公开(公告)号：CN111464172B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202010314887.7

申请日：2020-04-21

申请人： 黄山学院 ,  西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈珍海 ,  吴勇 ,  何宁业 ,  汪礼 ,  许媛 ,  宁仁霞 ,  王东 ,  鲍婕 ,  吕海江

IPC分类号： H03K19/003 ,  H03K19/0185

摘要： 本发明公开了一种适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路，该电路包括低延时高压电平移位电路和输出驱动电路；低压输入数据首先进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的驱动数据Din进入输出驱动电路，经驱动放大得到具有较大驱动能力的输出信号HO；所述低延时高压电平移位电路，需要使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述输出驱动电路只需要使用浮动地SW。本发明所提供用于GaN器件的低延时高侧驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，并可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流最大程度上提高效率，可以广泛应用于各类栅驱动芯片中。

公开(公告)号：CN115690605A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211414914.3

申请日：2022-11-11

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 张静 ,  宋良农 ,  王雨晨 ,  李云松

IPC分类号： G06V20/13 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08 ,  G06V10/774 ,  G06V10/80 ,  G06V10/82

摘要： 本发明提出了基于空谱联合的多光谱遥感图像云检测方法，实现步骤为：获取训练样本集和测试样本集；构建基于空谱联合的多光谱遥感图像云检测网络，对多光谱遥感图像云检测网络进行迭代训练；获取遥感图像云检测的结果。本发明构建基于空谱联合的多光谱遥感图像云检测网络中的空谱信息提取模块，能够有效提取多光谱遥感图像的空间信息和光谱信息并能将其融合，并通过上下文动态卷积模块将编码模块的浅层特征与解码模块的深层特征进行融合使得网络更加关注云边缘信息，识别的云的边界更加连续，从而有效提升了多光谱遥感图像云检测的精度。

公开(公告)号：CN115632056A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211138213.1

申请日：2022-09-19

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 韩超 ,  苑广安 ,  汤晓燕 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  黄永

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及一种钳位电压可选的横向穿通型SiC‑TVS器件，包括碳化硅衬底层、外延层基区、正电极和若干负电极，外延层基区内包括有两个端部发射区扩展区、若干个中间发射区扩展区、两个端部发射区以及若干个中间发射区，外延层基区、端部发射区扩展区和中间发射区扩展区为轻掺杂，端部发射区和中间发射区为重掺杂；碳化硅衬底层、端部发射区扩展区、中间发射区扩展区、端部发射区和中间发射区为第一导电类型，外延层基区为第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型相反。本发明在平面NPN或PNP穿通结构的基区表面横向插入若干个N+或P+发射区，通过优化发射区结构参数和基区浓度，在单管TVS芯片上实现更宽范围的钳位电压选择。

公开(公告)号：CN115602706A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211138211.2

申请日：2022-09-19

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院(CN)

发明人： 韩超 ,  施锟 ,  张玉明 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  黄永

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及一种源极和台面结构集成肖特基二极管的VDMOSFET器件，包括漏极、衬底、N‑漂移区、P型基区、栅极、栅介质层、N+源区、P+欧姆接触区、源极和台面结构。衬底设置在漏极的上方；N‑漂移区设置在衬底的上方；N‑漂移区的上表面中部设置有台面结构，台面结构两侧的N‑漂移区中分别设置有P+欧姆接触区，P+欧姆接触区远离所述台面结构的一侧设置有P型基区，P型基区的上方设置有N+源区，台面结构的两侧分别设置有一个栅极，栅介质层、P+欧姆接触区和台面结构均由源极覆盖；台面结构与源极的接触界面为肖特基接触。本发明能够有效提高续流能力的同时降低外部电路结构的复杂化和成本。

公开(公告)号：CN115565875A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211216647.9

申请日：2022-09-30

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 杨旭豪 ,  王东 ,  黄永 ,  陈财 ,  王亦飞 ,  陈军飞 ,  李彦佐

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法，氮化镓基材料的表面处理方法，包括如下步骤：在氮化镓基材料的结构层表面生长氧化物保护膜，得到第一中间结构层；对第一中间结构层的表面进行氢离子气体处理，得到第二中间结构层；刻蚀去除第二中间结构层中的氧化物保护膜。本发明中的方法，能够有效降低氮化镓基材料的结构层的表面态，提高其电学性能。

公开(公告)号：CN113900368B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202111189192.1

