公开(公告)号：CN108550621A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810403053.6

申请日：2018-04-28

申请人： 重庆大学

发明人： 胡盛东 ,  黄野 ,  郭经纬 ,  杨冬 ,  袁琦 ,  刘畅

IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

摘要： 本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件，属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅和槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有P型硅区、N-漂移区、N+源区、P+源区和P阱；所述槽形结构设置有栅氧化层、栅电极和介质槽；所述N+源区和P+源区上方设置有源电极；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极。本发明增强漂移区的电场调制效应，提高了击穿电压，同时使漂移区可以进行更高浓度的掺杂，从而有效降低器件在开态时候的导通电阻。

公开(公告)号：CN104701363B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510057880.0

申请日：2015-02-04

申请人： 厦门市三安集成电路有限公司

发明人： 叶念慈 ,  徐宸科 ,  林科闯

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种基于增强型栅极结构的晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、势垒层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，所述势垒层是AlGaN或InAlGaN，所述栅极是p型Al1‑xGaxN(0≤x≤1)或p型In1‑y‑zGayAlzN(0≤y≤1；0≤z≤1)，于所述栅极上还设置有一类钻碳(Diamond‑like carbon；DLC)层，所述DLC中sp2键的含量大于50％。本发明的晶体管实现了增强型工作的目的，且类钻碳可降低晶体管器件的自发热效应，提高稳定性。本发明还提供了上述晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN108376700A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810133499.1

申请日：2018-02-09

申请人： 沈阳工程学院

发明人： 李昱材 ,  张东 ,  赵琰 ,  王健 ,  宋世巍 ,  王刚 ,  丁艳波 ,  王晗 ,  刘莉莹

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/43

摘要： 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。所述异质结构是在苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。本发明以苯二甲酸乙二酯材料衬底基片，采用SnO2作为缓冲层，VO2/SnO2异质结构结合，采用AZO作为透明导电电极，最后蒸镀耐腐蚀的TiN材料，可以制备出高质量廉价的器件；同时，该制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN108231909A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711406703.4

申请日：2017-12-22

申请人： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

发明人： 古进 ,  迟鸿燕 ,  张丽 ,  杨春梅 ,  龚昌明 ,  蔡美晨

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/43 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种高可靠超小型玻璃钝化复合二极管及其制备方法和应用，属于二极管制造技术领域；其包括管体、引线和保护层；其中所述的管体由两根电极和芯片A、芯片B组成，管体外围由保护层包裹保护；所述的电极和引线高温烧结后，焊成一个整体的电极引线，电极引线和管体高温下熔焊键和，即得。本发明二极管尺寸极小，管体直径小于Φ1.5mm，管体长度小于1.8mm，器件同时具备了瞬态电压抑制功能和高压保护功能，可以提升线圈反向电动势的吸收速率，大大简化了在线圈保护电路中的安装方式，该复合二极管能应用于超小型继电器的续流电路中，具有较好的市场推广价值。

公开(公告)号：CN105070767B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510490789.8

申请日：2015-08-05

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张艺蒙 ,  唐美艳 ,  宋庆文 ,  汤晓燕

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/43 ,  H01L29/417

摘要： 本发明公开了一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件，包括N+衬底、N‑漂移区、N沟道区、P+栅区、N+源区、由第一碳基材料层与第一金属层、第二金属层复合构成的源电极、由第三碳基材料层与第三金属层、第四金属层复合构成的漏电极、由第二碳基材料层与第五金属层、第六金属层复合构成的栅电极，N‑漂移区的厚度为9.5μm，宽度为7μm，掺杂浓度为6.5×1015cm‑3；N沟道区的深度为2.1μm，宽度为1.6μm，掺杂浓度为6.5×1015cm‑3；P+栅区掺杂浓度为1×1018cm‑3；N+衬底掺杂浓度为6×1018cm‑3；N+源区掺杂浓度为2×1018cm‑3。本发明一方面具有良好的热稳定性和导电特性，另一方面可以有效的改善散热，降低器件结温，使器件在高温下仍然可以稳定可靠的工作。

公开(公告)号：CN103066112B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201210401500.7

申请日：2012-10-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  早川昌彦 ,  本田达也

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  G02F2203/01 ,  G02F2203/64 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。

公开(公告)号：CN106992174A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710033672.6

申请日：2017-01-18

申请人： 南方科技大学

发明人： 许宗祥 ,  单海权

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/43

摘要： 本发明公开了晶体管存储器。该晶体管存储器包括：门电极层；阻隔介电层，所述阻隔介电层位于所述门电极层上；纳米浮动栅层，所述纳米浮动栅层位于所述阻隔介电层上，所述纳米浮动栅层是由金属纳米颗粒构成的；隧穿介电层，所述隧穿介电层位于所述纳米浮动栅层上；源极层，所述源极层位于所述隧穿介电层上；漏极层，所述漏极层位于所述隧穿介电层上；以及活性材料层，所述活性材料层位于所述隧穿介电层上，且设置在所述源极层和所述漏极层之间。该晶体管存储器能够通过改变纳米颗粒的大小和密度改变存储电荷的层次和位置，并且钠米浮动栅层中分散的纳米颗粒能阻隔相邻存储器之间的漏电现象，可靠性高，适于工业应用。

公开(公告)号：CN106663691A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580036397.2

申请日：2015-07-02

申请人： 哥本哈根大学

发明人： P·克罗格斯拉普 ,  T·S·叶斯帕森 ,  C·M·马卡斯 ,  J·尼加德

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L21/334 ,  H01L39/06 ,  H01L39/08 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本公开涉及一种纳米级器件及其制备方法，该纳米级器件包括细长的晶体状纳米结构，如纳米线晶体、纳米晶须晶体或纳米棒晶体。一个实施方案涉及纳米级器件，其包括细长的晶体状半导体纳米结构例如纳米线(晶体)或纳米晶须(晶体)或纳米棒(晶体)，优选由砷化铟制成，其具有多个基本上平的侧面；超导体材料(优选铝)的晶体状结构的第一面层，其覆盖一个或多个所述侧面的至少一部分；以及超导体材料(优选钒)的第二面层，其覆盖第一面层的至少一部分，第二面层的超导体材料不同于第一面层的超导体材料，其中半导体纳米结构的晶体状结构与两个晶体状结构之间的界面上的第一面层的晶体状结构为外延匹配。

公开(公告)号：CN103258725B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310042051.6

申请日：2013-02-01

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 森晓

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L21/76861 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/52 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种薄膜配线形成方法及薄膜配线，本发明的薄膜配线形成方法，使用具有Ca为0.5at%以上且不到5at%、剩余部分为Cu及不可避免杂质的组成的Cu‑Ca合金靶以溅射法形成Cu‑Ca合金膜之后，在氧气分压为10‑4～10‑10气压的含微量氧的惰性气体气氛中，以300～700℃对所述合金膜进行热处理，所述薄膜配线通过该方法形成。

公开(公告)号：CN106449736A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611024998.4

申请日：2016-11-16

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 刘红侠 ,  赵璐 ,  汪星 ,  冯兴尧 ,  费晨曦 ,  王永特

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/42316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/435

摘要： 本发明公开了一种基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构是在衬底上自下而上包含厚度为4-10nm铪基铝酸盐高k栅介质薄膜的Ti氧元素吸附层(3)以及厚度为100-150nm重金属Pt栅电极(4)，其中，铪基铝酸盐高k栅介质薄膜采用HfAlO3或HfO2/Al2O3叠层结构；本发明的栅氧化层材料结晶温度高、电学特性和栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。(1)、厚度为2-3nm的TiN阻挡层(2)、厚度为4-6nm