一种气密封装天线及其制作方法

    公开(公告)号:CN111029773A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911228603.6

    申请日:2019-12-04

    摘要: 本发明提供了一种气密封装天线及其制作方法,属于无线通信技术领域,一种气密封装天线,包括顶面开放的金属盒体、封接于金属盒体的顶面的玻璃窗体、设于玻璃窗体的上表面和/或下表面的中心的寄生贴片,以及设于金属盒体内部的TR组件;TR组件的顶面中心设有辐射层,辐射层用于辐射并激励寄生贴片。本发明提供的一种气密封装天线,相位中心与金属盒体的口部边沿的高度差值小,能够有效减少相控阵偏离法向扫描时辐射信号与金属盒体口部边沿的耦合以及气密封装天线之间的信号波互耦,提高气密封装天线的大角度扫描性能;能够展宽气密封装天线的带宽,提高辐射效率。本发明还提供了一种气密封装天线的制作方法。

    一种陶瓷气密封装器件及封装方法

    公开(公告)号:CN110943053A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201911155711.5

    申请日:2019-11-22

    摘要: 本发明公开了一种陶瓷气密封装器件及封装方法,陶瓷气密封装器件包括:陶瓷基板,设有贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的通孔,陶瓷基板的通孔内部填充金属,通孔内的金属记为金属柱;芯片,设置在所述陶瓷基板上,芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接;管帽,设置在陶瓷基板上,管帽与陶瓷基板形成容纳芯片的气密结构;耦合结构,设置在管帽的背面,且位于需要耦合的芯片的上方;散热结构,设置在所述管帽的正面。本发明通过在管帽的正面设置散热结构,提高了散热性,提高了陶瓷封装器件性能;同时在管帽的背面,芯片的上方设置耦合结构,提高了芯片的耦合性,进一步的提高了陶瓷封装器件的性能。

    微带线垂直过渡结构与微波器件

    公开(公告)号:CN110707406A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201910841694.4

    申请日:2019-09-06

    IPC分类号: H01P5/08

    摘要: 本发明适用于微波毫米波电路技术领域,提供了一种微带线垂直过渡结构与微波器件,该结构包括:金属盒体上开有一贯穿上下侧面的过渡腔体;金属盒体置于两个微带探针装置之间,与每个微带探针装置的背面连接,且每个微带探针装置背面设置的带状线探针的位置与过渡腔体的位置对应,使微波信号从一个微带探针装置正面设置的微带线通过微带线上的第一信号盲孔过渡到介质内部传输线,再通过与介质内部传输线连接的第二信号盲孔过渡到带状线探针后在过渡腔体中进行垂直过渡到对侧的微带探针装置上的带状线探针上,微带线垂直过渡结构的结构简单、易于装配、方便调试,并且可以实现高频、低损耗、小型化的微波毫米波垂直过渡结构。

    脊波导与玻珠包带的连接结构及微波器件

    公开(公告)号:CN111370832B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202010206509.7

    申请日:2020-03-23

    IPC分类号: H01P5/107 H01P5/10

    摘要: 本发明提供了一种脊波导与玻珠包带的连接结构及微波器件,属于微波封装技术领域,包括脊波导本体、金带环和玻珠,脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体,至少所述脊体的上表面设有第一镀层;金带环连接于所述第一镀层上;玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体连接的探针,所述探针的外表面包覆第二镀层,所述探针伸入所述金带环内且与所述金带环的内壁接触。本发明提供的脊波导与玻珠包带的连接结构,由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接,避免了焊接过程中的应力形变,探针直接插入金带环中,利用金带环的弹性,实现一定的弹性接触,在工作时,具有一定的调节性,避免产生应力损伤,使得连接可靠,保证器件的平稳运行。

    一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116232350A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310175294.0

    申请日:2023-02-28

    IPC分类号: H04B1/04 H04B1/40

    摘要: 本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括:收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间,漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串联电感。串联电感和第一GaN功率开关管的等效电容用于实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配,其中,等效电容是第一GaN功率开关管在截止状态时的等效电容。本发明能够将串联电感、GaN功率开关管的等效电容构成LC阻抗匹配电路,实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配。既避免了GaN功率开关管对GaN功率放大器的输出阻抗匹配的影响,又减少了器件数量、减小了GaN射频前端电路的体积。

    混频器及通信装置
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114039552A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111145685.5

    申请日:2021-09-28

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明适用于混频器技术领域,提供了一种混频器及通信装置,上述混频器包括:混频模块及180度电桥;混频模块的第一输入端用于输入本振信号,混频模块的第二输入端用于输入射频信号,混频模块的第一输出端与180度电桥的第一输入端连接,混频模块的第二输出端与180度电桥的第二输入端连接,180度电桥的输出端用于输出目标信号;混频模块用于对本振信号和射频信号进行混频,并分别由混频模块的第一输出端及混频模块的第二输出端输出两路幅值相同、相位相差180度的混频信号。本发明通过混频模块及180度电桥构建差分网络,提高了端口的隔离度。

    微带线垂直过渡结构与微波器件

    公开(公告)号:CN110707406B

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN201910841694.4

    申请日:2019-09-06

    IPC分类号: H01P5/08

    摘要: 本发明适用于微波毫米波电路技术领域,提供了一种微带线垂直过渡结构与微波器件,该结构包括:金属盒体上开有一贯穿上下侧面的过渡腔体;金属盒体置于两个微带探针装置之间,与每个微带探针装置的背面连接,且每个微带探针装置背面设置的带状线探针的位置与过渡腔体的位置对应,使微波信号从一个微带探针装置正面设置的微带线通过微带线上的第一信号盲孔过渡到介质内部传输线,再通过与介质内部传输线连接的第二信号盲孔过渡到带状线探针后在过渡腔体中进行垂直过渡到对侧的微带探针装置上的带状线探针上,微带线垂直过渡结构的结构简单、易于装配、方便调试,并且可以实现高频、低损耗、小型化的微波毫米波垂直过渡结构。

    抗振三维堆叠电路结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN111029304B

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN201911155672.9

    申请日:2019-11-22

    IPC分类号: H01L23/00 H01L23/31 H01L21/56

    摘要: 本发明提供了一种抗振三维堆叠电路结构及其制备方法,属于微电子封装领域,包括封装底板、密封罩设于封装底板上表面并与封装底板配合形成容纳腔的金属外壳、沿上下方向层叠设于容纳腔内的电路基板、设于电路基板上表面上的电路元件及设于相邻电路基板上的第一焊球,位于底层的电路基板与封装底板固定连接,相邻的电路基板之间还设有分别与相邻两个电路基板固接的缓冲胶层,缓冲胶层位于电路元件外侧。本发明提供的抗振三维堆叠电路结构及其制备方法,能有效提高堆叠电路结构的抗震动和抗机械冲击能力,避免焊球焊点开裂,同时避免了缓冲胶层使高频信号传输损耗增加进而导致信号传输性能恶化的问题。