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公开(公告)号：CN100511472C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510062689.1
申请日：2002-11-29
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/407 , H03K5/135
CPC classification number: G11C29/028 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/401 , G11C11/4076 , G11C29/02 , G11C29/50 , G11C29/56012
Abstract: 一个相位调节电路使外部时钟信号延迟预定的量，以产生一个被调节时钟信号。相位比较器把外部时钟信号的相位与该被调节时钟信号的相位相比较，输出一个相位调节信号，以调节相位调节电路的延迟时间。数据输出电路把读取数据与该被调节时钟信号同步地输出到数据端。数据输入电路与该被调节时钟信号相同步接收提供到该数据端的写入数据。当写入数据的输入和读取数据的输出相继执行时，写入数据的输入操作和读取数据的输入操作之间的切换控制仅仅必需在一个时钟周期内完成。时钟周期可以被减小到上述切换控制所需的时间。结果，该外部时钟信号的最大频率可以增加。
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公开(公告)号：CN100508167C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480044445.4
申请日：2004-11-30
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 杉崎太郎
IPC: H01L21/8247 , H01L29/788 , H01L27/115 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28282 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , G11C2216/06 , H01L21/28273 , H01L21/31645 , H01L29/42348
Abstract: 一种半导体存储器件，具有：电荷聚集层26，其形成在半导体基板10上，而且在绝缘膜12、24中具有作为电荷聚集体的多个微粒16而形成；栅电极30，其形成在电荷聚集层26上，其中，微粒16由金属氧化物或者金属氮化物构成。
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公开(公告)号：CN100504920C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610057067.4
申请日：2006-03-17
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 东典行
Abstract: 本发明提供了一种非接触式标签，包括：时钟提取单元，用于从接收的载波中提取时钟；解调制单元，用于输出包括逻辑信号的解调制信号，所述逻辑信号的逻辑状态响应于所述载波的非调制时间段和调制时间段中的每一种而改变；分割单元，用于由输入自所述时钟提取单元的时钟生成分割时钟，并且根据所述解调制信号的逻辑状态抑制所述分割时钟的输出；以及解码单元，用于利用由所述分割时钟驱动的计数器的值来解码包括在所述载波中的信息。
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公开(公告)号：CN100504758C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200410058173.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 富士通微电子株式会社
CPC classification number: G06F7/728 , G06F7/5443
Abstract: 本发明公开了一种适用于使用单口存储器的多字乘法-累加电路和蒙哥马利模乘法-累加电路。该电路由乘法-累加(MAC)运算器和周边的寄存器组成。该MAC运算器具有位宽不同的被乘数和乘数输入端口，以计算从存储器读出的多字数据的乘积的和。寄存器用作要被提供给MAC运算器的单独的输入端口的多字数据的缓冲存储装置。对在每个时钟周期中被提供给MAC运算器的数据量被调节，使得由MAC运算器在一个时钟周期中所消耗和产生的数据总量将等于或小于存储器在一个时钟周期中所能传输的最大数据量。该特征使得能够使用带宽有限的单口存储器，而不会对MAC运算器的使用效率造成负面影响。
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公开(公告)号：CN100495662C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510099496.3
申请日：2005-09-06
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2652 , H01L21/28238 , H01L21/28518 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/105 , H01L29/6659
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中能够容易且可靠地实现沟道区域中的理想阶梯式分布，由此能同时抑制短沟道效应及防止迁移率下降。从半导体膜起将硅衬底非晶化到预定深度，并且在这种状态下引入将成为源极/漏极的杂质。然后激活杂质，并且通过低温固相外延再生长将非晶化的部分再结晶。由于低温固相外延再生长所需的处理温度在450℃-650℃范围内，因而能够抑制杂质热扩散到半导体膜，从而保持初始陡峭的阶梯式分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100490010C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200410081795.X
申请日：2004-12-31
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C8/00
Abstract: 本发明涉及半导体存储器件和存储器系统。提供了命令寄存器和地址寄存器，其中命令寄存器用于保存与提供自外部的访问请求相关的信息的译码结果，并且在处理电路即芯片控制电路和地址译码器中对与来自外部的访问请求相关的信息的译码，以及由访问控制电路在存储单元阵列中执行的与外部访问请求相对应的操作可以相互独立地并行执行，从而可以多重输入来自外部的访问请求，并且对于存储单元阵列中与外部访问请求相对应的操作和译码可以实现流水线化的操作，因此能够加快对半导体存储器件的访问操作，而不会引起任何问题。
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公开(公告)号：CN101430928A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810182921.9
申请日：2004-12-31
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C7/10
Abstract: 本发明涉及半导体存储器件和存储器系统。提供了命令寄存器和地址寄存器，其中命令寄存器用于保存与提供自外部的访问请求相关的信息的译码结果，并且在处理电路即芯片控制电路和地址译码器中对与来自外部的访问请求相关的信息的译码，以及由访问控制电路在存储单元阵列中执行的与外部访问请求相对应的操作可以相互独立地并行执行，从而可以多重输入来自外部的访问请求，并且对于存储单元阵列中与外部访问请求相对应的操作和译码可以实现流水线化的操作，因此能够加快对半导体存储器件的访问操作，而不会引起任何问题。
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公开(公告)号：CN101430927A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810182920.4
申请日：2004-12-31
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C7/10
Abstract: 本发明涉及半导体存储器件和存储器系统。提供了命令寄存器和地址寄存器，其中命令寄存器用于保存与提供自外部的访问请求相关的信息的译码结果，并且在处理电路即芯片控制电路和地址译码器中对与来自外部的访问请求相关的信息的译码，以及由访问控制电路在存储单元阵列中执行的与外部访问请求相对应的操作可以相互独立地并行执行，从而可以多重输入来自外部的访问请求，并且对于存储单元阵列中与外部访问请求相对应的操作和译码可以实现流水线化的操作，因此能够加快对半导体存储器件的访问操作，而不会引起任何问题。
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公开(公告)号：CN100487877C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480000922.7
申请日：2004-04-28
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 堀充明
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，能够抑制离子注入到栅电极中的硼穿透栅绝缘膜，并能够抑制沟道区的迁移率的下降。半导体器件的制造方法包括：在半导体基板的有源区上形成栅绝缘层的工序；利用活性氮从上述栅绝缘层表面侧导入氮的工序；在NO气体环境中实施退火处理的工序，以确保已导入氮的栅绝缘层内的氮浓度分布在表面侧高、且在与半导体基板的界面处低。
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公开(公告)号：CN100485962C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200510096571.0
申请日：2005-08-25
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。氮化硅膜(16)的防透膜被插置于硅衬底(10)与高k栅极绝缘膜(18)之间，由此防止高k栅极绝缘膜(18)被脱氧，同时在已经形成栅电极层(20)之后进行氧退火，由此补充氧。作为防透膜的氮化硅膜(16)变成氮氧化硅膜(17)而膜厚不变，由此能够防止由于氧损失引起的高k栅极绝缘膜(18)的特性退化，同时不会降低晶体管的特性。即使半导体器件的栅极绝缘膜是由高介电常数材料制成，其阈值电压也不会偏移。
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