公开(公告)号：CN1983586B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200610137422.9

申请日：2006-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  大沼英人 ,  桑原秀明

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3276 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括具有高驱动性能和可靠性的电路的半导体装置及其制造方法。本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。

公开(公告)号：CN101796613A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880106523.7

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN100570850C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200510128580.3

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟 ,  藤井照幸 ,  大沼英人 ,  石塚章广

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN101599464A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910141555.7

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤翔 ,  鸟海聪志 ,  井坂史人 ,  大沼英人

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明的目的之一在于制造适合批量生产的半导体衬底、以及使用该半导体衬底的半导体装置。在所公开的发明的一种方式中，在支撑衬底上形成至少具有绝缘层、第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在第一杂质半导体层上形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在第一半导体层上利用与第一半导体层不同的条件形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶性，形成第二杂质半导体层；对第二杂质半导体层添加赋予一种导电类型的杂质元素，并添加赋予与一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，并且隔着栅绝缘层形成栅电极层，形成源电极层或漏电极层。

公开(公告)号：CN101409215A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810166534.6

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  饭漥阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 提供一种用于制造设置有甚至当使用了诸如玻璃基板等等之类的具有低耐热温度的基板时仍可实际使用的半导体层的SOI基板的方法。该半导体层通过以下步骤转变为支撑基板：用离子从一表面的离子照射半导体晶片以形成损伤层；在该半导体晶片的一表面上形成绝缘层；使支撑基板的一表面附着到形成在半导体晶片上的绝缘层上，并进行热处理以将该支撑基板结合到半导体晶片上；以及在损伤层处分离为半导体晶片和支撑基板。通过湿法刻蚀和用激光束照射半导体层的表面去除在半导体层上部分剩余的损伤层。

公开(公告)号：CN101339899A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810137910.9

申请日：2008-07-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  牧野贤一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI衬底的制造方法，该SOI衬底具备即使在使用玻璃衬底等的耐热温度低的衬底时也可以承受实际工作的半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用这种SOI衬底的具有高性能的半导体装置。使用波长为365nm以上且700nm以下的光来对从半导体衬底分离且接合到具有绝缘表面的支撑衬底上的半导体层照射光，并且在将光波长及半导体层的折射率分别设定为λ(nm)及n，m是1以上的自然数(m＝1、2、3、4…)，并且满足0≤α≤10的情况下，照射光的半导体层的厚度d(nm)满足d＝λ/2n×m±α(nm)。可以对半导体层以半导体层的光吸收率大的最适合条件照射能够在半导体层中反射并共振而进行加热处理的光。

公开(公告)号：CN100423290C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410064274.3

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，所述第一和第二晶体管各自包括：结晶半导体，具有源区和漏区、源区和漏区间的沟道区、以及分别在沟道区和源区之间以及沟道区和漏区之间的一对杂质区，其中包含于该对杂质区内的一种导电类型杂质的浓度小于源区和漏区内杂质的浓度；位于沟道区上的栅绝缘膜；以及位于栅绝缘膜之上的栅电极，其中，第二晶体管中的那对杂质区至少部分地与栅电极重叠，而第一晶体管中的那对杂质区与栅电极之间没有重叠，其中，第一和第二晶体管的源区和漏区包括硅化镍。

公开(公告)号：CN1877799A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091544.9

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  物江滋春 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明的目的是不通过形成侧壁间隔并不增加工艺数量，而以自对准方式提供至少具有一个LDD区域的TFT。在本发明中，将提供有由衍射光栅图案或半透明膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模适用于栅电极形成用光蚀刻工艺中，形成包括厚度厚的区域和在其一边上的比所述区域更薄的区域的左右不对称的抗蚀剂图案；形成具有台阶结构的栅电极；将杂质元素经过栅电极的厚度薄的区域添加到半导体层，而以自对准方式形成LDD区域。

公开(公告)号：CN1770405A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107058.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  森谷幸司 ,  坂倉真之 ,  大沼英人

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。目的在于形成具有绝缘性和平坦性的绝缘膜。通过在包含不活泼气体作为其主要成分并具有5％或更低的氧气浓度和1％或更低的水浓度的气氛中对涂敷后的包含硅氧烷聚合物的树脂进行加热处理，形成绝缘膜。优选地，氧气浓度是1％或更低，水浓度为0.1％或更低。包含硅氧烷的树脂包含甲基和苯基。而且，不活泼气体是氮气。

公开(公告)号：CN1700825A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073702.3

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  安西彩 ,  坂仓真之 ,  乡戶宏充

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5262

Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光器件，其中使得取决于观察发射的光所通过的表面的角度的发射光谱的变化减小。本发明的发光器件包括形成在衬底上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上的半导体层。另外，形成栅绝缘层以覆盖第二绝缘层和半导体层。栅电极形成在栅绝缘层上。形成第一层间绝缘层以覆盖栅绝缘层和栅电极。开口形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中。形成第二层间绝缘层以覆盖第一绝缘层和开口。发光元件形成在开口上。