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公开(公告)号:CN202564376U
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201120465900.5
申请日:2011-11-16
申请人: 罗姆股份有限公司
IPC分类号: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205
CPC分类号: H01L21/02458 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02499 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/4825 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/045 , H01L29/154 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7784 , H01L29/7787 , H01L2224/06051 , H01L2224/451 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49111 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 本新型提供一种氮化物半导体元件及氮化物半导体封装。在基板(41)上形成包含AlN层(47)、第一AlGaN层(48)(平均Al组成50%)及第二AlGaN层(49)(平均Al组成20%)的缓冲层(44)。在缓冲层(44)上形成包含GaN电子移动层(45)及AlGaN电子供给层(46)的元件动作层。借此,构成HEMT元件(3)。使用本新型的氮化物半导体元件则GaN电子移动层的厚度的设计自由度高,所以能够提供耐压优秀的封装。而且,可以减轻氮化物半导体元件的GaN电子移动层的龟裂及Si基板的翘曲,所以能够提供可靠性高的封装。