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    一种倒装发光二极管及其制作方法
    31.
    发明授权
    一种倒装发光二极管及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN102931309B

    公开(公告)日：2015-04-01

    申请号：CN201210459767.1

    申请日：2012-11-15

    申请人： 安徽三安光电有限公司

    发明人： 时军朋 ,  卓佳利 ,  杨力勋 ,  黄少华

    IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/14

    CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

    摘要： 本发明公开的一种倒装发光二极管，其结构包括：基板，表面具有p区金属部分、n区金属部分，且两者之间相互隔离；p型外延层、有源层、n型外延层依次叠放于所述基板之上；反射层，位于所述基板与p型外延层之间；电流阻挡层，位于所述反射层与p型外延层之间，其所在位置使得电流不聚集在发光二级管的边缘；绝缘保护层，包裹发光二极管侧壁，裸露一部分n型外延层侧壁；P电极，连接所述金属反射层与基板的p区金属部分；N电极，连接n型外延层侧壁与基板的n区金属部分。本发明所述的倒装发光二极管不需要蚀刻掉有源层，充分利用了有源层的面积，侧壁电极也不会阻挡光线的出射，从而有效提高了发光效率。

    一种具有同侧电极芯片的LED封装结构
    33.
    发明公开
    一种具有同侧电极芯片的LED封装结构 失效 转让

    公开(公告)号：CN104157777A

    公开(公告)日：2014-11-19

    申请号：CN201410438711.7

    申请日：2014-08-29

    申请人： 李媛

    发明人： 李媛

    IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/64

    CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62

    摘要： 本发明提供一种具有同侧电极芯片的LED封装结构，包括芯片及芯片上的N型半导体层电接触的N型电极和P型半导体层电接触的P型电极、与芯片电极电接触的基板，芯片的N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面；N型电极和P型电极设置在所述芯片的同一侧面上。由于本发明芯片的电极位于芯片的侧面，无需在芯片出光面上焊线，减少光线遮挡，提高了LED的出光效率。

    发光器件
    36.
    发明公开
    发光器件 有权 转让

    公开(公告)号：CN103633233A

    公开(公告)日：2014-03-12

    申请号：CN201310364631.7

    申请日：2013-08-20

    申请人： LG伊诺特有限公司

    发明人： 丁焕熙 ,  金昭廷 ,  金贤珠

    IPC分类号： H01L33/62

    CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    摘要： 本发明公开了发光器件。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层；第一电极，该第一电极电连接至第一导电半导体层；第二电极，该第二电极电连接至第二导电半导体层；在发光结构的下方部的外周部处的沟道层；在第二电极下方的导电支承构件；第一连接部，该第一连接部电连接至第一电极和导电支承构件；以及第二连接部，该第二连接部电连接至第二电极。

    一种LED芯片及其加工工艺
    37.
    发明公开
    一种LED芯片及其加工工艺 无效

    公开(公告)号：CN103515504A

    公开(公告)日：2014-01-15

    申请号：CN201310501616.2

    申请日：2013-10-23

    申请人： 扬州中科半导体照明有限公司

    发明人： 冯亚萍 ,  张溢 ,  金豫浙 ,  李佳佳 ,  李志聪 ,  孙一军 ,  王国宏

    IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/385

    摘要： 一种LED芯片及其加工工艺，属半导体光电子器件制造技术领域，对外延片基片上的P型氮化物层刻蚀裸露出N型氮化物层；在P型电极焊盘区域下面制作电流阻挡层，刻蚀保留P型电极焊盘区域下面绝缘物质、N型电极焊盘和扩展电极与P型氮化物层直接接触的绝缘物质和P型氮化物和量子阱侧壁的绝缘物质；在基片表面沉积ITO薄膜，再光刻制成电流扩展层、合金，再在基片表面蒸镀金属层，剥离后部分金属层后，形成P型电极焊盘、N型电极焊盘和N金属扩展电极。产品的P电极焊盘和N电极焊盘均位于P型出光面之上，高度相同；N金属扩展电极部分或全部与部分N型氮化物层直接接触。本发明方便打线，提高氮化物基底LED芯片的亮度和光提取效率。

    一种倒装发光二极管及其制作方法
    38.
    发明公开
    一种倒装发光二极管及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN102931309A

    公开(公告)日：2013-02-13

    申请号：CN201210459767.1

    申请日：2012-11-15

    申请人： 安徽三安光电有限公司

    发明人： 时军朋 ,  卓佳利 ,  杨力勋 ,  黄少华

    IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/14

    CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

    摘要： 本发明公开的一种倒装发光二极管，其结构包括：基板，表面具有p区金属部分、n区金属部分，且两者之间相互隔离；p型外延层、有源层、n型外延层依次叠放于所述基板之上；反射层，位于所述基板与p型外延层之间；电流阻挡层，位于所述反射层与p型外延层之间，其所在位置使得电流不聚集在发光二级管的边缘；绝缘保护层，包裹发光二极管侧壁，裸露一部分n型外延层侧壁；P电极，连接所述金属反射层与基板的p区金属部分；N电极，连接n型外延层侧壁与基板的n区金属部分。本发明所述的倒装发光二极管不需要蚀刻掉有源层，充分利用了有源层的面积，侧壁电极也不会阻挡光线的出射，从而有效提高了发光效率。

    发光器件
    39.
    发明公开
    发光器件 有权 转让

    公开(公告)号：CN102810550A

    公开(公告)日：2012-12-05

    申请号：CN201210067566.7

    申请日：2012-03-13

    申请人： LG伊诺特有限公司

    发明人： 丁焕熙

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

    CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L27/153 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

    摘要： 一种发光器件，包括：导电衬底；多个发光元件，布置在所述导电衬底上，其中所述多个发光器件单元的每一个包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；保护层，布置为覆盖所述第一半导体层的一侧和所述有源层的一侧；以及第一电极，用于将多于一个的发光元件的多个第二半导体层彼此连接，其中所述保护层包括多个突出部，所述突出部从所述第一半导体层的该侧和所述有源层的该侧延伸到所述多个发光元件的每一个的内部。本发明实施例的发光器件能够提高照明效率。