静电放电保护，所述静电放电模块包含耦合于第一源极以及第二源极间的静电释放电路。触发电路也包含于该静电释放模块中，其可激活该静电释放电路以提供于该第一及第二源极间的低电阻电流路径。该触发电路包含位于该第一源极以及该静电释放电路间或该第二源极以及主要静电释放电路间的反向二极管。该触发电路可提供用于激活该静电释放电路的低触发电压。
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公开(公告)号：CN103378090A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310145781.9
申请日：2013-04-24
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0262 , H02H9/04
摘要： 本发明揭露一种用于程序化板的具有可调式保持电压的静电放电保护设备，实施例包含：设置硅控整流器(SCR)，该硅控整流器包含具有阴极接线的第一n型层、具有第一控制接线的第一p型层、具有第二控制接线的第二n型层、以及具有阳极接线的第二p型层；将该阳极接线耦接至电能轨；将该阴极接线耦接至地轨；设置可调式保持电压控制单元，该可调式保持电压控制单元包含具有第一栅极、第一漏极及第一源极的第一N型金氧半导体，其中，在静电放电事件期间，该第一N型金氧半导体被关闭且该硅控整流器的保持电压为低的；将该第一漏极耦接至该第一控制接线；将该第一源极耦接至该地轨；以及将该第一栅极耦接至程序电路。
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公开(公告)号：CN103378071A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310148124.X
申请日：2013-04-25
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/0262 , H01L2924/0002 , H02H9/046 , Y10T29/4913 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种用于静电放电电路的方法及装置，其实施例包含一种电路，其具有RC箝位电路，且该RC箝位电路包含具有第一源极、漏极与栅极的第一NMOS晶体管；包含有第一及第二PMOS晶体管的电流镜电路，且其中该些PMOS晶体管个别具有第二及第三源极、漏极与栅极；以及包含有第一P+接点的SCR电路。该第一源极耦合至接地轨，该第一漏极耦合至该第二漏极、第二栅极与第三栅极，该第二及第三源极耦合至电源轨，以及该第三漏极耦合至该第一P+接点，其中，该第一NMOS及PMOS晶体管于ESD事件期间导通以将第一电流放电至该接地轨，且该电流镜提供第二电流至该第一P+接点以导通该SCR。
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公开(公告)号：CN117080260A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310411333.2
申请日：2023-04-17
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/06 , H01L21/332 , H01L27/02
摘要： 本申请涉及用于静电放电保护的硅控整流器，提供硅控整流器的结构以及形成硅控整流器的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱及第二阱。该第一阱具有第一导电类型，且该第二阱具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。该结构还包括第一端子以及第二端子，该第一端子具有掺杂区且该掺杂区具有位于该第一阱中的部分，该第二端子包括具有位于该第一阱中的部分的第二掺杂区以及位于该第二阱中的第三掺杂区。该第一及第二掺杂区具有该第二导电类型，该第三掺杂区具有该第一导电类型，且该第二掺杂区沿横向方向设置于该第一掺杂区与该第三掺杂区间。
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公开(公告)号：CN110021701B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201811479247.0
申请日：2018-12-05
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H10N50/01 , H10N50/80 , H10B61/00 , H01L23/552
摘要： 本发明涉及STT‑MRAM覆晶磁屏蔽及其制造方法，提供数种在覆晶封装件内磁屏蔽垂直STT‑MRAM结构的所有六面的方法及所产生的装置。数个具体实施例包括：在晶圆的上表面及铝焊垫的外部上方形成钝化堆栈；在该钝化堆栈上方形成聚合物层；在该铝焊垫、该聚合物层的数个部分上方且沿着该聚合物层的侧壁形成UBM层；在该UBM层上方形成T形铜柱；在该T形铜柱上方形成μ‑凸块；将该晶圆切成多个晶粒；在各晶粒的底面上方形成环氧树脂层；在该环氧树脂层上方且沿着各晶粒、该环氧树脂层、该钝化堆栈及该聚合物层的侧壁形成磁屏蔽层；以及使该μ‑凸块连接至具有数个BGA球的封装衬底。
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公开(公告)号：CN109390370B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810652382.4
申请日：2018-06-22
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
摘要： 本发明涉及具有存储单元的集成电路及其产生方法，所提供的是集成电路及其产生方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括具有埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层的衬底。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层，并且存储单元下伏于该埋置型绝缘体层。如此，该存储单元与该晶体管位在该埋置型绝缘体层的相反面上。
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