公开(公告)号：CN108728901B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201810622901.2

申请日：2018-06-15

申请人： 常州亿晶光电科技有限公司

发明人： 袁华斌 ,  符亮 ,  张凯胜 ,  姚伟忠 ,  孙铁囤

IPC分类号： C30B31/10 ,  C30B31/16

摘要： 本发明涉及一种扩散炉管的保养方法，包括：步骤一：扩散炉开机后对扩散炉内部进行梯度升温；步骤二：扩散炉关机前对扩散炉内部进行梯度降温；通过关闭炉门，将高温炉管与低温的车间隔开，防止湿气进入炉管，从源头阻隔磷酸的产生，减少腐蚀与堵塞，延长炉管使用寿命；通过增加采用梯度降温与梯度升温的方式减少炉门与炉管的变形，延长炉门与炉管的使用寿命；通过负压通气的方法升温降温，是为了将炉管内的气态杂志去除干净，保证炉管的气体清洁，防止污染。

公开(公告)号：CN111188093A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN202010096918.6

申请日：2020-02-17

申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司

发明人： 王秀鹏 ,  王斯海 ,  刘世强 ,  李冬梅 ,  郑桂林 ,  王亚楠

IPC分类号： C30B31/16 ,  C30B31/18 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种进气组件和扩散设备。进气组件包括至少两个进气装置，每一个进气装置包括输送管道和调节部件。输送管道的首端位于炉体外部并与气源相连通，输送管道的末端位于炉体内的预定送气位置；调节部件构造为能够独立于其他进气装置直接或间接地调节输送管道内的气体的特定气体参数。其中，各个进气装置的输送管道的末端位置之间存在间隔。本发明的进气组件包括至少两个进气装置，各个进气装置通过相对于彼此独立的进气管道向炉体输送特定气体，且各个进气装置的进气管道在炉体内的预定送气位置不同，使得炉体内的各个位置处的特定气体均匀、稳定，使得生产得到的太阳能电池片具有均匀的方阻。

公开(公告)号：CN109355709A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811492053.4

申请日：2018-12-07

申请人： 吕洪良

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C30B31/16 ,  C30B31/18 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及光伏制造技术领域，且公开了一种光伏电池制造用扩散炉进气装置及其控制方法，包括主通管、流量控制阀Ⅰ和恒温槽，主通管的进气端设有流量控制阀Ⅰ，恒温槽的顶端固定套接有载流管和进气管，载流管位于恒温槽的外部设有流量控制阀Ⅱ。本发明通过称重传感器对恒温槽称重以检测恒温槽的重量变化率，即小N2携带的POCl3的重量变化率，由此，PLC控制器与气动式调节阀的配合工作，根据称重传感器的反馈数据控制经由进氧管通入主通管的O2含量，保证O2依过程反应所需比例通入，实现O2通入量与恒温槽内POCl3的单位时间供给量能够依过程反应所需比例达到实时动态平衡，提高资源有效利用率，降低因O2过量通入给温控系统带来的额外负载强度。

公开(公告)号：CN109023530A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811112530.X

申请日：2018-09-25

申请人： 胡新军

发明人： 薛慧敏 ,  胡新军 ,  梁晶晶

IPC分类号： C30B31/10 ,  C30B31/16 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B31/10 ,  C30B29/06 ,  C30B31/16

摘要： 本发明公开了一种高温扩散炉体，炉体包括炉管和保温层，炉管安装在保温层内，炉管端部设置炉盖，炉管尾部设有进气口和排气口，进气口处安装进气法兰，进气法兰上安装进气管，排气口安装排气法兰，排气法兰上安装排气管，炉管内部安装由匀气组件，本发明结构设计新颖，保温效果好，而且炉管内部能够实现均匀进气和排气，提高了扩散效果，进一步提高了硅片的扩散质量。

公开(公告)号：CN108930060A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810722327.8

申请日：2012-11-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 薛森鸿 ,  陈步芳 ,  王祥保

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/16 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

CPC分类号： C30B15/04 ,  C30B15/00 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/165 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/365 ,  H01L29/78

摘要： 提供了一种用于为半导体晶圆提供支承的系统和方法。实施例包括从半导体晶锭分离半导体晶圆之前，在半导体晶锭形成期间引入空位增强原料。空位增强原料在半导体晶锭内以高密度形成空位，并且所述空位在诸如退火的高温度工艺期间在半导体晶圆内形成体微缺陷。这些体微缺陷有助于在后续工艺期间提供支承和增强半导体晶圆并且有助于减少或者消除可能出现的指纹覆盖。本发明还提供了半导体结构和方法。

公开(公告)号：CN107523878A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710791559.4

申请日：2017-09-05

申请人： 麦斯克电子材料有限公司

发明人： 令狐铁兵 ,  焦二强 ,  张明亮 ,  秦露露

IPC分类号： C30B31/16 ,  C30B31/10 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B31/16 ,  C30B29/06 ,  C30B31/10

