公开(公告)号：CN1460287A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800920.7

申请日：2002-03-28

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也 ,  本乡俊明

IPC分类号： H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

摘要： 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。

公开(公告)号：CN1460286A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800919.3

申请日：2002-03-28

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

摘要： 一种等离子体处理装置，由：通过外壁围成、并具备保持被处理基板的保持台的处理容器；与上述处理容器连接的排气系统；向上述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于上述被处理基板而设置于上述处理容器上的微波天线；以及面对上述被处理基板设置在上述保持台上的被处理基板与上述等离子体气体供给部之间的处理气体供给部；构成。上述处理气体供给部由：形成于上述处理容器中内、使等离子体通过的多个第1开口部；可连接于处理气体源的处理气体通路；与上述处理气体通路连通的多个第2开口部；以及相对上述第2开口部设置、使由上述第2开口部排放出的处理气体扩散的扩散部；构成。

公开(公告)号：CN1340848A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01130680.7

申请日：2001-08-20

申请人： 阿尔卑斯电气株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 三森健一 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/67086 ,  B08B3/041 ,  B08B3/123 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708

摘要： 提供在适宜的条件下使用省液型喷嘴的湿式处理装置。包括具有向着被处理基板W开口的大致长方形的导入开口面8a及向着上述被处理物开口的大致长方形的回收开口面9a,上述导入开口面和回收开口面相互在一个面上,而且与长边方向平行地配置的喷嘴1和、基板W相对喷嘴1移动的同时,在导入开口面8a和基板W的被处理面间导入处理液,从回收开口面9a和基板W的被处理面间吸引处理液并进行回收。此时将从上述导入开口面8a经过上述基板W的被处理面流入到上述回收开口面9a的处理液的流量控制在导入开口面的长边方向每1cm为0.02～0.3L/分钟。

公开(公告)号：CN1272186A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN99800859.1

申请日：1999-05-27

申请人： 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  加贺爪哲 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  吉川和博 ,  出田英二 ,  土肥亮介 ,  宇野富雄 ,  山路道雄

IPC分类号： G05D7/06

CPC分类号： G05D7/0635 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/7761

摘要： 使半导体制造装置等所使用的具备压力式流量控制装置的气体供给设备更小型化而降低制造成本,同时改善过度流量特性,防止气体供给开始时的气体的过调节现象的发生,提高流量控制精度与设备可靠性,由此,减少半导体制品质量的不均一,同时提高半导体制品的制造效率。具体地讲,是在将节流孔的上游侧压力保持成为节流孔的下游侧压力的约2倍以上的状态下,一边进行气体的流量控制,一边通过节流孔对应阀向加工过程供给气体,在上述具备压力式流量控制装置的气体供给设备上,气体供给设备的构成包括:从气体供给源接受气体的控制阀,设置在控制阀下游侧的节流孔对应阀,设置于前述控制阀与节流孔对应阀之间的压力检测器,设置于节流孔对应阀的阀动机构部下游侧的节流孔,在根据前述压力检测器的检测压力P1将流量作为Qc=KP1(式中K为常数)进行运算、同时将流量指令信号Qs与运算流量Qc的差作为控制信号Qy向控制阀的驱动部输出的运算控制装置。

公开(公告)号：CN101567388B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

申请人： 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

摘要： 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101215684B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710198636.1

申请日：2004-02-03

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

摘要： 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。

公开(公告)号：CN1510755B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

摘要： 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，硅表面通过降低OH浓度的RCA标准清洗-1工序、并通过淀积自牺牲氧化物膜而具有不大于0.15nm的规定的表面算术平均差Ra，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n-MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1938447B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200580009990.4

申请日：2005-03-29

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C16/448 ,  H05B33/10 ,  H05B33/28

CPC分类号： C23C14/541 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/564 ,  F28D2021/0077 ,  F28F9/026 ,  F28F13/08

摘要： 以提供成膜速度快，使均匀成膜成为可能，能够节省原料的成膜装置和成膜方法为目的，使蒸发的成膜材料通过输运气体的气体流动到达基板表面，可以通过气体的气体流动控制成膜条件，能够将均匀的膜堆积在大面积的基板上。即、通过将气化的原料引导向基板而提高成膜速度，可以均匀成膜。

公开(公告)号：CN100563404C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN03819972.6

申请日：2003-08-25

申请人： 日本瑞翁株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大 ,  加藤丈佳 ,  胁坂康寻

IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H05K3/26 ,  H05K3/42 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K1/024 ,  H05K3/4676 ,  H05K3/4688

摘要： 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。

公开(公告)号：CN101567389A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

申请人： 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

摘要： 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。