公开(公告)号：CN103383859A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201210337314.1

申请日：2012-09-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张琮永 ,  李坤锡 ,  郑基廷

IPC分类号： G11C11/413

CPC分类号： G11C11/419 ,  G11C11/41 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56 ,  G11C2029/5002 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及具有灵活读/写辅助的存储单元及其使用方法，其中，一种半导体器件包括至少一个存储单元管芯。至少一个存储单元管芯包括数据存储单元。至少一个存储单元管芯包括电连接至数据存储单元的至少一个读辅助使能单元。至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压。存储单元管芯还包括电连接至数据存储单元的至少一个写辅助使能单元。至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。

公开(公告)号：CN103366806A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310122432.5

申请日：2013-04-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权容震 ,  李光振 ,  金惠珍

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C7/22 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/021 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0088

摘要： 提供了一种非易失性存储设备，包括：设置脉冲生成器，被配置为生成设置脉冲；重置脉冲生成器，被配置为基于设置脉冲生成重置脉冲；以及写驱动块，被配置为使用重置脉冲将第二数据写到第二非易失性存储单元，同时使用设置脉冲将第一数据写到第一非易失性存储单元。

公开(公告)号：CN101432822B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200780014937.2

申请日：2007-04-05

申请人： 斯班逊有限公司

发明人： K-T·常 ,  T·瑟盖特

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/34 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C5/146 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0491 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3427 ,  G11C16/3436 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： 一种依照本发明的范例实施例配置的闪存系统(300)使用虚拟接地阵列架构(302)。于程序化操作期间，用负衬底偏压来偏压目标内存单元(706)，以减少或消除漏电流，否则该漏电流可能传导通过该目标内存单元(706)。该负衬底偏压亦藉由在位线(BL2)下方将空乏区(714)延伸得更深而减少于邻接目标单元的单元(708)中之程序干扰的发生，该位线(BL2)对应于目标装置之漏极。该负衬底偏压于验证操作(程序验证、软程序验证、擦除验证)期间亦可施加于目标内存单元(706)，以减少或消除漏电流，否则该漏电流于验证操作期间可能引出错误。

公开(公告)号：CN103187102A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210530440.9

申请日：2012-12-10

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 森郁 ,  柳下良昌 ,  青木一

IPC分类号： G11C29/12

CPC分类号： G11C29/00 ,  G11C16/00 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3445 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/10

摘要： 本发明公开了半导体存储器测试方法和半导体存储器。通过将擦除脉冲施加到存储单元阵列中包括的并且被分成多个组的存储单元系列来执行第一擦除测试，直到出现被做出擦除完成的确定的组为止。基于在检测到首先被做出擦除完成的确定的组时的擦除脉冲数目来对包括所述存储单元系列在内的存储单元的其他系列执行第二擦除测试。

公开(公告)号：CN103119652A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180045937.5

申请日：2011-08-24

申请人： 美光科技公司

发明人： 特拉维斯·E·斯旺森 ,  保罗·J·沃伊特 ,  瑞安·M·普热兹比拉

IPC分类号： G11C7/22 ,  G11C7/10

CPC分类号： G11C8/18 ,  G06F13/1684 ,  G11C7/02 ,  G11C7/1087 ,  G11C7/1093 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C29/022 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  H03K19/00346 ,  Y02D10/14

摘要： 描述用于信道偏斜的方法和系统。用于信道偏斜的一个或一个以上方法包含：将数据信号的数个群组提供到存储器组件，所述数个群组中的每一者对应于相应信道；以及调整对应于所述数个信道中的至少一者的数据信号的群组的相位，使得数据信号的所述群组相对于对应于所述其它相应信道中的至少一者的数据信号的群组偏斜。

公开(公告)号：CN101689404B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200880020782.8

申请日：2008-06-09

申请人： 美光科技公司

发明人： 弗朗姬·鲁帕尔瓦尔

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/24 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/1204

摘要： 适于接收及传输表示两个或多于两个位的位模式的模拟数据信号的存储器装置相对于传送指示个别位的数据信号的装置促进数据传送速率的增加。此类存储器装置的编程包含确定存储器单元的编程速率(即，相应阈值电压的移动速率)及用编程速率控制电压偏置对应的位线，所述编程速率控制电压大于位线启用电压且小于抑制电压。可调节此电压以改变编程速度。耦合到所述位线的电容器存储所述编程速率控制电压以维持适当位线偏压达编程操作的持续时间或直到期望改变所述编程速率为止。

