公开(公告)号：CN101604630B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200910142332.2

申请日：2009-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生等离子激励用微波的工序；将电介质板(16)与保持台(14)之间的间隔设为100mm以上、将处理容器内(12)的压力设为50mTorr以上而经由电介质板(16)将微波导入处理容器(12)内、使处理容器(12)内产生等离子体的等离子产生工序；将等离子蚀刻处理用反应气体供给到处理容器(12)内，利用所产生的等离子体对半导体基板(W)进行等离子蚀刻处理的处理工序。

公开(公告)号：CN103229280A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055047.2

申请日：2011-11-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  田才忠 ,  佐佐木胜 ,  三原直辉 ,  松本直树 ,  茂山和基 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。第二气体的入口距离载置台的高度低于第一气体的入口距离载置台的高度。

公开(公告)号：CN101313393B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780000224.0

申请日：2007-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明对具有硅层和含有高熔点金属的层的构造体进行等离子体氧化处理，形成硅氧化膜，该等离子体氧化处理包括：使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在1.33～66.67Pa的处理压力下，进行第一等离子体氧化处理的工序；和在第一等离子体氧化处理之后，使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在133.3～1333Pa的处理压力下，进行第二等离子体氧化处理的工序。

公开(公告)号：CN100373560C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN03813333.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN101080810A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200680001355.6

申请日：2006-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种选择性等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对在表面上具有硅和氮化硅层的被处理体进行作用，选择性地对硅进行氧化处理，使得在氮化硅层中形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于所形成的硅氧化膜的膜厚的比率为20％以下。

公开(公告)号：CN1967787A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN1633702A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02824972.0

申请日：2002-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  松山征嗣 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。

公开(公告)号：CN119631167A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380056590.7

申请日：2023-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 孙亮 ,  佐佐木胜 ,  石原保正 ,  藤井弘 ,  村上贵宏 ,  药师寺秀明

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/42

Abstract: 等离子体处理装置用的部件的制造方法包括以下工序：工序(A)，准备芯材，所述芯材的形状与所述电极的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(B)，通过成膜装置在所述芯材形成SiC层叠部；以及工序(C)，通过至少去除所述SiC层叠部的一部分来形成SiC层并加工成所述最终形状。由此，能够高精度地制造具有SiC的等离子体处理装置用的部件。

公开(公告)号：CN104616984A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410837288.8

申请日：2009-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生等离子激励用微波的工序；将电介质板(16)与保持台(14)之间的间隔设为100mm以上、将处理容器内(12)的压力设为50mTorr以上而经由电介质板(16)将微波导入处理容器(12)内、使处理容器(12)内产生等离子体的等离子产生工序；将等离子蚀刻处理用反应气体供给到处理容器(12)内，利用所产生的等离子体对半导体基板(W)进行等离子蚀刻处理的处理工序。

公开(公告)号：CN101053083B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200680001097.1

申请日：2006-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，进行以下工序：在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；在该栅极绝缘膜上至少形成包括多晶硅层和含有高熔点金属的金属层的叠层体的工序；对该叠层体进行蚀刻处理，形成栅极电极的工序；和利用由具有多个狭缝的平面天线向处理室内导入微波而产生等离子体的等离子体处理装置，在处理压力为133.3～1333Pa、处理温度为250～800℃下，使用至少包含氢气和氧气的处理气体，进行等离子体处理，选择性地氧化上述栅极电极中的多晶硅层的工序。