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公开(公告)号：CN118352392A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410395674.X
申请日：2024-04-02
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L21/336
摘要： 本申请公开了一种抗浪涌电流碳化硅MOSFET及其制备方法，该MOSFET包括：衬底具有外延层，外延层背离衬底的一侧具有第一表面，外延层具有肖特基接触区；源栅结构具有源极、栅极和氧化层，栅极和源极均与外延层间隔设置；掺杂区包括第一区域和第二区域，部分第一区域位于外延层和源极之间，部分第二区域位于外延层和栅极之间，源极与第二表面的垂直距离小于栅极与第二表面的垂直距离；源极电极与肖特基接触区和第二掺杂区接触，且源极电极覆盖源栅结构；漏极电极；该MOSFET通过肖特基接触区提高了器件的反向特性，降低了器件的反向开启压降，均衡了器件浪涌鲁棒性，提升了器件功率密度和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN117747673B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410192311.6
申请日：2024-02-21
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请涉及一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括依次层叠的第一导电类型结构、半导体结构和第二导电类型结构；半导体结构靠近第二导电类型结构的表面具有向第一导电类型结构所在方向延伸的岛状区域；第二导电类型结构包括平面部及凸出部；其中，凸出部与岛状区域一一对应设置，平面部与凸出部相连接，平面部的掺杂浓度小于或等于凸出部的掺杂浓度。本申请可以实现静态正向导通特性与动态反向恢复特性的折中优化，减少功率二极管的双极退化现象，有利于提升功率二极管的电学性能。
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公开(公告)号：CN117238766A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311238579.0
申请日：2023-09-25
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/45 , C09K13/08
摘要： 本发明提供了一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在有氧化膜和高温退火镍金属膜的晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；旋涂光刻胶、进行光刻处理；对铝金属层进行腐蚀；配制钛腐蚀液，对金属钛层进行腐蚀；去除所述光刻胶膜，得到所述金属钛铝层的窗口形貌为预设形状。所述方法达到了既完成金属腐蚀，又不影响腐蚀区域的高温镍膜，氧化膜腐蚀量不影响芯片性能的目的。
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公开(公告)号：CN118039472A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211358217.0
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/308 , H01L29/06
摘要： 一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构，包括：在SiC衬底表面依次沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；对所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜进行湿法侧向腐蚀，得到具有预设角度台面的第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；基于所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜，对所述SiC衬底进行干法刻蚀，得到具有目标角度台面的SiC衬底；其中，所述第一SiO2薄膜的致密度大于所述第二SiO2薄膜的致密度；本发明通过将湿法腐蚀和干法刻蚀相结合能够有效实现二氧化硅台阶形貌转移，最终得到小角度、底部平缓、侧壁光滑的SiC台面，进而提高刻蚀小角度SiC平缓台面的制备效率。
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公开(公告)号：CN117393609A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311591602.4
申请日：2023-11-27
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。该器件包括：由底到顶的衬底层、缓冲层和漂移层；漂移层中从一端到另一端嵌有多个p阱区；每两个p阱区之间设置肖特基区；肖特基区与p阱区之间为结型场效应管区；肖特基区中设置两个肖特基接触p+区；p阱区中嵌有两个n+源区和一个位于中间的源极p+区；漂移层中从一端开始每两个p阱区构成一个p阱区组；p阱区组中的源极p+区的宽度相同；漂移层中的p阱区组的源极p+区的宽度从器件的边缘至器件的中央呈递增分布；p阱区的上表面设置栅氧化层和多晶硅层；栅氧化层和多晶硅层的外表面包裹隔离介质层。本发明能提高碳化硅MOSFET器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117238955A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311375977.7
申请日：2023-10-23
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L29/417 , H01L23/31
摘要： 本发明涉及一种带有终端结构的功率半导体器件，其包括具有第一导电类型的衬底层和具有第一导电类型的漂移层；所述漂移层设有第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于第二掺杂区域的下方，所述第二掺杂区域位于漂移层表面；所述第二掺杂区域上设有主结，所述第一掺杂区域设有至少一个具有第二导电类型的第一场限环，其通过对场限环位置进行优化，以调节表面电场的横向和纵向扩展，使得在不增加终端结构所占半导体面积的情况下，可大大提高半导体终端的耐压水平，减少表面电荷对器件耐压水平的影响，使半导体器件终端的电场集中效应得到缓解，提升了器件的阻断特性。并有效降低界面电荷对器件阻断特性的影响，有效改善表面电场集中效应。
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公开(公告)号：CN117233562A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310423112.7
申请日：2023-04-19
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种动态测试平台器件状态检测电路，所述动态测试平台状态检测电路的主回路为双脉冲测试回路，包括电容器、电抗器、被测功率半导体器件、续流二极管；检测电路在双脉冲测试电路的基础上增加第一开关，第二开关，第三开关，第四开关，第五开关，电流探头，熔断器，限流电阻、第一电压源和第二电压源。本发明器件从设备电路入手，通过增加检测电路，克服了传统测试设备因器件故障造成的测试失败问题，保证了测试的快速与稳定性，提高了高压动态测试的可靠性。
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公开(公告)号：CN115799085A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211426344.X
申请日：2022-11-15
摘要： 本发明公开了一种绝缘灌封方法及功率半导体器件，该方法包括：在待灌封样品表面形成涂覆层；在待灌封样品形成涂覆层的表面进行第一层灌封，第一层灌封包括第一灌胶和第一脱气处理，第一脱气处理包括多次真空和正压处理；在待灌封样品进行第一层灌封后的表面进行第二层灌封。通过实施本发明，对待灌封样品构建了三道保护防线，其中，形成的涂覆层能够降低局放起始电压，第一层灌封能够对待灌封样品进行绝缘保护，第二层灌封起到支撑和导热作用，同时能够更好的隔绝外部环境水汽，提高器件可靠性。并且，在进行第一层灌封时，第一脱气处理采用真空和正压反复处理，能够通过改变气体的逃逸系数，促使气泡排除/破裂，从而实现无缺陷灌封。
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公开(公告)号：CN115763409A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211406272.2
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了芯片电极引出结构及其封装结构、功率半导体器件模块，芯片电极引出结构包括：第一源极模块的第一侧面、第二源极模块的第一侧面、栅极模块的第一侧面、功率芯片的漏极均固定至漏极金属板的第一侧面上；第一源极模块的第二侧面与功率芯片的源极连接并引出，将引出的电极作为开尔文源极；第二源极模块的第二侧面与功率芯片的源极连接并引出，将引出的电极作为功率回路源极；栅极模块的第二侧面与功率芯片的栅极连接并引出。本发明实施例将功率芯片的三个电极引出，从而在后续的压接式封装中，在功率芯片不直接承受压力的同时，实现了压接式封装和短路失效。
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公开(公告)号：CN115584469A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211118561.2
申请日：2022-09-13
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法，所述方法包括如下步骤：金属淀积，对完成介质层台阶蚀刻的碳化硅晶圆进行溅射形成金属层；反溅射，采用氩离子轰击所述金属层以消除台阶间的封口；重复所述金属淀积和反溅射直至碳化硅台阶覆盖厚度达到设计要求。本发明通过反溅射对台阶上部和台阶间槽口的金属层进行刻蚀以达到清除台阶间槽口的金属层以避免槽口过早闭合；通过多次金属淀积和反溅射的循环加工实现了提高台阶底部填充厚度避免槽口封闭的有益技术效果。
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