公开(公告)号：CN101752406B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910260660.2

申请日：2009-12-18

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  尹汉熙 ,  李吉远 ,  任章淳 ,  卢智龙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管(OLED)显示设备、其制备方法和母基板，其中该OLED显示设备包括：基板，包括像素区和非像素区；缓冲层，置于该基板上；半导体层，置于该缓冲层上，并且包括沟道区和源极区/漏极区；栅极电极，被放置为对应于该半导体层的沟道区；栅极绝缘层，将该半导体层与该栅极电极绝缘；源极电极/漏极电极，电连接到该半导体层的源极区/漏极区；以及中间绝缘层，将该栅极电极与该源极电极/漏极电极绝缘，其中该缓冲层、该栅极绝缘层和该中间绝缘层的在该非像素区上的区域分别被去除，并且该部分地被去除的区域为面板区域的8％到40％。

公开(公告)号：CN101325220B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810125129.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管(TFT)、TFT的制造方法和包括TFT的显示装置。TFT包括具有沟道区域的半导体层，并且源极和漏极区域采用晶化诱导金属晶化。晶化诱导金属通过不同于晶化诱导金属的金属或者不同于晶化诱导金属的金属的金属硅化物吸除。半导体层的沟道区域的长度和宽度与半导体层的泄漏电流满足下面的等式：Ioff/W＝3.4×10-15L2+2.4×10-12L+c，其中Ioff(A)是该半导体层的泄漏电流，W(mm)是该沟道区域的宽度，L(μm)是该沟道区域的长度，而″c″是常数，范围为2.5×10-13至6.8×10-13。

公开(公告)号：CN101546782B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910127094.8

申请日：2009-03-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上的半导体层，包括沟道区、源极区、漏极区和基体接触区；布置在所述半导体层上从而使所述第一基体接触区暴露的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上从而接触所述第一基体接触区的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且被电连接至所述源极区和所述漏极区的源电极和漏电极。所述基体接触区被形成在所述半导体层的边缘中。

公开(公告)号：CN101315883B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810108798.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李基龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供制作多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；利用结晶诱导金属使非晶硅层结晶为多晶硅层；形成与多晶硅层中沟道区之外的区域相对应的多晶硅层的上方或下方接触的金属层图案或者金属硅化物层图案；以及退火该衬底以将存在于多晶硅层沟道区中的结晶诱导金属吸到具有金属层图案或者金属硅化物层图案的多晶硅层区域。此外，存在于多晶硅沟道区中的结晶诱导金属可以有效地去除，并且从而可以制作具有改良泄露电流特性的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的OLED显示装置。

公开(公告)号：CN101826548A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010123974.0

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  赵秀范 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑胤谟 ,  崔宝京 ,  朴钟力 ,  李基龙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3265 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在所述基底上；栅极绝缘层，设置在基底上；下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在基底上；上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极，其中，缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面，在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积，因此增大了电容。

公开(公告)号：CN101335302B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200810131753.0

申请日：2008-06-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和有机发光二极管显示器以及它们的制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，分别电连接到所述半导体层的所述源和漏区。在所述半导体层的所述沟道区中，在垂直方向上距所述半导体层的表面以内的所述金属催化剂形成得具有超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度。所述有机发光二极管显示器包括该薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101556968B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910134258.X

申请日：2009-04-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管和其制造方法以及有机发光二极管显示装置。所述薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上并且具有沟道区、源区、漏区和体接触区的半导体层；布置在所述半导体层上以暴露所述体接触区的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上并与被所述栅绝缘层暴露的所述体接触区接触的硅层；布置在所述硅层上的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并与所述源区和漏区电连接的源电极和漏电极，其中所述体接触区形成在所述半导体层的边缘区域中。

公开(公告)号：CN102214677A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110094630.6

申请日：2011-04-07

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 秋秉权 ,  曹圭湜 ,  李源规 ,  朴容焕 ,  文相皓 ,  申旼澈 ,  梁泰勋 ,  崔埈厚 ,  崔宝京 ,  李仑揆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66765

Abstract: 描述的技术总体涉及一种薄膜晶体管和一种包括该薄膜晶体管的显示装置，该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层和源/漏电极，其中，源/漏电极设置在形成有半导体层的区域的范围内。因此，当前实施例可以提供这样一种薄膜晶体管，在该薄膜晶体管中，因为阈值电压的变化量小，所以可靠性优异。

公开(公告)号：CN102074569A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010542442.0

申请日：2010-11-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李源规 ,  曹圭湜 ,  梁泰勋 ,  秋秉权 ,  文相皓 ,  崔宝京 ,  朴容焕 ,  崔埈厚 ,  申旼澈 ,  李仑揆

IPC: H01L27/32 ,  G09G3/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素，其中，多个像素中的每个像素包括：开关晶体管，包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第一漏电极；驱动晶体管，包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极；有机发光二极管，与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接，其中，第一半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。

公开(公告)号：CN102064089A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010506428.5

申请日：2010-10-12

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管(TFT)、显示装置及制造方法。形成多晶硅层的方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；在非晶硅层中形成凹槽；在非晶硅层上形成覆盖层；在覆盖层上形成金属催化剂层；对基底进行退火并使非晶硅层晶化成具有与形成的凹槽的相邻的晶种区域的多晶硅层。