公开(公告)号：CN104718599A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380045848.X

申请日：2013-09-06

申请人： 索泰克公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  奥列格·科农丘克

IPC分类号： H01L21/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  B32B2457/14 ,  C30B29/68 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/185 ,  H01L27/1203 ,  H01L33/0079 ,  Y10T156/1062 ,  Y10T428/24942

摘要： 本发明涉及一种用于制造伪衬底(109)的方法，该方法包括以下步骤：提供单晶锭(101)，提供操作衬底(102)，从单晶锭(101)切取薄切片(105)，以及将薄切片(105)附接至操作衬底(102)，以形成伪衬底(109)。依据本发明，薄切片(105)的厚度大致等于或小于临界厚度，低于该临界厚度切片(105)在单独取用时不再是机械稳定的。本发明进一步涉及半导体结构体(109)。

公开(公告)号：CN104404624A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410706175.4

申请日：2014-11-28

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 王进 ,  贾皓玮 ,  邱丽

IPC分类号： C30B29/68 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C30B29/68 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种三维纳米等离激元超晶体的可控制备方法，其特征在于：在光学各向异性的贵金属纳米材料溶液中加入定向调节剂，然后滴加在基底上，在避光环境中，控制环境温度和湿度，使贵金属纳米材料溶液中的溶剂在15～30小时之间自然蒸发，即在基底上形成方向可控、排布规则的三维纳米等离激元超晶体。本发明通过纳米晶面化学取向锚定方法结合电解质离子活度物理吸附方法在基底上形成方向可控、排布规则的光学各向异性的三维纳米等离激元超晶体，整个制作过程不借助复杂的仪器设备，避免多步骤生物或化学功能化繁琐的过程，其制备技术简单易行，同时具有广泛的普适性。

公开(公告)号：CN104078331A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410112911.3

申请日：2014-03-25

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 大野彰仁 ,  川津善平 ,  富田信之 ,  田中贵规 ,  三谷阳一郎 ,  浜野健一

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/16

CPC分类号： C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B29/68 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24612

摘要： 本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底（1）。在4H-SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H-SiC层（3）。单晶4H-SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部（2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。

公开(公告)号：CN103782375A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280044074.4

申请日：2012-07-11

申请人： 同和电子科技有限公司

发明人： 生田哲也 ,  柴田智彦

IPC分类号： H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/26 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L29/15 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  C23C16/34

摘要： 本发明提供了第III族氮化物外延基板，其中使用基板抑制在器件形成步骤中产生裂纹；以及所述第III族氮化物外延基板的制造方法。本发明的第III族氮化物外延基板(10)的特征在于具有：Si基板(11)；与所述Si基板(11)接触的初始层(14)；和形成于所述初始层(14)上的超晶格层压体(15)，并且所述超晶格层压体(15)具有多组如下的层压体：每个层压体顺序地具有由Al组成比大于0.5且1以下的AlGaN构成的第一层(15A1(15B1))和由Al组成比大于0且0.5以下的AlGaN构成的第二层(15A2(15B2))。所述第III族氮化物外延基板的特征还在于，所述第二层的Al组成比朝远离所述基板的一侧逐渐降低。

公开(公告)号：CN103534079A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280012813.1

申请日：2012-01-12

申请人： 剑桥企业有限公司 ,  弗劳恩霍夫应用研究促进协会

发明人： 杰里米·鲍姆伯格 ,  大卫·斯诺斯威尔 ,  克里斯托弗·芬雷森 ,  赵其斌 ,  高兹·彼得·海尔曼 ,  彼得·沃尔夫冈·安德里斯·斯帕恩 ,  克里斯蒂安·格哈德·谢弗

IPC分类号： B29C55/18 ,  C30B5/00 ,  G02B6/122 ,  B82Y20/00

CPC分类号： B29C55/023 ,  B29C47/0002 ,  B29C47/0014 ,  B29C55/00 ,  B29C55/18 ,  B29D11/00663 ,  B29D11/0073 ,  B29K2995/0018 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/68 ,  Y10T428/249921

摘要： 一种聚合物蛋白石材料包括在基质材料中三维周期布置的芯颗粒并经由布拉格反射展示结构颜色。在制造这样的材料的工艺中，提供了夹层结构，其具有保持在第一夹层和第二夹层之间的前体复合材料。通过围绕辊子卷曲夹层结构将至少10％的相对剪切应变施加于前体复合材料上。剪切应变被循环，以便促进形成三维周期布置。

