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公开(公告)号：CN103329257B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180065526.2
申请日：2011-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06 , C23C14/50
CPC classification number: B65G49/063 , B65G49/061 , B65G2249/02 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L21/67706 , H01L21/67709 , H01L21/67712 , H01L21/6776
Abstract: 一种被处理体的运送机构具备：运送部件，在下部具备圆柱状的滑动轴并运送被处理体；支撑部件，由具备与所述滑动轴相接并引导所述运送部件的U字状的槽部的多个辊构成，在所述被处理体的运送机构中，所述滑动轴及所述辊中一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成，所述滑动轴及所述辊中另一方的至少接触部由不锈钢构成。
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公开(公告)号：CN105671500A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610219410.4
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3435
Abstract: 本发明公开了一种阴极单元，该阴极单元(220)用于成膜装置(200)，包括：多个靶(C1、C2、C3)，设置在成膜空间(50)内，并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207)，所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212)，多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内；多个控制部(E1、E2、E3)，使所述旋转轴(207)旋转，并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压；多个磁场生成部(H1、H2、H3)，设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置，使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。
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公开(公告)号：CN105555996A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480047603.5
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/568 , H01J37/32908 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 基板处理装置具备框体(21)以及位于框体内部的中空的摆动臂(23)。摆动臂包括与框体连接的中空的摆动中心轴部(23a)以及作为摆动端的中空的连结轴部(23b)。进一步，基板处理装置具备处理部(22)，该处理部(22)位于框体内部，并且在与基板面对的处理空间，沿与摆动中心轴部的轴向(P)正交的方向移动而对基板实施处理。处理部以追随处理部的移动而使连结轴部(23b)能够与处理部平移的方式与连结轴部连结。因此，通过处理部(22)的移动而使摆动臂(23)进行摆动。进一步，基板处理装置具备连接线路，该连接线路位于摆动臂(23)内部，通过摆动中心轴部(23a)内部而与位于框体外部的共用设备连接、且通过连结轴部(23b)内部而与处理部连接。
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公开(公告)号：CN103459653B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180069851.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3435
Abstract: 该阴极单元（220）用于成膜装置（200），包括：多个靶（C1、C2、C3），设置在成膜空间（50）内，并具有背板（204）、第一母材（205）、第二母材（206）和旋转轴（207），所述背板具有第一主面（204a）、第二主面（204b）、第一侧面（211）及第二侧面（212），多个旋转轴（207）以相互平行地排列的方式配置在同一平面内；多个控制部（E1、E2、E3），使所述旋转轴（207）旋转，并对所述靶（C1、C2、C3）施加用于溅射的电压；多个磁场生成部（H1、H2、H3），设置在靠近所述背板（204）的远离所述成膜空间（50）的表面的位置，使得在所述背板（204）的靠近所述成膜空间（50）的表面生成特定的分布磁场。
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公开(公告)号：CN103283011B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180062688.0
申请日：2011-10-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06
CPC classification number: H01L21/67706 , B65G49/061 , B65G49/063 , B65G2249/02 , H01L21/67709 , H01L21/67718
Abstract: 一种成膜装置，具备：L/UL室；H室，与L/UL室连通；SP室，与H室连通，并且被分割为独立的第一空间和第二空间；成膜单元，分别配置在第一空间及第二空间中；真空排气装置，独立设置在L/UL室、H室、第一空间及第二空间中，并用于分别真空排气这些的内部；四条线路，由贯通L/UL室及H室，并配置在第一空间及第二空间中的各去路和回路构成；运送装置，将被处理体沿着去路或回路运送；以及移动机构，在第一空间及第二空间的内部，将运送装置从去路向回路移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103314129B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180065037.7
申请日：2011-11-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435
Abstract: 该阴极（120）用于成膜装置（100），包括：靶（C）、控制部（E）以及磁场生成部（H），所述靶（C）被设置在所述成膜空间（50）内，且具有：具有第一主面（104a、214a）、第二主面（104b、214b）、第一侧面（111）和第二侧面（112）的背板（104、214），第一母材（105），第二母材（106），以及从所述第一侧面（111）向所述第二侧面（112）贯通所述背板（104、214）的旋转轴（107）；所述控制部（E）使所述旋转轴（107）旋转，经由所述旋转轴（107）对所述靶（C）供给用于溅射的电力；所述磁场生成部（H）被设置在与从所述成膜空间（50）远离的所述背板（104、214）的面靠近的位置，以在所述第一母材（105）或所述第二母材（106）生成漏磁通。
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公开(公告)号：CN102301196B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080005656.2
申请日：2010-01-27
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: F27D19/00 , F27B5/04 , F27B17/0016 , F27D11/12 , F27D21/0014 , G01J5/0007 , G01J5/02 , G01J5/025 , G01J5/04 , G01J5/045 , G01J5/061 , G01J5/08 , G01J5/0893 , G01J5/12
Abstract: 提供一种控制大型的被加热对象基板的温度的技术。在加热室（6）的内部，在辐射加热机构（14）和被加热对象基板（12）对置的区域的侧方配置有温度检测装置（20）。加热装置（2）具有加热室（6）、辐射加热机构（14）、电源装置（25）、基板保持装置（11）、控制装置（15）、和温度检测装置（20）。在控制装置（15）中内置有控制程序，通过控制程序控制电源装置（25）对辐射加热机构（14）的投入电力，使其发热，以使由温度检测装置（20）具有的热电偶（21）检测到的温度测量用基板（22）的温度成为设定温度。此外，在温度检测装置（20）中紧贴配置有循环路径（23），如果通过冷却装置（29）使冷媒流到循环路径（23）中，则能够将温度测量用基板（22）的温度从设定温度冷却到初始温度。
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公开(公告)号：CN102906303A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180027118.8
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分伸出到溅射面（231）的外周的外侧的位置之间移动，一边在反应气体环境中对靶材（211）进行溅射。靶材（211）的溅射面（231）整体被溅射，所以不会在靶材（211）上堆积绝缘性的化合物，不会产生发弧。
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公开(公告)号：CN102906302A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180027011.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。
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公开(公告)号：CN102334178A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009467.2
申请日：2010-02-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H02M5/257 , H01L21/67115
Abstract: 本发明中，即使由并联连接的加热灯构成的负载为3的倍数以外个，也能够以在一次侧没有负担的方式均等地施加电压。在负载（65）中，分为3的倍数的个数和2的倍数的个数，将三个一次绕组进行Y接线或△接线并施加三相交流电压，在多个三相变压器内的与一次绕组分别磁耦合的同一匝数的二次绕组（42）上连接3的倍数个数的负载，在斯科特变压器内的将M座一次绕组的匝数二分割的中点，连接M座一次绕组的（）/2倍的匝数的T座一次绕组的一端并施加三相交流电压，在一个以上的斯科特变压器内的与M座一次绕组和T座一次绕组分别磁耦合的相同匝数的二次绕组（42）上，连接2的倍数的负载，不会出现未连接有负载（65）的二次绕组（42）。能够不增大一次侧的负担地对加热灯（15）均等地施加交流电压。
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