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公开(公告)号：CN101689469B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200880008645.2
申请日：2008-02-19
申请人： 因特瓦克公司
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/3444
摘要： 一种用于同时为多个溅射源供电的装置。电源耦合到电荷累计器。所述电荷累计器经由开关装置耦合到几个溅射源。每一个开关装置的占空比用来单独控制传输到每一个溅射源的功率。在另一个装置中，电源耦合到阻抗匹配电路。所述阻抗匹配电路经由几个平衡元件耦合到几个溅射源。操作每一个平衡元件以单独控制传输到所述溅射源的功率。
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公开(公告)号：CN102099923A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127945.7
申请日：2009-06-11
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L21/266 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L31/022425 , H01L31/072 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种太阳能电池器件包括硅衬底，该硅衬底包括预先存在的掺杂物。均匀轻掺杂区域形成于硅衬底的表面上以在预先存在的掺杂物与轻掺杂区域之间形成结。重掺杂区域选择性地注入于硅衬底的表面上。籽晶层形成于重掺杂区域之上。金属接触形成于籽晶层之上。该器件可以包括防反射涂层。在一个实施例中，重掺杂区域形成抛物线形状。重掺杂区域可以按一定距离在硅衬底上各自是范围为50至200微米的宽度。重掺杂区域也可以在硅衬底上相互横向隔开范围为1至3mm的距离。籽晶层可以是硅化物。
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公开(公告)号：CN101916037A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200910179464.2
申请日：2009-10-20
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/67736 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C16/54 , G03F7/0002 , G11B5/85 , G11B5/855 , H01L21/67225 , H01L21/67754
摘要： 一种可规模化的高生产量的纳米压印光刻涂底设备，包括：双反应物化学气相沉积反应器腔室，被构造成以硬盘半径来保持多个硬盘的芯轴，以及将多个硬盘转移到所述腔室中以及从所述腔室中转移出的传输机构。所述设备也可以包括转移工具，以将所述多个硬盘移至额外的腔室进行处理。
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公开(公告)号：CN101889101A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119425.7
申请日：2008-12-05
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： G11B5/84 , G11B5/855 , H01J37/3438
摘要： 本发明提供一种用于蚀刻图案化的介质盘片的系统。可动的非接触电极被利用来执行溅射蚀刻。电极移动到几乎接触的距离但是并未接触基板以将RF能量耦合到盘片。待蚀刻的材料可以是金属，例如Co、Pt、Cr或类似金属。基板竖直保持在承载器中并且两个侧面顺次被蚀刻。也就是，一个侧面在一个腔室中被蚀刻，然后在下一腔室中第二侧面被蚀刻。隔离阀布置在两个腔室之间，盘片承载器在腔室之间移动盘片。承载器可以是利用例如磁化轮和直线电机的线性驱动承载器。
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公开(公告)号：CN101884069A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118973.8
申请日：2008-12-05
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： G11B17/00
CPC分类号： G11B5/84 , G11B5/855 , H01J37/3438
摘要： 本发明公开一种蚀刻用于硬驱的构图介质磁盘的系统。设计该模块化系统以执行具体工艺序列，从而在未从真空环境中移除磁盘的情况下制造构图介质磁盘。在一些序列中蚀刻磁叠置体而在另一些序列中在形成所述磁叠置体之前执行蚀刻。在另一序列中，使用离子注入而非蚀刻步骤。对于蚀刻，利用可移动非接触电极执行溅射蚀刻。阴极移动到衬底的接触距离附近但是不接触该衬底以将RF能量耦合到磁盘。将衬底垂直固定在载体中并且依次蚀刻两侧。即，在一个腔室中蚀刻一侧而在下一个腔室中蚀刻第二侧。
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公开(公告)号：CN101872716A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010188006.8
申请日：2010-02-20
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/683 , H01L21/68742
摘要： 描述了一种从静电吸盘最优化释放晶片的系统和方法。监测提升销结构上的力并且基于所述力确定释放电压。以所确定的释放电压释放晶片。
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公开(公告)号：CN101821801A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880016737.5
申请日：2008-04-21
申请人： 因特瓦克公司
发明人： P·卡尔
CPC分类号： G11B5/8408
摘要： 一种将润滑剂涂层沉积在硬磁盘上用的设施，包括装载和卸载真空锁，其中承载将用润滑剂涂层涂覆的硬磁盘的盒子被转动90°。润滑剂涂层在处理模块中同时沉积在多个硬磁盘上。承载硬磁盘的多个盒子同时定位于装载和卸载真空锁中。承载硬磁盘的多个盒子同时定位于装载真空锁和用来沉积润滑剂涂层的模块之间的缓冲地带中。
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公开(公告)号：CN101689469A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880008645.2
申请日：2008-02-19
申请人： 因特瓦克公司
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/3444
摘要： 一种用于同时为多个溅射源供电的装置。电源耦合到电荷累计器。所述电荷累计器经由开关装置耦合到几个溅射源。每一个开关装置的占空比用来单独控制传输到每一个溅射源的功率。在另一个装置中，电源耦合到阻抗匹配电路。所述阻抗匹配电路经由几个平衡元件耦合到几个溅射源。操作每一个平衡元件以单独控制传输到所述溅射源的功率。
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公开(公告)号：CN101471280A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188779.9
申请日：2008-09-26
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/6833
摘要： 一种静电卡盘，包括通过其提供传热气体的倾斜导管或倾斜激光钻孔通路。倾斜导管和/或倾斜激光钻孔通路的一段沿着与所产生的用于将衬底保持到卡盘上的电场的轴不同的轴延伸，从而使等离子体弧和背侧气体的离子化最小化。可以将第一栓塞插入到所述导管中，其中所述第一栓塞的第一外部通道的一段沿着与电场的轴不同的轴延伸。可以将第一和第二栓塞插入到延伸穿过电介质部件和电极中的至少一个的陶瓷套筒。最终，电介质部件的表面可以包括在距电介质部件中心的径向距离处设置的压纹以便改善热传递和气体分布。
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公开(公告)号：CN101335193A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810130616.5
申请日：2008-06-25
申请人： 因特瓦克公司
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32091 , H01J37/32165
摘要： 一种具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室和用于改善对等离子体参数的控制的方法。该等离子体室包括向等离子体电容耦合RF能量的双频偏压源和向等离子体电感耦合RF能量的单频或双频源。可以调制该电感源以改善蚀刻的均匀性。
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