公开(公告)号：CN103069056A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201280002392.4

申请日：2012-03-02

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 荻本泰史

IPC分类号： C30B29/22 ,  C23C14/08 ,  H01L21/316

CPC分类号： C30B23/025 ,  C30B1/023 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02304

摘要： 本发明涉及氧化物基材及其制备方法，提供了一种具有原子层水平的平坦表面并适合形成钙钛矿氧化锰薄膜的氧化物基材。本发明的一个实施方式提供了一种单晶氧化物基材（10），其包含有(210)表面取向的SrTiO3的单晶支撑基材（1）和在支撑基材的(210)平面表面上形成的(LaAlO3)0.3-(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7（即LSAT）的单晶底层（2）。本发明的另一实施方式中，形成无定形态的LSAT底层（2A）。

公开(公告)号：CN1961259B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580017198.3

申请日：2005-03-30

申请人： 惠普开发有限公司

发明人： P·科尼洛维奇 ,  P·马蒂洛维奇 ,  J·斯塔斯亚克 ,  N·希鲁科瓦鲁

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23C4/123 ,  C23C4/18 ,  C30B29/68 ,  G03F7/40 ,  H01L21/4846 ,  H05K3/20 ,  H05K3/205 ,  H05K2203/0117 ,  H05K2203/025

摘要： 本公开涉及用于制造和使用超晶格1600的系统和方法。可通过在脊902上设置交替的材料层1302和1304以及除去一些交替的层来让边缘1504和1506曝光来制造超晶格1600。这些暴露的边缘1504和1506的长度和曲率几乎是任意的。可以用这些边缘1504和1506来制造纳米级宽度的弯曲线1902。

公开(公告)号：CN1961259A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017198.3

申请日：2005-03-30

申请人： 惠普开发有限公司

发明人： P·科尼洛维奇 ,  P·马蒂洛维奇 ,  J·斯塔斯亚克 ,  N·希鲁科瓦鲁

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23C4/123 ,  C23C4/18 ,  C30B29/68 ,  G03F7/40 ,  H01L21/4846 ,  H05K3/20 ,  H05K3/205 ,  H05K2203/0117 ,  H05K2203/025

摘要： 本公开涉及用于制造和使用超晶格1600的系统和方法。可通过在脊902上设置交替的材料层1302和1304以及除去一些交替的层来让边缘1504和1506曝光来制造超晶格1600。这些暴露的边缘1504和1506的长度和曲率几乎是任意的。可以用这些边缘1504和1506来制造纳米级宽度的弯曲线1902。

公开(公告)号：CN1618123A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827688.4

申请日：2002-09-17

申请人： 塞姆特里克斯公司

发明人： 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  纳拉杨·索拉亚鹏

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/14 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  Y10T428/24926

摘要： 集成电路(40)包括分层超晶格材料(57)，该分层超晶格材料包括元素铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥中的一种或多种。这些元素可以是A位元素，或者是分层超晶格材料中的超晶格发生器元素。在一个实施例中，这些元素中的一种或多种代替了铋分层材料中的铋。优选地，它们也用于与下面这些元素中的一种或多种组合使用：锶、钙、钡、铋、镉、铅、钛、钽、铪、钨、铌、锆、铋、钪、钇、镧、锑、铬、铊、氧、氯和氟。这些材料中的一些材料是铁电体，它们在相对较低的温度下结晶。其它材料是高介电常数材料，它们经过长时间的使用也不会退化或用坏。

公开(公告)号：CN1311897A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN99809280.0

申请日：1999-07-07

申请人： 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

发明人： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31691 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  B05D3/062 ,  B05D3/065 ,  C23C8/10 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/314 ,  H05K3/105 ,  Y10S427/101

摘要： 一基片(5)位于一沉积室(2)中,该基片界定一基片平面。用超声波或文丘里设备把一包含稀释剂的液态前体(64)雾化成胶态雾,该稀释剂把所述液态前体溶液的表面张力减小到每厘米10－40达因。该雾生成后安置在一缓冲室中,经一系统过滤成0.01μm,然后流入在该基片与挡板之间的沉积室中,在该基片上沉积成一液态层。该液体经干燥在该基片上形成一金属氧化物固态薄膜,该薄膜然后制成集成电路中的一电元件。