申请日：2021-10-12

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 朱樟明 ,  胡进 ,  楚泽坤 ,  马瑞

IPC分类号： G04F10/00 ,  G01S7/48

摘要： 本发明公开了一种应用于阵列式激光雷达的时间数字转换器，包括：START/STOP逻辑电路、内插型压控环形振荡器、计数器、编码器、START信号端和STOP信号端；其中，START/STOP逻辑电路的第一输入端和第二输入端分别与START信号端及STOP信号端连接、第一输出端与内插型压控环形振荡器的第一输入端连接、第二输出端与内插型压控环形振荡器的第二输入端连接，内插型压控环形振荡器的输出端与编码器连接，计数器包括级联的多个真单相D触发器、且输入端与START信号端连接。上述时间数字转换器具有较高的测量精度及较好的相噪特性，可做为三维成像应用中大规模单光子雪崩二极管像素阵列的时间间隔测量电路。

公开(公告)号：CN111996510B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202010774596.6

申请日：2020-08-04

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 张金风 ,  任泽阳 ,  吴勇 ,  王东 ,  崔傲 ,  操焰 ,  郝跃

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/52 ,  C23C16/511 ,  C23C16/455

摘要： 本发明涉及一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置，该方法包括：获取第一工艺气体参数和第一目标压力、第二工艺气体参数和第二目标压力、第三工艺气体参数和第三目标压力；根据第一工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第一实时压力，根据第一实时压力与第一目标压力的比较结果对比例阀进行控制；根据第二工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第二实时压力，根据第二实时压力与第二目标压力的比较结果对比例阀进行控制；根据第三工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第三实时压力，根据第三实时压力与第三目标压力的比较结果对比例阀进行控制。该方法实现了各个阶段对真空压力的精确控制。

公开(公告)号：CN115388893A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211027811.1

申请日：2022-08-25

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 张静 ,  张雪鹏 ,  申枭 ,  李云松

IPC分类号： G01C21/20 ,  G01C21/32 ,  G01C21/16

摘要： 本发明提出了一种基于遗传的滤波SLAM算法的移动机器人建图方法，实现步骤为：构建移动机器人建图系统；对待建图区域进行栅格划分；初始化参数；传感器采集数据；建图模块每个时刻每个粒子的栅格状态信息进行更新；获取移动机器人的建图结果。本发明使用遗传交叉变异方法对每个粒子更新后的位姿对应的粒子进行交叉后进行变异，实现对每个粒子信息的更新，从而达到减少粒子退化，保留粒子的多样性的目的，能够保证较大区域和较复杂区域的高精度建图，且在对雷达点云数据进行扫描匹配时，使用点对线的扫描匹配方法代替现有技术中点对点的扫描匹配方法，有效的降低了扫描匹配的迭代次数，降低了计算资源开销。

公开(公告)号：CN115224126A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210821107.7

申请日：2022-07-13

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 张金风 ,  刘萌 ,  何琦 ,  任泽阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法，场效应管包括：金刚石衬底、金刚石外延层、氢终端表面、空间隔离层、类受主层、源电极、漏电极和栅电极；源电极和漏电极位于氢终端表面上；空间隔离层位于源电极和漏电极之间的氢终端表面上方，空间隔离层的材料为h‑BN材料；类受主层位于空间隔离层上且覆盖空间隔离层的表面；栅电极位于类受主层上且位于源电极和漏电极之间。本发明通过在氢终端金刚石上方制备空间隔离层和类受主层介质，实现电荷由金刚石转移到类受主层介质，在金刚石表面形成高浓度二维空穴气层，并通过空间隔离层降低二维空穴气的电离杂质散射，从而提高了耗尽型器件载流子迁移率。

公开(公告)号：CN115148810A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210784215.1

申请日：2022-06-28

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈兴 ,  陈瑶 ,  王东 ,  吴勇 ,  黄永 ,  何滇 ,  李彦佐 ,  林长志 ,  邱慧嫣 ,  谢雨峰 ,  沈琪

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括从下至上依次设置的衬底、底部GaN缓冲层、顶部UID‑GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、Si3N4钝化层、设置于顶部UID‑GaN缓冲层两端的源极和漏极以及设置于AlGaN势垒层上的栅极，所述源极还与设置于顶部UID‑GaN缓冲层内的三层P型埋层相连，本发明在AlGaN/GaN异质结外延过程中采用碳掺杂的周期性GaN缓冲层作为底层GaN缓冲层，可有效抑制垂直方向上经由源极或漏极流向衬底的泄漏电流，减小底层GaN缓冲层位错密度，提高结晶质量，同样能减小流向底层GaN缓冲层的泄漏电流，具有与源极相连的三层P型埋层的HEMT器件结构，实现了击穿电压和导通电阻的折衷。