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公开(公告)号：CN112466795A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011243161.5
申请日：2020-11-10
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L21/677 , H01L33/00 , H01L25/16 , H01L25/00
摘要： 本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底，包括：S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层，制备周期性Micro LED发光单元的阵列；S2蓝宝石衬底通过刻蚀去部分衬底，制备与Micro LED发光单元同周期性的微坑阵列，获得转移衬底；S3在转移衬底的微坑中填涂热塑性弱连接材料；S4采用化学浸蚀方式去除部分热塑性弱连接材料；S5将S1获得的Micro LED发光单元，一次性对应地转移到在S4获得的转移衬底，去除硅基衬底后实现Micro LED发光单元的弱连接；S6采用转印的方式将弱连接Micro LED发光单元按需要进行巨量转移到驱动电路。本发明在转移衬底上通过刻蚀，微坑填入热塑性层形成弱连接结构，实现温控选择性Micro LED巨量转移及转移衬底制备。本发明具有结构稳定、易于操作等特点。
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公开(公告)号：CN111769103A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010601783.4
申请日：2020-06-29
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列，刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1-x-yN外延层直至暴露衬底，使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一，并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元；S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板，并去除硅衬底，以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移；S3重复S2，将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术，在发光结构之间形成金属连接层，将不同颜色发光结构连接在一起，实现多色Micro LED的制备，具有结构稳定、易于操作等特点。
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公开(公告)号：CN109378378A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811235637.3
申请日：2018-10-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片的反射电极及其制备方法。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN109273573A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811235636.9
申请日：2018-10-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN108470807A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810106850.8
申请日：2018-02-02
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本发明提供了一种半导体发光二极管的外延装置，该装置包括依次接触的N电极、N型半导体接触层、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层、P型半导体接触层和P电极；所述N电极与N型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过N型半导体接触层的掺杂浓度进行调节；或P电极与P型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过P型半导体接触层的掺杂浓度进行调节。本发明在半导体的表面与金属电极接触的界面改善电流扩展，由于金属与半导体的接触非常敏感，界面的电导性易于调控，外延中仅需很薄的一层，就可以实现电流扩展的显著改善，且器件电压的升高幅度较小。
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公开(公告)号：CN107170866A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710284866.3
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种多光谱发光二极管结构，包含：衬底和半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和多光谱发光多量子阱层；特征是：所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成，可以同时出射两种或三种波长的光，任意两种波长的光之间的波长差为λ，其中100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构，周期数为k；所述多量子阱发光单元的发光波长由其量子阱禁带宽度决定，发光波长范围为380nm─700nm。本发明能在单芯片内直接出射多光谱，可使五基色白光封装所用芯片颗粒数大幅下降，对灯珠的电路设计、光学设计以及混光提供了很大的设计窗口。
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公开(公告)号：CN105870286A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610253193.0
申请日：2016-04-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/08
摘要： 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3?10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。
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公开(公告)号：CN103594579B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310543241.6
申请日：2013-11-06
申请人： 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，它包括衬底，依次形成于衬底上的缓冲层、n型层，多量子阱层和p型层，特征是：所述n型层由从下向上依次叠加的n型GaN层、n型层内应力释放层、n型层内势垒阻挡层和n型层内电子注入层组成。p层由p-AlxInyGa1-x-yN：Mg构成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。所述n型层内势垒阻挡层由AlxGa1-xN构成，且不掺杂，可避免发光二极管在正向导通和承受反向电压时在V形坑处形成漏电流，从而大大提高其可靠性。本发明将提高LED可靠性的方法融于材料生长过程中，不引入新的制造工序，不增加器件的制造成本且不影响器件制造的合格率。
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公开(公告)号：CN103594579A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310543241.6
申请日：2013-11-06
申请人： 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，它包括衬底，依次形成于衬底上的缓冲层、n型层，多量子阱层和p型层，特征是：所述n型层由从下向上依次叠加的n型GaN层、n型层内应力释放层、n型层内势垒阻挡层和n型层内电子注入层组成。p层由p-AlxInyGa1-x-yN：Mg构成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。所述n型层内势垒阻挡层由AlxGa1-xN构成，且不掺杂，可避免发光二极管在正向导通和承受反向电压时在V形坑处形成漏电流，从而大大提高其可靠性。本发明将提高LED可靠性的方法融于材料生长过程中，不引入新的制造工序，不增加器件的制造成本且不影响器件制造的合格率。
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公开(公告)号：CN107134513A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710286221.3
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，特征是：所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。本发明利用第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度更宽的特点，将更多的载流子限制在发光多量子阱中，提升电子和空穴的匹配度，从而进一步提升发光二极管的内量子效率。
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