摘要： 一种用于重掺磷硅单晶生产的防爆单晶炉，该单晶炉的主真空泵通过抽空管道与炉筒的底部连通，以控制主真空泵通过抽空管道抽取炉筒内的气体；抽空管道靠近炉筒的一端上连接有进空气管道，进空气管道与空气开关连接，以通过空气开关的控制向抽空管道中充入空气，进而使抽空管道内沉积的含磷挥发物进行氧化去除。本发明通过在单晶炉抽空管道的最前端增加一个进空气管道，进空气管道上的空气开关开启后可以通过该进空气管道向抽空管道中输入空气，进而对管道壁、过滤器等沉积挥发物的部位进行氧化，避免反应产生的热量积聚达到爆炸极限，从而很好的控制了磷的燃烧速度，解决了管道爆炸问题。

公开(公告)号：CN105734675B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201610247599.8

申请日：2016-04-19

申请人： 温州巨亮光伏科技有限公司

发明人： 蔡伦

IPC分类号： C30B31/16

摘要： 本发明公开了一种晶圆氧化用高温扩散炉管，包括炉管本体，炉管本体内具有内腔，在炉管本体的一端设有第一进气口，第一进气口上设有第一匀气装置，第一匀气装置连接外部的第一进气管，在炉管本体的另一端设有第二进气口，第二进气口上设有第二匀气装置，第二匀气装置连接外部的第二进气管，且第一进气口设置在炉管本体一侧的上端，第二进气口设置在炉管本体另一侧的下端，在炉管本体的下端设有尾气排放口，尾气排放口设有过滤装置，过滤装置连接外部的尾气管道，本发明采用非对称设置的两个进气口，且均在进气口处安装匀气装置，能够进一步过滤进入内腔的气体，同时能够保证气体的均匀性，提高晶圆氧化的均匀性。

公开(公告)号：CN106929923A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201511024733.X

申请日：2015-12-31

申请人： 无锡华润华晶微电子有限公司

发明人： 崔严匀 ,  王训辉

IPC分类号： C30B31/16

CPC分类号： C30B31/16

摘要： 本发明提供了一种石英炉管，包括炉管本体，所述炉管本体的第一端面开设有炉口，所述炉管本体的第二端面设置为炉尾，所述炉管本体内设有炉腔；所述炉腔内靠近所述炉尾的一端设置有气室，所述炉尾上开设有至少一个进气口和至少一个出气口，所述至少一个进气口与所述气室相连通，所述出气口与所述炉腔相连通；所述气室的顶板上设置有向所述炉口方向延伸的至少一根支管，所述至少一根支管与所述气室相通，所述至少一根支管的支管壁上开有多个支管透气孔。本发明解决了工艺气体从炉尾直接向炉口流动导致气流分布不均匀的问题，使得工艺气体可从晶圆片的四周均匀流入，进而与晶圆片均匀接触，确保了晶圆片片内参数的一致性。

公开(公告)号：CN102428540B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201080019362.5

申请日：2010-04-06

申请人： 塞姆科工程股份有限公司

发明人： Y·佩里格林

IPC分类号： H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L21/00 ,  C30B31/02 ,  C30B31/12 ,  C30B31/16

CPC分类号： H01L21/2255 ,  C30B29/06 ,  C30B31/06 ,  H01L21/223 ,  H01L21/67098

摘要： 本发明涉及一种对放置在炉子腔室中的衬底上的硅片进行P型掺硼的方法，腔室的一端包括壁，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于该壁中，由此所述方法包括以下阶段：a)在腔室中，在1kPa-30kPa的压力下并在800℃-1100℃的温度下，使反应气体与在运载气体中稀释的三氯化硼BCl3反应，以形成氧化硼B2O3玻璃层，b)在N2+O2的气氛下并在1kPa-30kPa的压力下，在硅中实施硼原子的扩散。本发明还涉及用于实施所述掺硼方法的炉子及其应用，用于制造大的掺硼硅片，尤其用于光伏应用。

公开(公告)号：CN103409803B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310369412.8

申请日：2013-08-22

申请人： 天威新能源控股有限公司

发明人： 程曦 ,  匡成国 ,  姜涛 ,  杨东 ,  姚骞 ,  包崇彬

IPC分类号： C30B31/16 ,  C30B31/10

摘要： 本发明公开了用用于晶体硅扩散的匀流板及其晶体硅扩散工艺炉，用于晶体硅扩散的匀流板，包括匀流板本体，匀流板本体按照区域划分为炉顶板区域和炉底板区域，炉顶板区域内开有若干匀流通孔，炉底板区域为密封板体。本发明的有益效果为：1.在改善炉体内气流均匀性的同时，降低更换成本和维护时间，达到降本增效的效果。2.降低因匀流管被腐蚀断裂而造成的方块电阻异常等风险。3.进一步起到匀流气体的作用，改善扩散后方块电阻的均匀性。