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公开(公告)号：CN110226363A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201880008419.8
申请日：2018-03-23
摘要： 实施方式涉及的陶瓷铜电路基板具有陶瓷基板和设在陶瓷基板的一个面上的铜电路板。其特征在于，铜电路板的厚度相对于陶瓷基板的厚度的比为1.25以上，在铜电路板的表面画出的任一10mm直线上晶界数量都在5以上且250以下。
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公开(公告)号：CN109478538A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780046682.1
申请日：2017-07-27
摘要： 电路基板具备：具有第一面和第二面的陶瓷基板；第一金属部，具有与第一面接合的第一金属板和从第一金属板的表面突出的凸部；以及第二金属部，具有与第二面接合的第二金属板。当陶瓷基板沿长边方向被等分割为第一至第三分割部时，V1、V2、V3、V4、V5以及V6是满足如下关系的数，即(V4/V1)+(V6/V3)≦2(V5/V2)、0.5≦V4/V1≦2、0.5≦V5/V2≦2、0.5≦V6/V3≦2。
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公开(公告)号：CN106783459B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710044256.6
申请日：2012-12-21
摘要： 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上5wt％以下的范围内含有以ZrC换算计的Zr成分。
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公开(公告)号：CN109073770A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780020012.2
申请日：2017-03-28
摘要： 中子栅格具备：栅格部，所述栅格部具有使透过对象物的第1中子的至少一部分透过的多个间隔物和将被对象物散射的第2中子的至少一部分吸收的多个吸收体，间隔物及吸收体沿着第1方向交替地排列且沿着与第1方向交叉的第2方向延伸；和一对覆盖材，所述一对覆盖材沿着与第1方向及第2方向交叉的第3方向来夹持栅格部且使第1中子的至少一部分及第2中子的至少一部分透过。间隔物与吸收体之间的热膨胀系数差为±9×10-6/℃以内；或者间隔物的杨氏模量为100GPa以上。
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公开(公告)号：CN108350358A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063087.4
申请日：2016-11-02
摘要： 本发明的闪烁器具备具有稀土类氧硫化物的晶体区域的体积为1mm3以下的烧结体。具有与晶体区域不同的组成的多晶体的个数在上述烧结体的截面的每100μm×100μm的单位面积中为200个以下。
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公开(公告)号：CN104025321B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201280054489.X
申请日：2012-10-23
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , C09K11/7734 , C09K11/7738 , F21K9/232 , H01L33/504 , Y02B20/181
摘要： 本发明提供一种白光源，其包含：具有在350nm或更大与420nm或更小范围内的发光峰值波长的发光二极管(LED)；和包括4种或更多种类型的磷光体和树脂的磷光体层，其中所述白光源满足以下关系式：‑0.2≤[(P(λ)×V(λ))/(P(λmax1)×V(λmax1))‑(B(λ)×V(λ))/(B(λmax2)×V(λmax2))]≤+0.2，假设：所述白光源的发光光谱是P(λ)；与所述白光源具有相同色温的黑体辐射的发光光谱是B(λ)；光谱光视效率的光谱是V(λ)；P(λ)×V(λ)变为最大处的波长是λmax1；且B(λ)×V(λ)变为最大处的波长是λmax2，且其中从所述白光源初始点亮时到所述白光源连续点亮6000小时后时CIE色度图上的色度变化量(差异)小于0.010。根据上述白光源，可以提供能够再现与自然光相同的发光光谱的白光源。
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公开(公告)号：CN103747868B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201280040698.9
申请日：2012-08-23
CPC分类号： C22B26/10 , B01D15/36 , B01D21/01 , B01J20/06 , B01J20/28004 , B01J20/28016 , B01J20/28057 , B01J20/28059 , B01J20/28061 , B01J20/28064 , B82Y30/00 , C01G41/02 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C02F1/281 , C02F1/5272 , C02F2101/006 , C02F2101/10 , C02F2101/20 , C02F2103/08 , G21F9/12 , G21F9/125
摘要： 本发明实施方式的阳离子吸附剂具备BET比表面积为0.82m2/g以上820m2/g以下的范围的氧化钨微粒。向含有回收对象的阳离子的被处理溶液中添加这样的阳离子吸附剂，然后使吸附了阳离子的阳离子吸附剂沉淀。从被处理溶液中分离回收生成的沉淀物。
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公开(公告)号：CN105451882B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480013558.1
申请日：2014-03-11
CPC分类号： B01J23/30 , B01D53/8668 , B01D53/8687 , B01D2255/1021 , B01D2255/1023 , B01D2255/1026 , B01D2255/104 , B01D2255/2065 , B01D2255/20707 , B01D2255/20715 , B01D2255/2073 , B01D2255/20738 , B01D2255/20753 , B01D2255/20761 , B01D2255/20776 , B01D2255/2092 , B01D2255/802 , B01D2255/9202 , B01D2257/702 , B01D2257/708 , B01D2257/90 , B01D2259/4508 , B01D2259/802 , B01J23/6527 , B01J23/888 , B01J35/002 , B01J35/004
摘要： 实施方式的光催化剂具备氧化钨基微粒，其中含有5质量％以上至100质量％以下的范围的氧化钨。在光催化剂采用拉曼分光法测定的拉曼光谱中，在920cm‑1以上至950cm‑1以下的范围观察到的峰的强度X与在800cm‑1以上至810cm‑1以下的范围观察到的峰的强度Y之比(X/Y)在大于0至0.04以下的范围。
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公开(公告)号：CN105683129B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201480058070.0
申请日：2014-10-21
IPC分类号： C04B35/584 , H01L23/15 , H05K1/03
CPC分类号： C01B21/068 , B32B18/00 , C01P2006/32 , C04B35/584 , C04B35/587 , C04B35/593 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/383 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/661 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/368 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49877 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K1/0306 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。
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