公开(公告)号：CN103093833A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210187657.4

申请日：2012-06-08

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 李政勋

IPC分类号： G11C29/50

CPC分类号： G11C29/021 ,  G11C11/40 ,  G11C29/028 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/40 ,  G11C29/48

摘要： 一种半导体器件包括：数据储存单元，所述数据储存单元被配置成接收输入数据，以逻辑电平之间的电压电平差输出所述输入数据，且输出逻辑电平与输入数据有所差别的比较数据；测试操作单元，所述测试操作单元被配置成在由测试进入命令和测试退出命令所限定的测试操作时段期间响应于电压电平是响应于电平测试码决定的数据参考电压而周期性地判定测试数据的逻辑电平，且通过比较所述比较数据的逻辑电平与所述测试数据的逻辑电平而产生测试结果信号；以及测试操作感测信号发生单元，所述测试操作感测信号发生单元被配置成产生测试操作感测信号，所述测试操作感测信号响应于所述测试进入命令被激活而响应于测试结果信号被去激活。

公开(公告)号：CN103021452A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210171174.5

申请日：2012-05-29

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 杰生·瓦利强恩 ,  史蒂芬·派特文

IPC分类号： G11C11/4063 ,  G11C11/408

CPC分类号： G11C29/24 ,  G11C7/227 ,  G11C8/18 ,  G11C11/4076 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028

摘要： 本发明提供一种存储器装置及其操作方法，存储器装置包括模拟冗余元件比较器、参考延迟信号产生器以及信号比较控制器。模拟冗余元件比较器接收输入信号，并依据模拟延迟针对输入信号进行延迟，藉以产生比较信号。参考延迟信号产生器接收输入信号，依据多个参考延迟以针对输入信号进行延迟，并藉以产生多个参考延迟信号。信号比较控制器接收参考延迟信号以及比较信号。信号比较控制器并依据参考延迟信号与比较信号的时间差来产生选中信号，并依据选中信号产生延迟控制信号。

公开(公告)号：CN101848000B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200910180272.3

申请日：2009-10-12

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 朱清和 ,  张弘义 ,  谢嘉鸿

IPC分类号： H03M13/11 ,  G11C16/02 ,  G11C29/00 ,  G06F11/10

CPC分类号： G11C29/44 ,  G06F11/1068 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/0411

摘要： 本发明提供一种解码方法、编码方法及启动控制系统。所述解码方法用于从包含启动页面的与非门闪存启动，所述启动页面存储多个与非门启动信息及多个通过预定错误更正码比特数产生的对应的奇偶校验。所述解码方法包含：读取启动页面以获取多个配置数据及多个错误更正码数据；以及对所述多个配置数据及所述多个错误更正码数据执行投票方案及错误更正码解码程序，以获取与非门启动信息。上述解码方法、编码方法及启动控制系统能够增强相关装置的错误更正能力与启动效能。

公开(公告)号：CN102890967A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210262837.4

申请日：2007-11-29

申请人： 伊雷克托科学工业股份有限公司

发明人： 凯利·J.·布鲁兰 ,  柯林特·凡德吉亚森 ,  杜安·艾特伦

IPC分类号： G11C29/02 ,  G11C29/56

CPC分类号： B23K26/0853 ,  B23K26/042 ,  B23K26/082 ,  B23K26/351 ,  B23K2101/40 ,  G11C17/143 ,  G11C29/006 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56 ,  H01L21/76894

摘要： 本发明提供一种预热基于激光的系统的方法。在一个实施例中，该基于激光的系统会侦测和处理模型相关联的触发信号。该处理模型对应于一组晶片。该系统会依据该处理模型而响应于该触发信号来自动调整一项或多项系统参数。该系统接着会使用所述经修正的系统参数来选择性地照射该组晶片中的至少一个晶片之上或之内的结构。在一实施例中，该触发信号包含和运动平台有关的热状态变异。该系统会响应于所述热状态变异而在一连串的移动中来操作该运动平台，直到抵达热均衡临界条件为止。举例来说，该移动序列可模拟用来处理特殊晶片的复数个移动。