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    表面包覆切削工具及其制造方法
    31.
    发明公开
    表面包覆切削工具及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103962590A

    公开(公告)日：2014-08-06

    申请号：CN201410041399.8

    申请日：2014-01-28

    申请人： 三菱综合材料株式会社

    发明人： 仙北屋和明 ,  大上强 ,  桥本达生

    IPC分类号： B23B27/00 ,  B23B51/00 ,  B23C5/00 ,  B32B33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/32

    CPC分类号： B23B27/148 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  B23P15/28 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/32

    摘要： 本发明提供表面包覆切削工具及其制造方法。在由WC基硬质合金构成的工具基体的表面蒸镀形成平均层厚为2～10μm的硬质包覆层的表面包覆切削工具，即(a)一种由Al、Ti及Si的复合氮化物层构成的硬质包覆层，该层中Al、Ti及Si的总量中所占的Ti的含有比例为0.3～0.5，Si的含有比例为0.01～0.1，上述含有比例均为原子比，(b)在自上述表面包覆切削工具的后刀面上的刀尖距离100μm的位置为止的范围内，硬质包覆层具有粒状结晶组织，且硬质包覆层表面的粒状晶粒的平均粒径为0.2～0.5μm，并且，工具基体与硬质包覆层的界面的粒状晶粒的平均粒径比硬质包覆层表面的粒状晶粒的平均粒径小0.02～0.1μm，并且，粒径为0.15μm以下的晶粒所占的晶体粒径长度比例为20%以下。

    在FET器件中形成具有低缺陷密度的镍硅化物的方法和装置
    34.
    发明授权
    在FET器件中形成具有低缺陷密度的镍硅化物的方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN101512740B

    公开(公告)日：2013-02-27

    申请号：CN200680036702.9

    申请日：2006-06-20

    申请人： 国际商业机器公司

    发明人： K·K·H·旺格 ,  R·J·珀特尔

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C14/16 ,  C23C14/32 ,  C23C14/345 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/78

    摘要： 本发明提供了一种方法和装置，其中定向和非方向金属(例如Ni)沉积步骤在同一工艺腔室中执行。形成第一等离子体用于从靶移除材料；在连接到RF发生器的环形电极(例如Ni环)内部中形成第二等离子体用于提高材料的离子密度。在没有第二等离子体和衬底的电偏置的条件下，材料非定向地沉积在衬底上，而当存在第二等离子体并且衬底被电偏置时，材料定向地沉积在衬底上。从沉积的金属形成的镍硅化物比从单纯定向工艺中沉积的金属形成的NiSi具有更低的栅多晶硅薄膜电阻并且可以具有更低的管道缺陷密度，并且比从单纯非定向工艺中沉积的金属形成的NiSi具有更低的源/漏接触电阻。

    离子镀设备和离子镀方法
    38.
    发明授权
    离子镀设备和离子镀方法 失效

    公开(公告)号：CN1268782C

    公开(公告)日：2006-08-09

    申请号：CN01119272.0

    申请日：2001-03-21

    申请人： 新明和工业株式会社

    发明人： 小泉康浩 ,  能势功一 ,  床本勋

    IPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/32

    CPC分类号： H01J37/32422 ,  C23C14/32 ,  H01J37/32706

    摘要： 在离子镀中，基片被容放在设置在真空腔内的基片座上，在真空腔内产生等离子体并形成薄膜，使用一个电源单元，通过基片座向真空腔内施加一个周期为1kHz～1GHz的偏电压，所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成，所述脉冲偏压成分对应于一个具有恒定正电压值并输出预定时间的脉冲输出。

    镀覆基底的方法
    39.
    发明公开
    镀覆基底的方法 无效 转让

    公开(公告)号：CN1800442A

    公开(公告)日：2006-07-12

    申请号：CN200510120252.9

    申请日：2001-05-22

    申请人： 基础资源有限公司

    发明人： 杰里·D·基德 ,  克雷格·D·哈林顿 ,  丹尼尔·N·霍普金斯

    IPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/54

    CPC分类号： H01J37/32422 ,  C23C14/26 ,  C23C14/32 ,  C23C14/505

    摘要： 本发明提供了一种用于涂敷或镀覆的示范性的可配置真空系统和方法，该系统和方法能够处理具有显著不同形状和尺寸的基底。该可配置真空系统包括真空工作台组件和真空室。该真空工作台组件可包括支撑架，绝缘表面，安装在支撑架上的机械传动件，安装在支撑架上的馈电通路，位于在第一丝极导电体和第二丝极导电体之间的绝缘表面上的丝极，通过丝极电源接头的第一丝极电源触点与第一丝极导电体电连接、并通过丝极电源接头的第二丝极电源触点与第二丝极导电体电连接的丝极电源接头，以及可支撑基底的平台。真空室可包括在门上有主开口的真空室、限定内部空间的墙壁、丝极电源接头、馈电通路接头、机械传动接头、可接受并支撑真空室内的真空工作台组件的轨道。真空工作台组件和真空室的各种接头可以自动地相互连接。