公开(公告)号：CN113327866A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202010129757.6

申请日：2020-02-28

申请人： 复旦大学

发明人： 郭帅斐 ,  杨昉原 ,  马立国 ,  张远波

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

摘要： 本发明提供一种二维器件真空制备系统及其方法。所述二维器件真空制备系统包括：预抽真空单元，用于传递二维材料，并包括用于进行抽真空的第一抽气装置；器件制备单元，能够与所述预抽真空单元相连通或断开，用于解离所述二维材料，并包括用于进行抽真空的第二抽气装置；电极蒸镀和薄膜生长单元，能够与所述器件制备单元相连通或断开，用于制作二维器件的电极，并包括用于进行抽真空的第三抽气装置；监控单元，用于对所述二维器件真空制备系统内二维器件的制备进行实时观察；以及自动化控制单元，用于对所述二维器件真空制备系统内二维器件的制备进行控制。

公开(公告)号：CN113013250A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110205068.3

申请日：2021-02-24

申请人： 北京大学

发明人： 董俊辰 ,  李琪 ,  韩德栋 ,  王漪 ,  张兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

摘要： 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。该场效应晶体管包括衬底、栅电极、金属‑绝缘层电介质、有源层和源/漏电极，栅电极位于衬底之上，金属‑绝缘层电介质位于栅电极之上，有源层位于金属‑绝缘层电介质之上,源/漏电极位于有源层之上，所述金属‑绝缘层电介质结构采用氧化铝/钛/氧化铝的三明治结构，所述氧化铝薄膜厚度分别为10‑100纳米，钛薄膜为金属钛薄膜或氧化钛薄膜，所述钛薄膜厚度为10‑100纳米。本发明提出了一种用于微电子器件的新型high‑k电介质材料，该金属‑绝缘层混合电介质采用磁控溅射和原子层淀积工艺制备，步骤简单、成本低，具有实际应用潜力。

公开(公告)号：CN111463265A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010290015.1

申请日：2020-04-14

申请人： 有研工程技术研究院有限公司

发明人： 门阔 ,  魏峰 ,  沈宇鑫 ,  连紫薇

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开了一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法，其中存储器包括：自下而上依次设置的硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、沟道层、控制电极；其中，隧穿层和阻挡层均为氧化铝材料，电荷俘获层为掺杂的氧化铪薄膜，沟道层为二硫化钼材料。本发明采用掺杂的氧化铪材料作为电荷俘获层，可以有效提高电荷俘获效率，有助于在低电压下获得足够大的存储窗口；采用二维材料作为沟道层，能够提高器件性能。

公开(公告)号：CN108987466A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810669012.1

申请日：2018-06-26

申请人： 浙江大学

发明人： 吕建国 ,  吕容恺 ,  李思嵚 ,  叶志镇

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L29/247 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/443 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L29/43 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明公开了一种柔性衬底n型非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，柔性衬底为有机聚合物衬底，n型ZnAlSnO非晶氧化物薄膜为沟道层。制备步骤为：在有机衬底上生长AZO电极为栅极；再生长150~300 nm的Al2O3绝缘层；再生长非晶ZnAlSnO薄膜为沟道层；对上述薄膜进行后处理，再沉积AZO电极，为源极和漏极；最后，生长一层Al2O3薄膜进行封装，制备出n型非晶ZnAlSnO薄膜晶体管。上述各薄膜层的制备均采用磁控溅射方法实现。本发明制得的柔性n型非晶氧化物半导体薄膜晶体管，具有全透明、迁移率高、不含有In元素、工艺简单、成本低等优点，可用于高端柔性显示屏生产。

公开(公告)号：CN108682614A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810379608.8

申请日：2018-04-25

申请人： 贵州民族大学

发明人： 岳兰 ,  孟繁新 ,  任达森

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L21/34 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体是一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明以锌锡铝钾氧化物材料作为沟道层，以有机聚四乙烯苯酚(PVP)材料作为绝缘层，以铝作为源、漏、栅电极，在普通玻璃基底上制备了顶栅共面结构的TFT。本发明中，沟道层及介质层均采用溶胶凝胶法的浸渍提拉工艺来制备，源、漏、栅电极采用真空热蒸发的方法制备。最终得到了一种具有较高饱和迁移率62.3cm2/Vs，较低亚阈值摆幅0.09V/decade，接近于零的阈值电压0.23V，较低的关态电流(

公开(公告)号：CN105632896B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201610061764.0

申请日：2016-01-28

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 蔡良毅

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括设置基底；在基底上设置栅极，在栅极上设置栅极绝缘层，在栅极绝缘层上设置半导体层，在半导体层上分别设置源极和漏极，在源极和漏极上设置钝化层，在钝化层上设置像素电极。其中，所述栅极绝缘层由多孔的SiO2形成。

公开(公告)号：CN107768255A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710985781.8

申请日：2017-10-20

申请人： 武汉大学

发明人： 吴昊 ,  陈雪 ,  张国祯 ,  刘昌

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/443 ,  H01L21/02 ,  H01L29/22

摘要： 本发明提供了一种低温薄膜晶体管的制备方法，无需退火就能够制备出面积大而均匀、并且性能优良的薄膜晶体管，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.将沉积有导电薄膜的衬底放入ALD反应室中，然后进行抽真空及升温处理；步骤2.于室温～120℃下，生长k值为7～170的高k材料作为栅绝缘层，栅绝缘层的厚度为15～150nm；步骤3.于室温～120℃下，直接原位生长ZnO沟道层，沟道层的厚度为10～50nm；步骤4.将步骤3所得的器件，进行紫外曝光，刻蚀沟道后进行二次光刻，蒸镀源漏电极，无需退火处理，制得底栅型低温薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN104167449B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410381849.8

申请日：2014-08-05

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 姜春生

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/44 ,  H01L21/443

CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L2029/42388

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源区、源极和漏极，有源区采用ZnON材料形成，在形成栅绝缘层的同时对形成栅绝缘层的材料进行控制处理，使薄膜晶体管工作时，栅绝缘层能持续地向有源区中补充氮元素，以使薄膜晶体管的亚阈值摆幅≤0.5mV/dec。该制备方法使栅绝缘层中的氮元素含量大大提高，由此使得在薄膜晶体管工作时，栅绝缘层能持续地向有源区中补充氮元素，从而大大提高了有源区中氮空位的迁移率，也即大大提高了有源区中载流子的迁移率，进而降低了薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提升了薄膜晶体管的半导体特性。

公开(公告)号：CN105977258A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610309711.6

申请日：2016-05-11

申请人： 南京大学

发明人： 李昀 ,  王宇 ,  宋磊 ,  木津泷 ,  塚越一仁 ,  施毅

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L29/247 ,  H01L29/516 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。

公开(公告)号：CN101789451B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201010110174.5

申请日：2010-01-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 坂田淳一郎 ,  岛津贵志 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。将包含SiOx的氧化物半导体层用于沟道形成区，在源电极层及漏电极层和上述包含SiOx的氧化物半导体层之间设置源区及漏区，以降低与由低电阻值的金属材料构成的源电极层及漏电极层的接触电阻。源区及漏区使用不包含SiOx的氧化物半导体层或氧氮化物膜。