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公开(公告)号：CN107723681A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201611064724.8
申请日：2016-11-28
申请人： 汉民科技股份有限公司
发明人： 薛士雍
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45548 , C23C16/22 , C23C16/448 , C23C16/45563 , C23C16/45576 , C23C16/4584 , C23F1/12 , F28F13/003 , H01L21/02312 , H01L21/306 , H01L21/02104
摘要： 一种用于半导体工艺的气体喷射器及成膜装置，其中，该气体喷射器包含多个气体入口、多个气体流道及多个气体出口。该多个气体入口导入多种气体，并经由该多个气体流道输送至相应的气体出口。该多个气体流道中至少一个的一部分的截面积相对于该气体出口是逐渐改变。
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公开(公告)号：CN107527795A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710775211.6
申请日：2017-08-31
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/1157 , H01L27/11578
CPC分类号： H01L27/1157 , H01L21/02271 , H01L21/02299 , H01L21/02312 , H01L27/11578
摘要： 本发明实施例提供一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在采用六氟化钨的反应气体沉积钨栅线并进行回刻之后，进行所述氧化物的沉积。沉积方法包括：将形成有钨栅线的衬底置于惰性气体环境中进行退火处理；进行栅线缝隙氧化物的沉积。该方法通过对钨栅线进行退火，释放了钨薄膜中的氟和氟的化合物，避免后续沉积氧化物并高温处理时，释放的氟腐蚀氧化物层引起器件短路，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN106611696A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510686428.0
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/0223 , H01L21/02312 , H01L21/02315
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氮等离子体处理；3)高温下氩气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103031530A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210371168.4
申请日：2012-09-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
摘要： 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。
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公开(公告)号：CN102760661A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
摘要： 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101908481A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010194793.7
申请日：2010-06-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/44 , C23C16/26
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/0209 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312
摘要： 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。
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公开(公告)号：CN1212641C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN01137420.9
申请日：2001-11-09
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
发明人： A·L·P·罗通达龙
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02046 , H01L21/02164 , H01L21/02312 , H01L21/28167 , H01L21/28194 , H01L21/2822 , H01L21/302 , H01L21/31612 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L29/518
摘要： 本发明揭示一种在硅表面和介质层之间形成平滑界面的方法，包括在硅上表面上形成介质层前，在硅衬底的上表面(170)上形成薄非晶区域(180)。
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公开(公告)号：CN109216160A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810697196.2
申请日：2018-06-29
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02021 , H01L21/02019 , H01L21/02035 , H01L21/02312 , H01L21/02315 , H01L21/02337 , H01L21/0338 , H01L21/302 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32139 , H01L21/02 , H01L21/02104
摘要： 本发明涉及边缘粗糙度减小。提供了一种用于处理在掩模下方具有蚀刻层的层堆的方法。所述掩模通过以下方式处理：使处理气体流动，其中所述处理气体包括溅射气体和修整气体；提供脉冲TCP功率以从所述处理气体产生等离子体；以及提供脉冲偏置，其中所述脉冲偏置与所述脉冲TCP功率具有相同的周期，其中所述脉冲TCP功率和脉冲偏置提供具有高于溅射阈值的第一偏置和第一TCP功率的第一状态，从而导致来自所述溅射气体的物质溅射所述掩模并且再沉积来自所述掩模的材料，以及提供具有低于所述溅射阈值的第二偏置和第二TCP功率的第二状态，其中所述第二TCP功率大于所述第一TCP功率，其导致来自所述修整气体的物质化学修整所述掩膜。
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公开(公告)号：CN108597983A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810189335.0
申请日：2018-03-08
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 大卫·查尔斯·史密斯 , 丹尼斯·M·豪斯曼
CPC分类号： H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02277 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/02126 , C23C16/44 , H01L21/02263
摘要： 本发明利用催化剂控制在氧化硅上选择性沉积氮化硅。本文提供了用于相对于暴露的硅表面在衬底的暴露的氧化硅表面上选择性沉积氮化硅的方法和装置。技术涉及向衬底提供三甲基铝以在暴露的氧化硅表面上形成含铝部分，并且使用交替脉冲的氨基硅烷和肼通过热原子层沉积在表面上选择性地沉积氮化硅，相对于暴露的硅表面所述热原子层沉积在暴露的氧化硅表面上由含铝部分催化。另外的技术涉及向暴露的氧化硅表面提供含过渡金属的气体以形成含过渡金属部分，所述含过渡金属部分在使用交替脉冲的氨基硅烷和肼来热原子层沉积氮化硅期间充当催化剂。
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公开(公告)号：CN102760661B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
摘要： 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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