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公开(公告)号：CN101215467A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810032389.2
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 本发明涉及一种硅烷包裹II－VI族半导体量子点的方法。该方法包括II－IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II－IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液，再将经过无机包裹的II－IV族半导体量子点的氯仿溶液，加入到步骤a的反相胶束溶液中，然后加入γ－巯丙基三甲氧基硅烷；调节pH值范围为8.0－10.0，加入正硅酸乙酯，然后进行功能化，最后得到经功能化的硅烷包裹的II－IV族半导体量子点；本发明方法通过控制量子点硅烷层的厚度来增加量子点在缓冲液中的稳定性，很好的保持其荧光特性，减少量子点的光漂白及其光猝灭效应，还可以通过选用不同的功能化基团来实现量子点的表面功能化修饰，提供量子点水溶后的生物应用基础，通过硅烷处理后的量子点可以使其成为生物荧光标记领域应用的首选。
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公开(公告)号：CN1554608A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310122761.6
申请日：2003-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C03C10/0045 , C03C8/02 , C03C10/0036 , C03C17/02
Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用的玻璃基片材料及其制造方法，特别是一种双层结构的磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料及制备方法。本发明的一种磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料，由基体及其表面涂层构成，其特征在于基体为微晶玻璃；涂层为玻璃釉料，其厚度为60μm－100μm。本发明的微晶玻璃基片材料的制备方法包括三个步骤：玻璃釉料的制备、微晶玻璃基体材料的制备，将玻璃釉料涂覆于基体上形成双层结构的微晶玻璃基片材料。玻璃釉料的涂覆于微晶玻璃表面，舍去了网纹加工成膜工艺，有利于网纹加工；又因压应力提高了整体基板的机械强度；因表面的涂层少含或基本不含若干轻元素，大大提高防污染记忆膜的能力；由于涂层硬度较低，故易研磨。在进行表面处理抛光后，其表面粗糙度一般可达3左右。
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公开(公告)号：CN108689611B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810554306.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法，该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中，调节溶液pH=0.2‑1.0，将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中，将溶液放入到恒温磁力搅拌器中，在80‑90℃反应0.5‑2小时，将FTO取出，得到SnS纳米片薄膜，洗净、烘干；之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中，在180℃反应10‑12h，反应物冷却，洗净、烘干；通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单，所用前躯体材料成本低廉，制备的薄膜呈片状颗粒，且分布均匀，有利于提高其光电特性。
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公开(公告)号：CN108258081B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201711281101.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/109
Abstract: 本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号：CN111192822A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010024306.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108258081A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711281101.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/109
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , H01L31/02966 , H01L31/109 , H01L31/1836
Abstract: 本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号：CN106115772A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610176124.4
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: C01G19/00 , B82Y40/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/70 , C01P2002/80 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , H01L31/0324
Abstract: 本发明公开了一种方法，可以在仅调节前驱体SnCl2·2H2O和C2H5NS的摩尔比例且保持其它条件（反应温度、反应时间、溶剂油胺的量）不变的情况下，分别制备出纯相的SnS2六角形纳米片和SnS长方形纳米片，实现产物可控。在反应物前驱体SnCl2·2H2O和C2H5NS分别为0.48mmol和4.6mmol，油胺为8ml，反应温度为280℃，反应时间为30分钟的条件下生成SnS2六角形纳米片结构；在反应物前驱体SnCl2·2H2O和C2H5NS分别为1.44mmol和0.58mmol，油胺、反应温度和反应时间保持不变的条件下生成SnS长方形纳米片结构。本发明的优点在于：在同时需要SnS和SnS2两种材料时，不需要更换原材料仅通过调节其摩尔比例就可以获得。且采用湿化学法，原材料均为地球丰富资源，方法简单易操作且制备成本较低。
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公开(公告)号：CN105801127A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610120001.9
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/581 , C04B35/64 , C04B2235/6582
Abstract: 本发明公开了一种集成电路封装用的高热导率氮化铝陶瓷基板制备方法，其步骤：(1)先取无水碳酸锂、无水氧化钇放于马弗炉，合成锂酸钇，再经湿法球磨，制成浆料；(2)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料经筛选，获得锂酸钇粉末；(3)按质量百分比，取锂酸钇、氟化钙和AlN粉体放于无水乙醇介质中，球磨24h，制成浆料；(4)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料筛选，得到混合粉末；(5)将所得的粉末再干压、静压成型,得到素胚；(6)将素胚放在高温氮气炉，在氮气和氢气气氛中，升温至1450℃,烧结保温1小时，再升温至1735℃，烧结保温8h，然后降温冷却至室温，获得高热导率AlN陶瓷基板。该方法制备的AlN陶瓷基板热导率高、结构致密，晶粒细小，且分布均匀。
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公开(公告)号：CN105742508A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610221077.0
申请日：2016-04-12
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0078 , H01L51/44
Abstract: 本发明公开了一种四氨基锌酞菁有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法，首先采用微波法制备四硝基锌酞菁，再将其还原得到四氨基锌酞菁，以此衍生物作为有机空穴传输层，旋涂在涂覆有钙钛矿的TiO2膜上，制备了钙钛矿太阳能电池。本发明合成了一种酞菁衍生物染料—四氨基酞菁锌，作为钙钛矿TiO2太阳能电池有机空穴传输层，采用微波合成能大大缩减反应时间，提高反应产率，并且减少环境污染，并制备了基于该有机材料空穴传输层的绿色、环保、高效的钙钛矿太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103803655A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410000728.4
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: C01G49/00
Abstract: 本发明公开了一种Cu2FeSnS4微米级空心球的溶剂热制备方法，属于光伏电池材料技术领域。该方法是通过：将反应物前躯体氯化铜、氯化亚铁、四氯化锡、硫脲以及反应溶剂乙二醇、去离子水和形貌控制剂乙基纤维素一起加入高压釜中，然后升温至180℃反应一定时间，反应完毕后，将冷却后的反应溶液中加入无水乙醇和去离子水作为离心清洗剂；然后以一定转速离心一定时间，倒去上层溶液，收集下层沉淀物，重复离心数次至溶液澄清，收集沉淀物，最终得到高质量的Cu2FeSnS4微米级空心球。本发明Cu2FeSnS4微米级空心球的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的微米级空心球的分散性良好、并由结晶性良好的纳米颗粒所组成，且为空心球。
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