公开(公告)号：CN101410557A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780008791.0

申请日：2007-03-15

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 柴田直树 ,  岩井真 ,  平田宏治 ,  佐佐木孝友 ,  山崎史郎 ,  森勇介 ,  今井克宏 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合所述助熔剂混合物和所述III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长期间，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。

公开(公告)号：CN101395305A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007680.8

申请日：2007-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  东原周平 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  山崎史郎 ,  平田宏治

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B9/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/063

Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。

公开(公告)号：CN1958886A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610137998.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 山崎史郎 ,  平田宏治 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  山田祐嗣

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00 ,  H01L21/208

Abstract: 本发明提供一种用于生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由III族氮化物化合物半导体形成，所述III族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。

公开(公告)号：CN1839342A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200480023906.X

申请日：2004-08-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山口省一郎 ,  岩井真 ,  岩田雄一

IPC: G02F1/37

CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/3775

Abstract: 本发明涉及极化反转部的制造方法以及光学器件。在单畴化的铁电体单晶基板(2)的一个主面(2a)上设置梳形电极(3)，在另一个主面(2b)侧设置均匀电极(4)，通过在梳形电极(3)和均匀电极(4)之间施加电压来制造极化反转部。使具有基板主体(5)、在基板主体的一个主面(5a)上设置的第一导电膜(6)、以及在另一个主面(5b)上设置的第二导电膜(7)的底部基板与基板(2)层叠起来。此时，使均匀电极(4)和第1导电膜(6)电导通，通过在梳形电极(3)和第二导电膜(7)之间施加电压，而在基板(2)上形成极化反转部。

公开(公告)号：CN108138361B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201680052907.X

申请日：2016-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  岩井真 ,  今井克宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  C30B29/38 ,  C30B19/12

Abstract: 作为本发明的一个实施方式的基底基板(14)在蓝宝石基板(15)上具备第13族氮化物的晶种层(16)。在晶种层(16)的主面以条纹状重复出现凸部(16a)和凹部(16b)，凸部(16a)的阶差(ha)为0.3～40μm，凸部(16a)的宽度(wa)为5～100μm，凹部(16b)的厚度(tb)为2μm以上，凹部(16b)的宽度(wb)为50～500μm。

公开(公告)号：CN111052420A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201780094531.3

申请日：2017-08-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 菊池芳郎 ,  岩井真

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明涉及光学部件及透明密封部件。光学部件(10)具有：至少一个光学元件(12)；以及封装(14)，容纳有光学元件(12)。封装(14)具有：安装基板(16)，安装有光学元件(12)；透明密封部件(20)，接合在安装基板(16)上；以及凹部(26)，包围安装在安装基板(16)上的光学元件(12)；以及折射率匹配剂(28)，填充在凹部(26)内。封装(14)具有从凹部(26)与外部连通的至少一个槽(30)。

公开(公告)号：CN105229778B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480025003.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈義孝 ,  市村干也 ,  岩井真

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种13族氮化物复合基板以及使用它制作的半导体元件，上述13族氮化物复合基板能够实现即使使用导电性的GaN基板、也适合高频用途的半导体元件。13族氮化物复合基板包括：基材，由GaN形成、呈n型导电性，基底层，形成在基材上、是电阻率为1×106Ωcm以上的13族氮化物层，沟道层，形成在基底层上、是杂质浓度的总和为1×1017/cm3以下的GaN层，势垒层，形成在沟道层上、由组成为AlxInyGa1－x－yN(0≤x≤1、0≤y≤1)的13族氮化物形成。

公开(公告)号：CN108425147A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810254199.9

申请日：2012-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  平尾崇行 ,  吉野隆史

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B19/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007

Abstract: 在晶种基板(11)上，通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液，于含氮氛围下育成13族元素氮化物(3)。13族元素氮化物膜(3)含有夹杂物分布层(3a)和夹杂物缺乏层(3b)，所述夹杂物分布层(3a)被设置于自晶种基板(11)侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的构成成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层(3b)被设置于该夹杂物分布层(3a)上。

公开(公告)号：CN105814244B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201480066807.3

申请日：2014-12-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 东原周平 ,  岩井真 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L33/0095 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/12 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/32

Abstract: 对于具有氮化镓层的基板，降低了氮化镓层在表面处理后的表面损伤，并改善了基板上形成的功能元件的品质。本发明提供一种至少具有氮化镓层的基板4。使用具备电感耦合式等离子体发生装置的等离子体刻蚀装置，使标准化直流偏置电位为‑10V/cm2以上，引入氟系气体，对氮化镓层3的表面3a进行干法刻蚀处理。

公开(公告)号：CN105102695B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480019026.9

申请日：2014-12-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  今井克宏 ,  坂井正宏

IPC: H01L21/208 ,  H01L33/32 ,  C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

Abstract: 当在具备蓝宝石基板、以及在蓝宝石基板上通过结晶生长的氮化镓结晶层的复合基板中，在其上形成由13族元素的氮化物形成的功能层时，抑制功能层的偏差。复合基板(4)具备蓝宝石基板(1A)、以及在蓝宝石基板(1A)上设置的氮化镓结晶层(3)。复合基板(4)的翘曲度为，每5.08cm，+40μm以上、+80μm以下。