公开(公告)号：CN102077354A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124788.4

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括在栅极绝缘层和源区及漏区之间且至少在源区及漏区一侧的作为缓冲层的具有氮或NH基的非晶半导体层。与其沟道形成区域中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流可提高。此外，与其沟道形成区域具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流可降低。

公开(公告)号：CN101064247B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710100936.1

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  神保安弘 ,  小路博信 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L21/7806 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13613 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供如下技术方案：从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。

公开(公告)号：CN101425544A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173931.6

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电特性优良的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、及其制造方法。该薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅极绝缘膜，形成在栅极绝缘膜上并含有成为供体的杂质元素的微晶半导体膜，形成在含有成为供体的杂质元素的微晶半导体膜上的一对缓冲层，形成在一对缓冲层上的含有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜，形成在含有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中微晶半导体膜中的成为供体的杂质元素的浓度从栅极绝缘膜一侧至所述缓冲层降低，并且缓冲层不含有其浓度高于SIMS的检测限度的成为供体的杂质元素。

公开(公告)号：CN101369541A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210498.9

申请日：2008-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  鸟海聪志 ,  古野诚 ,  神保安弘 ,  大力浩二 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的目的在于提供一种质量良好的微晶半导体膜的制造方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜，然后，在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜。再者，接触微晶半导体膜上地对缓冲层进行层叠。另外，在第一成膜条件之前，进行氩等离子体处理等的稀有气体等离子体处理及氢等离子体处理，以去除衬底上的吸附水。

公开(公告)号：CN101236897A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810009449.9

申请日：2008-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  伊佐敏行 ,  本田达也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

公开(公告)号：CN101179012A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710186035.9

申请日：2007-11-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285

Abstract: 在热膨胀率为大于6×10－7/℃且38×10－7/℃以下的玻璃基板上形成含有半导体膜的层并加热该层。接着，对经加热的层照射脉冲振荡的紫外激光束来形成结晶半导体膜，所述激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽。经上述加热后，玻璃基板上形成的含有半导体膜的层的总应力成为－500N/m以上且+50N/m以下。

公开(公告)号：CN119318054A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380045088.6

申请日：2023-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  和田理人 ,  比嘉麻子

IPC: H01M10/0587 ,  H01G11/26 ,  H01G11/46 ,  H01G11/70 ,  H01G11/74 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052 ,  H01M50/533 ,  H01M50/538

Abstract: 提供一种同时实现高安全性及充放电时间的缩短的二次电池。该二次电池为卷绕型二次电池，正极的正极集流体包括第一极耳及第二极耳，负极的负极集流体包括第三极耳及第四极耳。第一极耳位于比第二极耳更接近卷绕中心的部分，第三极耳位于比第四极耳更接近卷绕中心的部分。第一极耳与第二极耳在第一接合部接合，第三极耳与第四极耳在第二接合部接合。正极活性物质包括第一区域及位于正极活性物质的表面一侧的第二区域。第一区域包含锂、钴及氧。第二区域包含锂、钴、镁及氧。

公开(公告)号：CN119156719A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380034772.4

申请日：2023-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉谷友辅 ,  平原誉士 ,  石谷哲二 ,  神保安弘 ,  挂端哲弥 ,  池田隆之 ,  山崎舜平

IPC: H01M4/525 ,  H01G11/24 ,  H01G11/46 ,  H01M4/505 ,  H01M10/052

Abstract: 提供一种具有优异的充放电倍率特性的正极活性物质及使用该正极活性物质的二次电池。提供一种正极活性物质，在该正极活性物质中由XRD图案算出的晶粒尺寸为150nm以上，内部中的镍在过渡金属的原子个数的总和中所占的比例高于第一表层部及第二表层部中的该比例，第二表层部中的选自钴及锰中的至少一个元素所占的原子个数在过渡金属的原子个数的总和中所占的比例高于内部中的该比例，第一表层部中添加元素中的至少一个元素的浓度高于内部及第二表层部中的该浓度。

公开(公告)号：CN117242900A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280028939.1

申请日：2022-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  大野敏和 ,  沼田至优

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件以及无机绝缘层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极。第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极。无机绝缘层覆盖第一像素电极、第二像素电极、第一发光层及第二发光层的各侧面。无机绝缘层的氢浓度及碳浓度都优选足够低。

公开(公告)号：CN117099482A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280024269.6

申请日：2022-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  神保安弘 ,  冈崎健一

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种显示品质及可靠性高的显示装置。一种包括第一发光元件、以与第一发光元件相邻的方式配置的第二发光元件、第一保护层、第二保护层以及绝缘层的显示装置。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及公共电极。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一保护层具有与第一像素电极的侧面、第二像素电极的侧面、第一EL层的侧面及第二EL层的侧面重叠的区域。绝缘层设置在第一保护层上，第二保护层设置在绝缘层上。公共电极设置在第一EL层上、第二EL层上及第二保护层上。